Ссылка на файл: >>>>>> http://file-portal.ru/Схема логического элемента ттл/
Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ)
ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ ТТЛ / ТТЛШ: Базовые логические элементы. АНАЛИЗ АМПЛИТУДНО-ПЕРЕДАТОЧНЫХ (амплитудное ИЛИ СТАТИЧЕСКОЙ) ХАРАКТЕРИСТИКИ. Статические и динамические параметры.
Логические элементы
Сила воли ведет к действию, а позитивные действия формируют позитивное отношение. Как цель узнает о ваших желаниях прежде, чем вы начнете действовать. Как компании прогнозируют привычки и манипулируют ими. Применение, как принимать мумие? Мумие для волос, лица, при переломах, при кровотечении и т. Как победить свой возраст? Восемь уникальных способов, которые помогут достичь долголетия. Оси и плоскости тела человека - Тело человека состоит из определенных топографических частей и участков, в которых расположены органы, мышцы, сосуды, нервы и т. Отёска стен и прирубка косяков - Когда на доме не достаёт окон и дверей, красивое высокое крыльцо ещё только в воображении, приходится подниматься с улицы в дом по трапу. Дифференциальные уравнения второго порядка модель рынка с прогнозируемыми ценами - В простых моделях рынка спрос и предложение обычно полагают зависящими только от текущей цены на товар. Основу построения логических устройств любой степени сложности составляют так называемые базовые логические элементы, выполняющие простейшие логические операции, они присутствуют практически во всех современных сериях цифровых интегральных схем. Основой широко распространенной серии ИС транзисторно-транзисторной логики ТТЛ: К и усовершенствованные модификации К, К, К и др. Используется также название ключа — инвертор. Схема транзисторного ключа приведена на рис.. Кроме того, из-за инерционных свойств транзистора переход рабочей точки из одного состояния в другое происходит не мгновенно, поэтому необходимо учитывать переходный процесс переключения, влияющий на параметры выходного импульса коллекторного тока. В режиме насыщения ток коллектора макси-. Практически из-за технологического разброса h 21э , а также его нестабильности в температурном диапазоне реальный базовый ток должен быть больше теоретического значения, величина реального тока базы. Sназывают коэффициентом насыщения практически его величина лежит в пределах В состоянии отсечки сопротивление между коллектором и эмиттером транзистора велико, грубой аналогией в этом случае является разомкнутый механический тумблер. При этом напряжение на выходе в идеальном случае должно быть равно напряжению коллекторного питания если сопротивление нагрузки ключа бecконечно велико и трактуется как логическая единица. Однако из-за наличия теплового тока коллектора образуется напряжение на коллекторном резисторе и реальное напряжение на выходе будем. Напряжение I k 0 R k также называется остаточным параметром в режиме отсечки и характеризует неидеальность ключа в этом режиме. Кроме того, указанный режим накладывает ограничения НШ предельную величину резистора, ограничивающего базовый токи. Поскольку тепловой коллекторный ток создает напряжение на этом резисторе, причем его полярность является отпирающей для транзистора, то при слишком большой величине R б транзистор из состояния отсечки может перейти в активный режим, т. Очевидно, что величина R б должна быть ограничена сверху в соответствии с условием:. Переходный процесс переключения транзистора между указанными состояниями исследуется с помощью так называемого метода заряда в базе транзистора. Суть метода заключается в следующем: После очевидных преобразований получим:. Итак, имеем неоднородное дифференциальное уравнение первого порядка, аналогичное уравнениям, описывающим поведение. RС-цепей с одной реактивностью в переходном процессе. Решение таких уравнений рассматривается в курсе теоретических основ электротехники. Вид функции на рис. Из общего решения можно найти моменты времени t 1 , t 2 и их разность:. Временные диаграммы, поясняющие процесс переключения транзисторного ключа при подаче на его базу прямоугольного импульса тока и влияние переходного процесса на форму и параметры выходного коллекторного импульса тока, приведены на рис.. Так, для длительности переднего фронта получим:. Из полученного выражения следует, что для уменьшения длительности переднего фронта необходимо увеличивать степень насыщения транзистора на этапе включения. Таким образом, время включения транзистора при подаче отпирающего импульса тока в базу составит:. В данном случае необходимо уменьшить насыщение транзистора, чтобы ускорить процесс его выключения, т. Длительность заднего фронта выходного импульса найдем, предполагая, что его формирование закончилось при снижении величины заряда в базе до уровня 0,1Q н , тогда. Метод форсирующего конденсатора основан на свойстве конденсатора сохранять неизменным напряжение на нем в момент поступления переднего фронта входного импульса, т. Схема включения форсирующего конденсатора приведена на рис. По мере заряда конденсатора ток. Метод введения нелинейной отрицательной обратной связи с использованием диода Шоттки также обеспечивает разное насыщение транзистора в процессе его коммутации аналогично предыдущему случаю, однако технологически проще реализуем в интегральном исполнении. Особенностью диода Шоттки является малый порог срабатывания и высокое быстродействие, благодаря чему отрицательная обратная связь срабатывает раньше, чем транзистор ключа войдет в насыщение. Схеме ключа с диодом Шоттки представлена на рис. Падение напряжения на диоде Шоттки обеспечивает положительный потенциал коллектора относительно базы, предотвращая тем самым смещение коллекторно-базового перехода в прямом направлении и накопление избыточного заряда в базе. В современной схемотехнике ИС серии ТТЛ диод Шоттки интегрирован с транзистором ТТЛШ. Инвертор ключ на полевых транзисторах является основой! Ключ выполнен на двух полевых транзисторах с дополнительной симметрией К дополнительный , т. Переключение ключа происходит, когда входное напряжение превышает по модулю порог срабатывания транзисторов. На основе ключей на биполярных транзисторах строятся базовые логические элементы БЛЭ ИС серии ТТЛ: И—НЕ штрих Шеффера , ИЛИ — НЕ стрелка Пирса , на которых возможна реализация сложных логических устройств с наименьшими затратами аппаратных средств. Логический элемент И — НЕ имеет условное графическое обозначение, показанное на рис. Принцип работы и техническая реализация указанного элемента показаны на рис. Основой схемы является многоэмиттерный транзистор VT1, выполняющий операцию конъюнкции И , фактически он представляет собой интегрированный набор диодов: Операция НЕ реализуется транзисторами VT2, VT3, VT4 с одновременным усилением выходного сигнала. Диоды VD1, VD2 необходимы для повышения порогов срабатывания транзисторов VT2 и VT3 в целях их надежного запирания при низких уровнях входных напряжений. R4 обеспечивают допустимые режимы работы транзисторов по базовым и коллекторным токам транзисторов. Введем обозначения физических уровней логических 1 и 0 как Е 1 и Е 0 соответственно. Эмиттерный ток VT2 создает напряжение на резисторе R4, отпирающее транзистор VT4, тем самым вывод выхода оказывается соединенным с общей точкой через малое сопротивление между коллектором и эмиттером открытого VT4 и на выходе формируется низкое напряжение Е 0 логический 0. Таким образом, приведенная схема реализует таблицу истинности логической операции штрих Шеффера. Типичным представителем рассмотренного базового логического элемента является микросхема серии ТТЛ — КЛАЗ, содержащая четыре двухвходовых элемента И — НЕ. Практически с учетом влияния температуры внешней среды считается допустимой помеха не более 0,6 В;. Следует отметить, что элементы серии ТТЛ чувствительны к величине внутреннего сопротивления источника входного сигнала R i. Как компании прогнозируют привычки и манипулируют ими Целительная привычка Как самому избавиться от обидчивости Противоречивые взгляды на качества, присущие мужчинам Тренинг уверенности в себе Вкуснейший "Салат из свеклы с чесноком" Натюрморт и его изобразительные возможности Применение, как принимать мумие? Как научиться брать на себя ответственность Зачем нужны границы в отношениях с детьми? Световозвращающие элементы на детской одежде Как победить свой возраст? Восемь уникальных способов, которые помогут достичь долголетия Как слышать голос Бога Классификация ожирения по ИМТ ВОЗ Глава 3. Завет мужчины с женщиной Оси и плоскости тела человека - Тело человека состоит из определенных топографических частей и участков, в которых расположены органы, мышцы, сосуды, нервы и т. Базовый логический элемент И —НЕ серии ТТЛ 1 2.
Найти производные первого порядка функции
21 декабря события
Скачать гугл плей на мейзу м3 нот
Базовый логический элемент И —НЕ серии ТТЛ
Где заказать генплан земельного участка
Схема подключения пускорегулирующего аппарата
Don t hate meditate перевод
Реализация логических элементов
Стихи про педиатров прикольные
Батл филд 3
2.3. Элементы ттл, ттлш
44 фз статья по размещению извещения
Стихи про детскую улыбку короткие
Схема электропроводки ява 638
Транзисторно−транзисторная логика (ТТЛ)
Слабительное микролакс инструкция по применению