Skip to content

Instantly share code, notes, and snippets.

Show Gist options
  • Star 0 You must be signed in to star a gist
  • Fork 0 You must be signed in to fork a gist
  • Save anonymous/5a6430c0378c2b3a6e5ac49c64a5ba93 to your computer and use it in GitHub Desktop.
Save anonymous/5a6430c0378c2b3a6e5ac49c64a5ba93 to your computer and use it in GitHub Desktop.
Объемное сопротивление эмиттера

Объемное сопротивление эмиттера



Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода r к определяется как. Из приведенного соотношения следует, что в явном виде ток коллектора I к от напряжения на коллекторе U к не зависит. Проанализируем возможность зависимости коэффициента передачи a от напряжения на коллекторе U к. Эта зависимость может проявиться через следующие цепочки: С учетом изложенного получим следующие выражения для расчета дифференциального сопротивления коллекторного перехода:. Рассмотрим, как модуляция ширины базы влияет на коэффициент передачи a. Выражение для коэффициента передачи a имеет следующий вид:. При изменении напряжения на коллекторе U к меняется ширина обедненной области , а следовательно, и ширина базы биполярного транзистора W. Этот эффект обуславливает конечное значение дифференциального сопротивления коллекторного перехода. Более подробно соотношение 5. С учетом сказанного получаем выражение для дифференциального сопротивления коллекторного перехода:. Рассчитаем для примера численное значение сопротивления коллекторного перехода r к при следующих параметрах биполярного транзистора на основе кремния Si:. Коллекторные характеристики биполярного транзистора в схеме с общей базой,. Коэффициент обратной связи по напряжению в биполярном транзисторе в схеме с общей базой показывает, как изменится напряжение на эмиттерном переходе при единичном изменении напряжения на коллекторном переходе при условии, что ток эмиттера поддерживается постоянным:. Ненулевое значение коэффициента обратной связи также обусловлено эффектом Эрли. Аналогично, как и для коллекторного напряжения, распишем цепочку, показывающую взаимосвязь параметров. Таким образом, если поставлено условие: Физически наличие обратной связи по напряжению в биполярном транзисторе в схеме с общей базой обусловлено эффектом модуляции ширины базы. Получим выражение для коэффициента обратной связи. Учтем, что , так как градиент постоянен. Таким образом, выражение для коэффициента обратной связи по напряжению m эк в биполярном транзисторе в схеме с общей базой в зависимости от конструктивно-технологических параметров имеет следующий вид:.


Аншлаг 17.06 2017
Схемы вязания пальтос капюшономс описанием
Шьем сами спортивную одежду
Sign up for free to join this conversation on GitHub. Already have an account? Sign in to comment