Ссылка на файл: >>>>>> http://file-portal.ru/Таблица полупроводниковых диодов/
Диоды справочник
Полупроводниковые диоды.
Разновидности полупроводниковых диодов и их применение
Полупроводниковым диодом называют электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом, имеющим два вывода. В качестве выпрямляющего электрического перехода используется электронно-дырочный р-n переход П , разделяющий р- и n-области кристалла полупроводника рис. К р- и n-области кристалла привариваются или припаиваются металлические выводы, и вся система заключается в металлический, металлокерамический, стеклянный или пластмассовый корпус. По конструктивному выполнению различают точечные и плоскостные диоды. Широкое применение диоды получили в источниках вторичного электропитания выпрямителях. Одна из полупроводниковых областей кристалла, имеющая более высокую концентрацию примесей а следовательно, и основных носителей заряда , называется эмиттером, а вторая, с меньшей концентрацией — базой. При отсутствии внешнего напряжения, приложенного к выводам диода, в результате встречной диффузии дырок из р- в n-область и электронов из n- в р-область в объеме полупроводникового кристалла, расположенного вблизи границы раздела двух областей с различной проводимостью, окажутся некомпенсированными заряды неподвижных ионов примесей акцепторов для р-области и доноров для n-области , которые по обе стороны раздела полупроводникового кристалла создадут область объемного заряда рис. Для сохранения электрической нейтральности полупроводниковой структуры количество диффундируемых через р-n-переход основных носителей заряда из одной области должно равняться количеству диффундируемых основных носителей заряда из другой области. С учетом того, что концентрация электронов n n в базе значительно меньше концентрации дырок p p в эмиттере, область объемного заряда со стороны базы будет больше, чем со стороны эмиттера, как это показано на рис. Образованный в результате встречной диффузии объемный заряд создает напряженность E зар электрического поля, препятствующего дальнейшей встречной диффузии основных носителей зарядов. Схема включения полупроводникового диода и пространственное распределение объемных зарядов р-n-перехода в отсутствие внешнего напряжения. Диффузия практически прекращается, когда энергия носителей заряд недостаточна, чтобы преодолеть созданный потенциальный барьер. Если к выводам диода приложить прямое напряжение, как это показано на рис. Если к выводам диода приложить обратное напряжение -U , то создаваемая им напряженность -Е электрического поля, совпадая по направлению с напряженностью E зар объемного заряда, повышает потенциальный барьер и препятствует переходу основных носителей заряда в соседнюю область. Однако суммарная напряжеяностъ электрических полей способствует извлечению экстракции неосновных носителей заряда: Количество неосновных носителей заряда значительно изменяется при изменении температуры, возрастая с ее повышением. Поэтому обратный ток, образованный за счет неосновных носителей, называют тепловым током I 0. Вольт-амперная характеристика ВАХ диода имеет вид, приведенный на рис. При определенном значении напряжения U обр начинается лавинообразный процесс нарастания тока I обр , соответствующий электрическому пробою р-n-перехода отрезок АВ на рис. Если в этот момент ток не ограничить, электрический пробой переходит в тепловой участок ВАХ после точки В. Такая последовательность лавинообразного процесса нарастания тока I обр характерна для кремниевых диодов. Для германиевых диодов с увеличением обратного напряжения тепловой пробой р-n-перехода наступает практически одновременно с началом лавинообразного процесса нарастания тока I обр. Электрический пробой обратим, т. Тепловой пробой необратим, так как разрушает р-n-переход. Прямой ток диода также зависит от температуры окружающей среды, возрастая с ее повышением, хотя и в значительно меньшей степени, чем обратный ток. Характер изменения прямой ветви ВАХ при изменении температуры показан на рис. Сопротивления и емкости диода. Полупроводниковый диод характеризуется статическим и дифференциальным динамическим сопротивлениями, легко определяемыми по ВАХ. Дифференциальное сопротивление численно равно отношению бесконечно малого приращения напряжения к соответствующему приращению тока в заданном режиме работы диода и может быть определено графически как тангенс угла наклона касательной в рассматриваемой рабочей точке Е к оси абсцисс см. Часто представляют интерес не приращения напряжения и тока в окрестности некоторой заданной точки, а сами напряжение и ток в данном элементе. При этом совершенно безразлично, какова характеристика диода вблизи выбранной рабочей точки. В этом случае удобно пользоваться статическим сопротивлением, которое равно отношению напряжения на элементе U E к протекающему через него току I E рис. Как видно из рисунка, это сопротивление равно тангенсу угла наклона прямой, проведенной из начала координат через заданную рабочую точку ВАХ, к оси абсцисс:. В зависимости от того, на каком участке ВАХ расположена заданная рабочая точка, значение R ст , может быть меньше или больше значения R диф или равно ему. Однако R ст всегда положительно, в то время как R диф может быть и отрицательным. У элементов, имеющих линейные ВАХ, статическое и дифференциальное сопротивления равны. При работе на высоких частотах и в импульсных режимах начинает играть роль емкость диода С Д , измеряемая между выводами диода при заданных значениях напряжения и частоты. Эта емкость включает диффузионную емкость С диф , зарядную барьерную емкость С зар и емкость С к корпуса диода:. Диффузионная емкость возникает при прямом напряжении диода в приконтактном слое р-n-перехода за счет изменения количества диффундируемых дырок и электронов при изменении прямого напряжения. Зарядная емкость возникает при обратном напряжении и обусловлена изменением объемного заряда. Выпрямительный диод , условное графическое обозначение которого приведено на рис. В качестве исходного материала при изготовлении выпрямительных диодов используют германий и кремний. Выпрямительный диод представляет собой электронный ключ, управляемый приложенным к нему напряжением. При прямом напряжении ключ замкнут, при обратном — разомкнут. Однако в обоих случаях этот ключ не является идеальным. При подаче прямого напряжения U пр ключ обладает небольшим дифференциальным сопротивлением. Поэтому за счет падения напряжения U пр на открытом диоде выпрямленное напряжение, снимаемое с нагрузочного устройства, несколько ниже входного напряжения U пр не превышает у германневых диодов 0,5 В, а у кремниевых 1,5 В; часто за величину U пр для кремниевых диодов принимается напряжение 0,7 В. Iпр ср max — максимальное за период входного напряжения значение среднего прямого тока диода;. В качестве выпрямительных применяются также диоды, выполненные на выпрямляющем переходе металл-полупроводник диоды Шотки. Их отличает меньшее, чем у диодов с р-n-переходом, напряжение U пр и более высокие частотные характеристики. Импульсный диод — полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходных процессов и использующий, так же как и выпрямительный диод, при своей работе прямую и обратную ветви ВАХ. Длительность переходных продресов в диоде рис. Последнее явление определяет быстродействие диодов и характеризуется специальным параметром — временем восстановления t вос его обратного сопротивления. Время восстановления равно интервалу времени между моментом переключения напряжения на диоде с прямого на обратное и моментом, когда обратный ток, который в момент переключения напряжения paвен прямому току, достигнет своего минимального значения. Поэтому кроме параметров I пр ср max , U обр , U пр характеризующих выпрямительные свойства, для импульсных диодов вводится параметр t вос , характеризующий быстродействие. Для повышения быстродействия уменьшения t вос импульсные диоды изготовляют в виде точечных структур, что обеспечивает минимальную площадь, р-n-перехода, а следовательно, и минимальное значение зарядной емкости C зар. Одновременно толщину базы делают минимально возможной для достижения минимального времени восстановления диодов. Сверхвысокочастотный диод СВЧ-диод — полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования и обработки высокочастотного сигнала до десятков и сотен ГГц. Сверхвысокочастотные диоды широко применяются при генерации и усилении электромагнитных колебаний СВЧ-диапазона, умножении частоты, модуляции, регулировании и ограничении сигналов и т. Типичными представителями данной группы диодов являются смесительные получение сигнала суммы или разности двух частот , детекторные выделение постоянной составляющей СВЧ-сигнала и переключательные управление уровнем мощности сверхвысокочастотного сигнала диоды. Условное графическое обозначение импульсных и СВЧ-диодов аналогично обозначению выпрямительных диодов рис. Стабилитрон и стабистор применяются в нелинейных цепях постоянного тока для стабилизации напряжения. Отличие стабилитрона от стабистора заключается в используемой ветви ВАХ для стабилизации напряжения. Как видно из рис. Применяемые для этой цели диоды называют стабилитронами. Условное обозначение стабилитрона и стабистора показано на рис. Стабилитроны и стабисторы изготовляют, как правило, из кремния. При использовании высоколегированного кремния высокая концентрация примесей, а следовательно, и свободных носителей заряда напряжение стабилизации понижается, а с уменьшением степени легирования кремния — повышается. Соответственно различают низко- и высоковольтные стабилитроны с напряжением стабилизации от 3 до В. В схемах двуполярной стабилизации напряжения применяется симметричный стабилитрон, условное графическое обозначение которого показано на рис. Варикап — полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости зарядной емкости C зар от значения приложенного напряжения. Это позволяет применять варикап в качестве элемента с электрически управляемой емкостью. Основной характеристикой варикапа служит вольт-фарадная характеристика рис. В выпускаемых промышленностью варикапах значение емкости C В может изменяться от единиц до сотен пикофарад. Зависимость параметров варикапа от температуры характеризуется температурным коэффициентом емкости. Излучающий диод — полупроводниковый диод, излучающий из области р-n-перехода кванты энергии. Излучение испускается через прозрачную стеклянную пластину, размещенную в корпусе диода. По характеристике излучения излучающие диоды делятся на две группы: Принцип действия обеих групп диодов одинаков и базируется на самопроизвольной рекомбинации носителей заряда при прямом токе через выпрямляющий электрический переход. Из курса физики известно, что рекомбинация носителей заряда сопровождается освобождением кванта энергии. Спектр частот последней определяется типом исходного полупроводникового материала. Основными материалами для изготовления светодиодов служат фосфид галлия, арсенид-фосфид галлия, карбид кремния. Большую часть энергии, выделяемой в этих материалах при рекомбинации носителей заряда, составляет тепловая энергия. На долю энергии видимого излучения в лучшем случае приходится Поэтому кпд светодиодов невелик. Исходными материалами для изготовления ИК-диодов являются арсенид и фосфид галлия. Полная мощность излучения этой группы диодов лежит в пределах от единиц до сотен милливатт при напряжении на диоде 1, Светодиоды применяют в качестве световых индикаторов, а ИК-диоды — в качестве источников излучения в оптоэлектронных устройствах. Поделиться Поиск по сайту. Предыдущая 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 Следующая. Интересно знать Усиление отдельно стоящих фундаментов Светочувствительный аппарат глаза Класс Земноводные, или Амфибии Упражнения на перекладине Советы для родителей Память и ее тренировка Как защитить себя ВКонтакте? Категории Архитектура Биология География Искусство История Информатика Маркетинг Математика Медицина Менеджмент Охрана труда Политика Правоотношение Разное Социология Строительство Физика Философия Финансы Химия Экология Экономика. Орг - год. Материал предоставляется для ознакомительных и учебных целей.
Неостомозан 5 мл инструкция по применению
Легкая дисфункция диэнцефальных структур мозга
Препарат сиалор инструкция
Расчет измерительных преобразователей. Полупроводниковый диод
Храмы воронежа расписание служб
Как изменять мир в майнкрафт
Ташкент москва поезд расписание прибытие сегодня
Таблица 2.11 ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Сколько приблизительно стоят акции павловопосадской платочной мануфактуры
Как научиться подтягиваться в гравитроне
ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры
Образец заполнения формы 107 1 у
Как выглядит молозиво у беременных фото
Сирия новости 16 июня 2017
Классификация и система обозначений полупроводниковых диодов
Бизнес план общепита