Режимы работы биполярного транзистора с общим эмиттером - Биполярные транзисторы: схемы включения. Схема включения биполярного транзистора с общим эмиттером
Биполярные транзисторы
Схемы включения биполярных транзисторов
Биполярный транзистор
Режимы работы биполярного транзистора
Биполярные транзисторы
Режимы работы биполярного транзистора
Применяется в электронных устройствах для усиления или генерации электрических колебаний, а также в качестве коммутирующего элемента например, в схемах ТТЛ. Биполярный транзистор состоит из трёх полупроводниковых слоёв с чередующимся типом примесной проводимости: К каждому из слоёв подключены проводящие невыпрямляющие контакты [1]. С точки зрения типов проводимостей эмиттерный и коллекторный слои не различимы, но при изготовлении они существенно различаются степенью легирования для улучшения электрических параметров прибора. Коллекторный слой легируется слабо, что повышает допустимое коллекторное напряжение. Кроме того, сильное легирование эмиттерного слоя обеспечивает лучшую инжекцию неосновных носителей в базовый слой, что увеличивает коэффициент передачи по току в схемах с общей базой. Слой базы легируется слабо, так как располагается между эмиттерным и коллекторным слоями и должен иметь большое электрическое сопротивление. Общая площадь перехода база-эмиттер выполняется значительно меньше площади перехода коллектор-база, что увеличивает вероятность захвата неосновных носителей из базового слоя и улучшает коэффициент передачи. Так как в рабочем режиме переход коллектор-база обычно включён с обратным смещением, в нём выделяется основная доля тепла, рассеиваемого прибором, и повышение его площади способствует лучшему охлаждению кристалла. Поэтому на практике биполярный транзистор общего применения является несимметричным устройством то есть инверсное включение, когда меняют местами эмиттер и коллектор, нецелесообразно. Но при снижении толщины базы снижается предельное коллекторное напряжение, поэтому толщину базового слоя выбирают исходя из разумного компромисса. В первых транзисторах в качестве полупроводникового материала использовался металлический германий. Благодаря очень высокой подвижности носителей в арсениде галлия приборы на его основе обладают высоким быстродействием и используются в сверхбыстродействующих логических схемах и в схемах СВЧ - усилителей. В активном усилительном режиме работы транзистор включён так, что его эмиттерный переход смещён в прямом направлении [2] открыт , а коллекторный переход смещён в обратном направлении закрыт. В транзисторе типа n-p-n [3] основные носители заряда в эмиттере электроны проходят через открытый переход эмиттер-база инжектируются в область базы. Часть этих электронов рекомбинирует с основными носителями заряда в базе дырками. Сильное электрическое поле обратносмещённого коллекторного перехода захватывает неосновные носители из базы электроны и переносит их в коллекторный слой. Чем больше коэффициент, тем эффективней транзистор передаёт ток. Этот коэффициент мало зависит от напряжения коллектор-база и база-эмиттер. Оба p-n перехода смещены в прямом направлении оба открыты. Если эмиттерный и коллекторный р-n -переходы подключить к внешним источникам в прямом направлении, транзистор будет находиться в режиме насыщения. Диффузионное электрическое поле эмиттерного и коллекторного переходов будет частично ослабляться электрическим полем, создаваемым внешними источниками Uэб и Uкб. В результате уменьшится потенциальный барьер, ограничивавший диффузию основных носителей заряда, и начнётся проникновение инжекция дырок из эмиттера и коллектора в базу, то есть через эмиттер и коллектор транзистора потекут токи, называемые токами насыщения эмиттера I Э. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер U КЭ. Аналогично напряжение насыщения база-эмиттер U БЭ. В данном режиме коллекторный p-n переход смещён в обратном направлении, а на эмиттерный переход может быть подано как обратное, так и прямое смещение, не превышающее порогового значения, при котором начинается эмиссия неосновных носителей заряда в область базы из эмиттера для кремниевых транзисторов приблизительно 0,6—0,7 В. В данном режиме база транзистора по постоянному току соединена накоротко или через небольшой резистор с его коллектором , а в коллекторную или в эмиттерную цепь транзистора включается резистор, задающий ток через транзистор. В таком включении транзистор представляет собой своеобразный диод, включенный последовательно с токозадающим резистором. Подобные схемы каскадов отличаются малым количеством комплектующих, хорошей развязкой по высокой частоте, большим рабочим диапазоном температур, нечувствительностью к параметрам транзисторов. Параметры транзистора делятся на собственные первичные и вторичные. Собственные параметры характеризуют свойства транзистора, независимо от схемы его включения. В качестве основных собственных параметров принимают:. Вторичные параметры различны для различных схем включения транзистора и, вследствие его нелинейности, справедливы только для низких частот и малых амплитуд сигналов. Для вторичных параметров предложено несколько систем параметров и соответствующих им эквивалентных схем. Изменение входного тока является результатом изменения входного напряжения, без влияния обратной связи от выходного напряжения. Коэффициент обратной связи по напряжению показывает, какая доля выходного переменного напряжения передаётся на вход транзистора вследствие обратной связи в нём. Во входной цепи транзистора нет переменного тока, и изменение напряжения на входе происходит только в результате изменения выходного напряжения. Коэффициент передачи тока коэффициент усиления по току показывает усиление переменного тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения. Выходной ток изменяется под влиянием выходного напряжения. В зависимости от схемы включения транзистора к цифровым индексам h-параметров добавляются буквы: Например, для данной схемы:. С повышением частоты заметное влияние на работу транзистора начинает оказывать ёмкость коллекторного перехода C к. Сопротивление эмиттерного перехода C э также снижается, однако он шунтируется малым сопротивлением перехода r э и в большинстве случаев может не учитываться. Биполярные СВЧ-транзисторы БТ СВЧ служат для усиления колебаний с частотой свыше 0,3 ГГЦ [7]. Верхняя граница частот БТ СВЧ с выходной мощностью более 1 Вт составляет около 10 ГГц. Большинство мощных БТ СВЧ по структуре относится к n-p-n типу [8]. По методу формирования переходов БТ СВЧ являются эпитакcиально-планарными. Все БТ СВЧ, кроме самых маломощных, имеют многоэмиттерную структуру гребёнчатую, сетчатую [9]. По мощности БТ СВЧ разделяются на маломощные рассеиваемая мощность до 0,3 Вт , средней мощности от 0,3 до 1,5 Вт и мощные свыше 1,5 Вт [10]. Выпускается большое число узкоспециализированных типов БТ СВЧ [10]. Материал из Википедии — свободной энциклопедии. Обозначение биполярных транзисторов на схемах. Направление стрелки показывает направление тока через эмиттерный переход, и служит для идентификации n-p-n и p-n-p транзисторов. Усилительный каскад с общей базой. Каскад с общим эмиттером. Эквивалентная схема биполярного транзистора с использованием h -параметров. Резистор Переменный резистор Подстроечный резистор Варистор Фоторезистор Конденсатор Переменный конденсатор Подстроечный конденсатор Катушка индуктивности Кварцевый резонатор Предохранитель Самовосстанавливающийся предохранитель Трансформатор Мемристор Бареттер. Диод Светодиод Фотодиод Полупроводниковый лазер Диод Шоттки Стабилитрон Стабистор Варикап Вариконд Магнитодиод Диодный мост Лавинный диод Лавинно-пролётный диод Туннельный диод Диод Ганна Транзистор Биполярный транзистор Полевой транзистор КМОП-транзистор Однопереходный транзистор Фототранзистор Составной транзистор Баллистический транзистор Интегральная схема Цифровая интегральная схема Аналоговая интегральная схема Аналого-цифровая интегральная схема Гибридная интегральная схема Тиристор Симистор Динистор Фототиристор Оптрон Резисторная оптопара Датчик Холла. Электронная лампа Электровакуумный диод Триод Маячковая лампа Тетрод Лучевой тетрод Пентод Гексод Гептод Пентагрид Октод Нонод Механотрон Клистрон Магнетрон Амплитрон Платинотрон Электронно-лучевая трубка Лампа бегущей волны Лампа обратной волны Тиратрон Кенотрон Игнитрон. Электронно-лучевая трубка ЖК-дисплей Светодиод Газоразрядный индикатор Вакуумно-люминесцентный индикатор Блинкерное табло Семисегментный индикатор Матричный индикатор Кинескоп. Микрофон Громкоговоритель Тензорезистор Пьезокерамический излучатель. Терморезистор Термопара Элемент Пельтье. Страницы, использующие волшебные ссылки ISBN. Навигация Персональные инструменты Вы не представились системе Обсуждение Вклад Создать учётную запись Войти. Пространства имён Статья Обсуждение. Просмотры Читать Править Править вики-текст История. В других проектах Викисклад. Эта страница последний раз была отредактирована 1 июня в Текст доступен по лицензии Creative Commons Attribution-ShareAlike ; в отдельных случаях могут действовать дополнительные условия. Свяжитесь с нами Политика конфиденциальности Описание Википедии Отказ от ответственности Разработчики Соглашение о cookie Мобильная версия.
Галакси эйс 2 характеристика
Паспортный стол вязьма график работы
Военная мелодия без авторских прав
Установить minecraft 1.8 8
Выпечка без проблем
Front camera перевод