Отечественные биполярные транзисторы
Справочник по биполярным транзисторам
Параметры отечественных биполярных транзисторов
В этом трехвыводном полупроводнике искусственно создан p-n переход, называемый инжектором. Этим барьером кристалл полупроводника делится как бы на две части базы. Поэтому однопереходный транзистор можно условно назвать двухбазовым диодом. На этой странице вы сможете найти различные справочные данные на однопереходные транзисторы. Если средняя область имеет электронную проводимость типа п, а две крайние дырочную типа р, то такой транзистор имеет структуру р-п-р в отличие от транзисторов п-р-п, имеющих среднюю область с дырочной, а крайние области с электронной проводимостями. Одна крайняя область 2 с р-проводимостью, инжектирующая эмиттирующая неосновные носители заряда, называется эмиттером, а другая 3, осуществляющая экстракцию выведение носителей заряда из базы, — коллектором. База отделена от эмиттера и коллектора эмиттерным 4 и коллекторным 5 р-п-переходами. От базы 1, эмиттера 2 и коллектора 3 сделаны металлические выводы Б, Э, К , которые проходят через изоляторы в дне корпуса. Транзисторы изготовляют в герметичных металлостеклянных, металлокерамических или пластмассовых корпусах, а также без корпусов. Бескорпусные транзисторы защищены от влияния внешней среды слоем лака, смолы, легкоплавкого стекла и герметизируются совместно с устройством, в котором они предварительно монтируются. Применение точечных переходов из-за нестабильности работы ограничено. Базовая область транзисторов выполняется с очень малой толщиной от 1 до 25 мкм. Различна степень легирования областей. Концентрация примесей в эмиттере на несколько порядков выше, чем в базе. Степень легирования базы и коллектора зависит от типа транзистора. В рабочем режиме к электродам транзисторов подключают постоянные напряжения внешних источников энергии. Помимо постоянных напряжений, к электродам подводят сигналы, подлежащие преобразованию. В связи с этим различают входную цепь, в которую подводят сигнал, и выходную, в которой с нагрузки снимают сигнал. В зависимости от того, какой из электродов при включении транзистора является общим для входной и выходной цепей, различают схемы с общей базой ОБ, общим эмиттером ОЭ и общим коллектором ОК. Физические процессы, протекающие в транзисторах со структурой р-п-р и п-р-п, одинаковы. В транзисторах п-р-п в отличие от транзисторов р-п-р подается напряжение обратной полярности и токи имеют противоположное направление. В зависимости от полярности напряжений, приложенных к эмиттерному и коллекторному переходам, различают активный, отсечки, насыщения и инверсный режимы включения транзистора. Активный режим используется при усилении слабых сигналов. В этом режиме на эмиттерный переход подается прямое, а на коллекторный— обратное напряжение. В активном режиме эмиттер инжектирует в область базы неосновные для нее носители, а коллектор производит экстракцию выведение неосновных носителей из базовой области. В режиме отсечки к обоим переходам подводятся обратные напряжения, при которых ток через транзистор ничтожно мал. В режиме насыщения оба перехода транзистора находятся под прямым напряжением; в обоих переходах происходит инжекция носителей; транзистор превращается в двойной диод; ток в выходной цепи максимален при выбранном значении нагрузки и не управляется током входной цепи; транзистор полностью открыт. В режимах отсечки и насыщения обычно используется транзистор в схемах электронных переключателей. В инверсном режиме меняют функции эмиттера и коллектора, подключив к коллекторному переходу прямое, а к эмиттерному—-обратное напряжение. Однако из-за несимметрии структуры и различия концентрации носителей в областях коллектора и эмиттера инверсное включение транзистора неравноценно его нормальному включению в активном режиме. Мануалы Справочник Программы Радиосамоделки Медтехника Библиотека. Транзисторы отечественные биполярные Подборка справочных данных на отечественные биполярные транзисторы.
Мастурбация влагалища оргазм вытекает крупный план hd
Что делать если удалена учетная запись администратора
Стригущий лишай на шее
Транзисторы отечественные биполярные
Институты уголовного права рф
Лечение черным перцем горошком
Где найти хорошего мастера по снятию порчи
Параметры отечественных биполярных транзисторов
Кодификация советского права в 1922 1923 гг
Расписание автобуса 33 мишнево
Справочник по биполярным транзисторам
Расписание электричек жбк 2 казань
Какой рост у путина
Краткая история забайкалья
Справочник по биполярным транзисторам
Nokia 6288 характеристики