Ссылка на файл: >>>>>> http://file-portal.ru/Статические и динамические характеристики транзистора/
Характеристики биполярных транзисторов
Динамический режим работы транзистора
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Биполярный транзистор представляет собой 3-слойную структуру p-n-p или n-p-n типов с двумя электронно-дырочными переходами. Он служит для усиления, генерации и коммутации электрических сигналов. Структурно биполярный транзистор содержит три области с различными типами проводимости n-p-n или p-n-p, которые соответственно называются эмиттером Э , базой Б и коллектором К. P-n-переход между эмиттером и базой называют эмиттерным , между коллектором и базой — коллекторным. Взаимодействие между переходами обеспечивается благодаря тому, что расстояние между ними толщина области базы много меньше диффузионной длины неосновных носителей в базе. На условном графическом изображении транзисторов p-n-p и n-p-n типов рис. Существует три основные схемы включения транзистора: Если к эмиттерному переходу подключить источник ЭДС E Э в прямом направлении, а к коллекторному источник — E К в обратном, то такой режим работы транзистора называется активным. В этом случае сопротивление эмиттерного перехода мало и для получения тока в рабочем диапазоне в этом переходе достаточно напряжения Е Э в десятые доли вольта. Сопротивление коллекторного перехода велико, поэтому напряжение Е К обычно составляет единицы или десятки вольт. Напряжения между электродами транзистора связаны зависимостью. Рассмотрим физические процессы в активном режиме, протекающие в транзисторе p-n-p-типа включенного по схеме с ОБ рис. При увеличении прямого входного напряжения U БЭ понижается потенциальный барьер в эмиттерном переходе и соответственно возрастает ток через этот переход — ток эмиттера I Э. Дырки, инжектированные из эмиттера в базу, благодаря диффузии проникают сквозь базу в коллекторный переход. Так как коллекторный переход находится под обратным напряжением, то его электрическое поле способствует продвижению экстракции через коллекторный переход дырок, пришедших в базу из эмиттера, то есть втягивает дырки в область коллекторного перехода, увеличивая ток коллектора I К. Так как толщина базы достаточно мала и концентрация электронов в ней невелика, то лишь небольшая часть дырок рекомбинирует в базе с электронами, образуя ток базы I Б. Поскольку ток коллектора получается меньше тока эмиттера, то в соответствии с первым законом Кирхгофа:. Так что коэффициент усиления по напряжению:. Коэффициент передачи по току этой схемы. На режим работы биполярного транзистора влияет обратный тепловой ток I КБ0 коллекторного перехода, экспоненциально увеличивающийся с увеличением температуры и не зависящий от U К см. Наибольшее влияние теплового тока сказывается в схеме с ОЭ, для которой с учетом тока I КБ0 ток. Для малых сигналов свойства транзистора определяются четырьмя параметрами, вывод которых основан на замене транзистора активным линейным четырехполюсником рис. В зависимости от схемы включения транзистора величинам U1, I1, U2, I2 будут соответствовать конкретные значения токов и напряжений. Так для схемы включения с ОЭ: В системе h-параметров в качестве независимых переменных принимают входной ток I1 и выходное напряжение U2, а ток I2 и напряжение U1 выражают через независимые: Для схемы с ОЭ будем иметь:. Все h—параметры находятся из режимов х. В рабочем режиме в цепь коллектора подключается нагрузка, поэтому ток в выходной цепи определяется как изменением входных тока и напряжения, так и напряжением коллектор — эмиттер U КЭ. Это уравнение называется выходной нагрузочной характеристикой , которую строят по двум точкам А и В рис. Полученная таким образом нагрузочная характеристика АВ рис. Точки пересечения линии АВ со статическими выходными характеристиками определяют значения тока коллектора I К при заданном токе I Б базы. Входная нагрузочная характеристика транзистора связывает входное напряжение U БЭ с входным током I Б при неизменных Е К и R Н рис. Для ее построения необходимо произвести ряд действий:. На динамической выходной характеристике задается точка покоя Р рис. При отсутствии входного сигнала ее координаты I К0 , U К0 определяются параметрами коллекторной цепи, зависящими от сопротивления нагрузки, а так же цепями смещения устанавливаемыми во входную цепь на рисунках не показаны. Для смещения точки покоя Р изменяют ток I Б0 и напряжение U БЭ0 смещения во входной цепи. Работа транзистора может происходить в четырех режимах Рис. Полученные уравнения позволяют определить коэффициенты усиления по току K i , напряжению K u и входное сопротивление R ВХ:. Как то на паре, один преподаватель сказал, когда лекция заканчивалась - это был конец пары: Визуализация для тех, кто получает удовольствие от работы в саду I. Цели и задачи выпускной квалификационной работы II — Творческие работы. II — Творческие работы. Описание работы подогревателя II. Отражение компетенций в заданиях выпускной квалификационной работы II. Порядок выполнения работы II. Формирование аттестационных комиссий, их состав и порядок работы II. Но предоставляет возможность бесплатного использования. Есть нарушение авторского права? Поскольку ток коллектора получается меньше тока эмиттера, то в соответствии с первым законом Кирхгофа: Так что коэффициент усиления по напряжению: Схема замещения транзистора активным линейным четырехполюсником.
Сдам дом посуточно в городе
Как вызвать доброго гномика
Куршевель горнолыжный курорт
Studepedia.org - это Лекции, Методички, и много других полезных для учебы материалов
Косинус равен 3 5
Ворд 2007 скачать для windows 7
Детская поликлиника 2 мытищи юбилейная расписание врачей
Статический и динамический режимы работы биполярного транзистора
Закачать игру варфейс
Имя марсель значение имени для ребенка
Транзисторные ключевые схемы. Статические и динамические параметры транзисторов. Характеристика открытого и закрытого состояний ключа ОЭ.
Схема турбины tsi 1.8
Какой нормальный пульс у подростка
Какие потолки делать в ванне
Изучение динамических характеристик транзистора и определение режима его работы в усилительной схеме
Статья 28 гпк рф