Ссылка на файл: >>>>>> http://file-portal.ru/Свойство твердого состояния вещества/
Свойства веществ в твёрдом состоянии
Твёрдое тело
Глава 8. Строение вещества
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны. Твёрдые вещества характеризуются следующими показателями: Геометрическая форма кристалла - это следствие его внутреннего строения, которое характеризуется определённым расположением частиц в пространстве, обуславливающим структуру и свойства данного кристалла пространственная кристаллическая решётка. Энергия, которая выделяется при образовании 1моль кристалла из микрочастиц атомов, молекул, ионов , находящихся в газообразном состоянии и удалённых друг от друга на расстояние, исключающее их взаимодействие. Наименьшее расстояние между центрами 2-х частиц в кристалле, соединённых химической связью. Число частиц, окружающих в пространстве центральную частицу, связанных с ней химической связью. В зависимости от вида частиц, находящихся в узлах кристаллической решётки и типа связи между ними, кристаллы бывают различных типов см. Низкая теплопроводность и электропроводимость, низкая химическая прочность и темп. Твёрдые галогены, СН 4 , Н 2 , СО 2 кр. Прочность; широкий диапазон электропроводности: Промежуточное положение между молекулярными и ковалентными кристаллами; как правило, хор. Ковки, пластичны; высокие тепло- и электропроводимость непрозрачность, металич. Кристаллические проводники, полупроводники, изоляторы. Зон ная теория кристаллов. Все известные кристаллические вещества по величине электропров одимости подразделяются на три класса: Вещества с атомной, молекулярной и реже ионной решёткой, обладающие большой энергией связи между частицами. Вещества с атомной или реже ионной решёткой, обладающие более слабой энергией связи между частицами, чем изоляторы; с ростом температуры электропроводимость растет. Различие в величине электропроводимости металлов, полупроводников и диэлектриков объясняет зонная теория строения твёрдого тела , основные положения которой сводятся к следующему. При образовании кристалла из одиночных атомов происходит перекрытие атомных орбиталей АО близких энергий и образование молекулярных орбиталей МО , число которых равно общему числу перекрывающихся АО. С ростом числа взаимодействующих атомов в кристалле растет число разрешённых молекулярных энергетических уровней, а энергетический порог между ними уменьшается. Образуется непрерывная энергетическая зона, в которой переход электронов с более низкого энергетического уровня на более высокий не требует больших затрат энергии. Заполнение электронами МО, составляющих непрерывную энергетическую зону, происходит в порядке возрастания энергии, согласно принципу Паули. Совокупность энергетических уровней, занятых валентными электронами, составляет валентную зону. Энергетические уровни, незаполненные электронами, составляют зону проводимости. В кристаллах проводников валентная зона находится в непосредственной близости от зоны проводимости и иногда перекрывается с ней. Е - энергетический барьер близок к нулю. Электроны валентной зоны при их незначительном возбуждении могут легко перейти на свободные энергетические уровни зоны проводимости, что обеспечивает высокую проводимость металлов. Валентные электроны не могут попасть в зону проводимости даже при передаче им значительного кол-ва энергии, так как электроны не могут свободно перемещаться по всему объёму кристалла, проводимость в кристалле отсутствует. Ширина запрещённой зоны проводников невелика - от 0. При низких температурах они проявляют свойства изоляторов. С повышением температуры энергия валентных электронов возрастает и становится достаточной для преодоления запрещённой зоны. Происходит перенос электрических зарядов, полупроводник становится проводником. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Д е фекты реальных кристаллов. К типичным собственным полупроводникам относятся В, Si, Ge, Te, Sn серое и др. После получения кванта энергии связь между этой парой электронов нарушается и один электрон покидает валентную зону, переходя зону проводимости. Электропроводность, обусловленная одновременным участием в проводимости е и р, называется собственной или электронно-дырочной пров о димостью n - p типа. Для каждого полупроводника собственная проводимость наступит при разных величинах температур, которые тем выше, чем больше величина запрещённой зоны полупроводника. В настоящее время известно 13 кристаллических модификаций простых веществ обладающих полупроводниковыми свойствами. Они находятся в главных подгруппах 3 - 7 групп Периодической системы элементов Д. В кристаллах простых веществ этих элементов ковалентный или близкий к нему характер химической связи. Ширина запрещённой зоны зависит от прочности ковалентной связи и структурных особенностей кристаллических решёток полупроводника. К полупроводникам с узкой запрещённой зоной относятся Sn серое , Р - чёрный, Те. Заметный перенос электронов в зону проводимости наблюдается уже за счёт лучистой энергии. К полупроводникам с широкой запрещённой зоной относятся Bi, Si - для осуществления проводимости требуется мощный тепловой импульс; для Салм. Получить идеальный кристалл как естественным, так и искусственным путём практически невозможно. Кристаллы, как правило, имеют дефекты в виде структурных нарушений или примесей атомов других элементов. Дефекты кристаллов приводят к усилению дырочной, электронной проводимости или появлению дополнительной ионной проводимости. Усиление примесной проводимости n-типа происходит, если в кристалле Ge один из атомов замещен атомом Р, на внешнем энергетическом уровне которого находится 5 валентных электронов, 4 из которых образуют ковалентные связи с соседними атомами Ge, а один электрон находится на свободной орбитали у атома фосфора. В целом же кристалл Ge остаётся электронейтральным. Примеси в кристаллах, атомы которых способны отдавать электроны, усиливая электронную проводимость, называются донорами. По отношению к Ge, Si - это р-элементы 5-й группы, а также Аu и ряд других элементов. Усиление примесной проводимости р-типа происходит, если в кристалле Ge или Si один из атомов замещён атомом Al, на внешнем энергетическом уровне которого находится только 3 электрона, то при образовании 4-х ковалентных связей с атомами Ge образуется дефицит одного электрона в каждом узле кристаллической решётки, содержащей атом Аl. Примеси в кристаллах полупроводников, атомы которых способны усиливать в них дырочную проводимость, называются акцепторами. Для кристаллов Ge и Si - это атомы р-элементов 3-й группы, а также Zn, Fe и Mn. Таким образом, варьируя природой и концентрациями примесей в полупроводниках, можно получить заданную электрическую проводимость и тип проводимости. Широкое применение полупроводников привело к созданию сложных полупроводниковых систем на основе химических соединений, чаще всего, имеющих алмазоподобную кристаллическую решётку: Дефекты в реальных кристаллах могут возникать не только в результате примесей атомов других элементов, но и теплового движения частиц, формирующих кристалл. При этом атомы, молекулы или ионы покидают свои места в узлах кристаллической решётки и переходят или в междоузлия или на поверхность кристалла, оставляя в решётке незаполненный узел - вакансию. Точечные дефекты в ионных кристаллах существенно влияют на их проводимость. Под действием электрического поля ближайший к вакансии ион переходит на её место, в точке его прежнего местоположения создаётся новая вакансия, занимаемая в свою очередь соседним ионом. Газообразные, конденсированные, жидкие и аморфные фазы веществ. Описание строения кристаллических фаз. Пределы устойчивости кристаллических структур. Способы получения некристаллических твердых фаз. Плотнейшие и плотные кристаллические упаковки. Структуры металлов, металлический радиус. Энергетические зоны в кристаллах. Молекулярное строение полимерного вещества химическая структура , т. Предельный случай упорядочения кристаллических полимеров. Схема расположения кристаллографических осей в кристалле полиэтилена. Типы и классы кристаллических решеток. Элементарные ячейки ионных решеток кристаллов, их кристаллографический признак. Осуществление металлической связи между положительными ионами металлов. Как вырастить кристалл меди. Виды и область применения кристаллов. Рассмотрение закона постоянства углов и закона целых чисел. Основные методы диагностики кристаллических веществ. Принцип работы прикладного и отражательного гониометра. Положение металлов в периодической системе Д. Строение атомов металлов и их кристаллических решеток. Физические свойства металлов и общие химические свойства. Электрохимический ряд напряжения и коррозия металлов. Строение атомов металлов, кристаллических решеток. Металлы в природе, общие способы их получения. Объединение двух информативных для ЖК-полимеров методов исследования с целью составления общей картины связи структуры твердых кристаллических полимеров с особенностями их реологического поведения в ЖК-состоянии на стадии приготовления образцов. Пути получения осаждаемой и гравиметрической форм химического вещества. Факторы влияния на растворимость кристаллических и аморфных осадков. Их загрязнение, фильтрование и промывание. Понятие строения вещества и основные факторы, влияющие на его формирование. Основные признаки аморфного и кристаллического вещества, типы кристаллических решеток. Влияние типа связи на структуру и свойства кристаллов. Сущность изоморфизма и полиморфизма. Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т. PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах. Главная Коллекция рефератов "Otherreferats" Химия Свойства веществ в твёрдом состоянии. Рассмотрение основных типов кристаллических решеток. Определение сущности явления проводимости. Ознакомление с особенностями деления кристаллических веществ по величине электропроводимости. Анализ и характеристика аморфных и кристаллических веществ. Характеристика вещёства в твёрдом состоянии. Твёрдые вещества делятся на аморфные и кристаллические. Дальний порядок расположения частиц Анизотропность физических свойств Конкретная температура плавления и кристаллизации Термодинамическая устойчивость малый запас внутренней энергии Обладают элементами симметрии Примеры: Основные параметры кристаллических решёток описаны в таблице 1. Координационное число Энергия, которая выделяется при образовании 1моль кристалла из микрочастиц атомов, молекул, ионов , находящихся в газообразном состоянии и удалённых друг от друга на расстояние, исключающее их взаимодействие Наименьшее расстояние между центрами 2-х частиц в кристалле, соединённых химической связью Число частиц, окружающих в пространстве центральную частицу, связанных с ней химической связью В зависимости от вида частиц, находящихся в узлах кристаллической решётки и типа связи между ними, кристаллы бывают различных типов см. Тип связи между частицами Основные свойства кристаллов Примеры веществ Молекулярные Неполярные или полярные молекулы Межмолекулярные силы; водородные связи Низкая теплопроводность и электропроводимость, низкая химическая прочность и темп. Ковалентные атомные Атомы одного или разных элементов Ковалентные связи Высокая температура плавл. Салм, Si, Ge, Snc, SiC, AlN, BN и др. Ионные Простые и сложн. Металлические Атомы и ионы металлов Металлическая связь Ковки, пластичны; высокие тепло- и электропроводимость непрозрачность, металич. Зон ная теория кристаллов Все известные кристаллические вещества по величине электропров одимости подразделяются на три класса: Деление кристаллических веществ по величине электропроводимости Класс кристаллич. Полимеры, оксиды и др. Si, Ge, B, серое олово и др. Д е фекты реальных кристаллов К типичным собственным полупроводникам относятся В, Si, Ge, Te, Sn серое и др. Основные понятия и объекты неорганической химии. Структура простых кристаллических веществ. Фазовая надмолекулярная структура полимеров. Строение аморфного полимерного тела и его модели. Металлы как химические элементы. Особенности течения и структурные переходы в алкиленароматических полиэфирах. Строение и свойство материалов. Другие документы, подобные "Свойства веществ в твёрдом состоянии". Ближний порядок расположения частиц Изотропность физических свойств Отсутствие конкретной точки плавления Термодинамическая нестабильность большой запас внутренней энергии Текучесть Примеры: Энергия, которая выделяется при образовании 1моль кристалла из микрочастиц атомов, молекул, ионов , находящихся в газообразном состоянии и удалённых друг от друга на расстояние, исключающее их взаимодействие Наименьшее расстояние между центрами 2-х частиц в кристалле, соединённых химической связью Число частиц, окружающих в пространстве центральную частицу, связанных с ней химической связью. Кристаллы простых и сложных веществ элементов 3-й и 4-й групп главных подгр. Проводники 1-го рода Диэлектрики Полупроводники. Fe, Al, Ag, Cu и др.
Госпошлина за государственную регистрацию прав на недвижимое
Скайрим где взять кирку
Промсвязьбанк самара карты
АГРЕГАТНОЕ СОСТОЯНИЕ ВЕЩЕСТВ
Теорема сложения вероятностей
Юбилейные монеты россии 10 рублей каталог фото
Тосты на юбилей свадьбы
6. Особенности твердого состояния вещества
Образец рапорта на увольнение на пенсию
Смешанное соединение резисторов решение задач
Характеристика твердого состояния вещества
Крем от черных точек в домашних условиях
Задачи на расчет вероятности
Новости красноярска нгс 24
Свойства твердых веществ.
Элекс интернет магазин муром каталог товаров