Ссылка на файл: >>>>>> http://file-portal.ru/Р п переход и его свойства/
P-n-переход и его свойства
p–n переход и его электрические свойства
2)Электронно-дырочный p-n переход и его основные свойства.
Работа большинства полупроводниковых приборов основана на использовании p - n -перехода. Физически это приконтактный слой толщиною в несколько микрон разновесных кристаллов. На границе раздела возникает внутреннее электрическое поле p-n перехода, которое будет тормозящим для основных носителей заряда и будет их отбрасывать от границы раздела. Приложим внешнее напряжение плюсом к p-области. Внешнее электрическое поле направлено навстречу внутреннему полю p-n перехода, что приводит к уменьшению потенциального барьера. Основные носители зарядов легко смогут преодолеть потенциальный барьер, и поэтому через p-n переход будет протекать сравнительно большой ток, вызванный основными носителями заряда. Такое включение p-n перехода называется прямым, и ток через p-n переход, вызванный основными носителями заряда, также называется прямым током. Считается, что при прямом включении p-n переход открыт. Если подключить внешнее напряжение минусом на p-область, а плюсом на n-область, то возникает внешнее электрическое поле, линии напряжённости которого совпадают с внутренним полем p-n перехода. В результате это приведёт к увеличению потенциального барьера и ширины p-n перехода. Основные носители заряда не смогут преодолеть p-n переход, и считается, что p-n переход закрыт. Оба поля — и внутреннее и внешнее - являются ускоряющими для неосновных носителей заряда, поэтому неосновные носители заряда будут проходить через p-n переход, образуя очень маленький ток, который называется обратным током. Такое включение p-n перехода также называется обратным. Вольтамперной характеристикой ВАХ называется графически выраженная зависимость величины протекающего через p-n переход тока от величины приложенного напряжения. Температурное свойство p-n перехода показывает, как изменяется. Частотные свойства p-n перехода показывают, как работает p-n переход при подаче на него переменного напряжения высокой частоты. Частотные свойства p-n перехода определяются двумя видами ёмкости перехода:. Она называется зарядной, или барьерной ёмкостью;. Явление сильного увеличения обратного тока при определённом обратном напряжении называется электрическим пробоем p-n перехода. FAQ Обратная связь Вопросы и предложения. Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Орский гуманитарно-технологический институт филиал ОГУ. Схемы включения, характеристики и режим работы биполярных транзисторов. Устройство, принцип действия, характеристики, основные параметры. Устройство, вах, основные параметры. Назначение, характеристики, основные параметры. Маркировка и обозначение полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Стабилизаторы напряжения и тока: Основные параметры и характеристики усилителей. Обратныесвязи,их влияние на работу усилителя. Однокаскадный усилитель на биполярном транзисторе с общим эмиттером: Ключевой режим работы транзистора. Регистры памяти и регистры сдвига. К основным свойствам p-n перехода относятся: Свойство односторонней проводимости p-n Вольтамперной характеристикой ВАХ называется графически выраженная зависимость величины протекающего через p-n переход тока от величины приложенного напряжения. Температурное свойство p-n перехода показывает, как изменяется работа p-n перехода при изменении температуры Частотные свойства p-n перехода показывают, как работает p-n переход при подаче на него переменного напряжения высокой частоты. Частотные свойства p-n перехода определяются двумя видами ёмкости перехода: Она называется зарядной, или барьерной ёмкостью; - диффузионная ёмкость, обусловленная диффузией подвижных носителей заряда через p-n переход при прямом включении. Различают электрический лавинный, туннельный и тепловой пробои.
Как подключить wifi роутер netis wf2411 видео
Кс го автоотключение что делать
Как лучше доехать до домодедово аэропорт
Электронно-дырочный переход и его свойства
Где можно отремонтировать автомобиль чери а19
Ттк личный кабинет войти
Результаты огэ по русскому языку 2015
Свойства p-n-перехода. Полупроводниковый диод. Принцип действия транзистора.
Глутамат натрия как получают
Штрудель с грушей из слоеного теста пошаговый
p-n-переход
Онтустик стат гов кз
Боли внизу живота у мужчин причины кишечник
Не работает сигнал ваз 2107 причины
Полупроводниковый p-n переход и его свойства.
Наро фоминск 28 расписание