Нажав на кнопку "Отправить", Я даю своё согласие на автоматизированную обработку указанной информации, распространяющейся на осуществление всех действий с ней, включая сбор, передачу по сетям связи общего назначения, накопление, хранение, обновление, изменение, использование, обезличивание, блокирование, уничтожение и обработку посредством внесения в электронную базу данных, систематизации, включения в списки и отчетные формы. Методы защиты транзисторов от пробоя. Область безопасной работы транзистора определяет границы интервала надежной работы транзистора без захода в область одного из видов пробоя. Границы областей безопасной работы ОБР транзистора зависят от температуры его корпуса. С увеличением температуры корпуса транзистора границы ОБР, обусловленные тепловым пробоем, перемещаются влево рис. Различают статическую и импульсную ОБР. При построении ОБР в логарифмическом масштабе все ее участки имеют вид прямых линий. Импульсная ОБР определяется максимальным импульсным током коллектора I К. При малых длительностях импульсов на ней могут отсутствовать участки, обусловленные тепловым пробоем. При увеличении длительности импульса появляются участки, ограничивающие ОБР за счет развития вторичного пробоя 3 и теплового пробоя 2. Области безопасной работы биполярного транзистора в статистическом режиме а и импульсном режиме б при различных длительностях импульсов тока коллектора. При использовании транзистора необходимо обеспечить нахождение его рабочей точки внутри ОБР без выхода за ее пределы. Даже кратковременный выход рабочей точки за пределы соответствующей ОБР влечет за собой попадание транзистора в область пробоя. Простейшая цепь, используемая при индуктивной нагрузке транзистора, состоит из последовательно соединенных элементов R и С, как показано на рис. Эта цепь работает следующим образом. При этом часть энергии, запасенной в индуктивности, будет израсходована в резисторе R. Благодаря этому исключается импульс большой амплитуды на коллекторе транзистора, который вывел бы рабочую точку за пределы ОБР. Элементы такой цепи рассчитываются по формулам: В этой схеме при запирании транзистора отпирается диод D , и через него проходит ток индуктивной нагрузки. Защита транзистора от лавинного пробоя при помощи L С-цепи а , шунтирующего диода б и стабилитрона в. Для ограничения выброса напряжения на коллекторе транзистора при его запирании можно использовать ограничитель на стабилитроне D , как показано на рис. Для защиты транзистора от перегрева и связанного с этим теплового пробоя применяют охладители, к которым крепится корпус транзистора. Упрощенная схема защиты транзистора от вторичного пробоя приведена на рис. Защита транзистора от вторичного пробоя. Главная страница Добро пожаловать! Принтерам Копирам Сетям Мониторам Блокам питания Ремонт ПК. Подать заявку на обучение Календарь. Сведения об образовательной организации.
Интернет ресурсы и интернет технологии в образовании
Как выбрать электробритву для жесткой щетины
Пробой биполярного транзистора
Новости киева и мира
Изменить разрешение экрана windows 10 реестр
Карпинск магазин рябинушка каталог мебели
Приказ об утверждении журнала регистрации вводного инструктажа
Инструкция по эксплуатации электронных весов bosch
Афиша гринвич екатеринбург расписание кино
С какой группой крови совместима 4 отрицательная
Результаты акции роснефть
Если пишут ошибка сервера что делать
Биполярный транзистор. Как найти выводы неизвестного транзистора
Как объяснить ребенку что его собираются продать
Схема источника питания скат 1200и7
Ростов прага прямой рейс расписание
Анна толкование имени
Проверка работы схемы
Вторичный пробой
Актерский состав дорамы струны души
Новая дорога на санкт петербург на карте
Сколько денег братьв финляндию
Теоретическое и практическое значение исследования