= = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = =
Файл: >>>>>> Скачать ТУТ!
= = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = =
Основные характеристики и параметры диодов
Полупроводниковый диод
Полупроводниковые диоды. Общие характеристики диодов
Диод — это электропреобразовательный полупроводниковый прибор ПП с одним электрическим переходом и двумя выводами рис. База Б и эмиттер Э с помощью базового БЭ и эмиттерного ЭЭ электродов, обеспечивающих омические контакты с n- и p-областями, соединяются с металлическими выводами В, посредством которых диод включается во внешнюю цепь. Принцип работы большинства диодов основан на использовании физических явлений в электрическом переходе, таких, как асимметрия вольт-амперной характеристики, пробой электронно-дырочного перехода, зависимость барьерной емкости от напряжения и т. Плоскостным называют р-n-переход, линейные размеры которого, определяющие его площадь, значительно больше толщины. К точечным относят переходы, размеры которых, определяющие их площадь, меньше толщины области объемного заряда. Плоскостные диоды малой и средней мощности выполняются обычно со сплавным p-n-переходом. Сплавной р-n-переход в германиевых диодах рис. При этом расплавленный индий частично диффундирует в германий, придавая близлежащей области кристалла германия дырочную проводимость. Область с дырочной проводимостью р-типа имеет очень низкое удельное сопротивление и является эмиттером по отношению к более высокоомному кристаллу полупроводника n-типа — базе диода. Устройство германиевого плоскостного диода показано на рис. Кремниевые плоскостные диоды получаются путем вплавления алюминия в кристалл кремния. В мощных плоскостных диодах p-n-переход чаще выполняется путем диффузии из газовой фазы атомов примеси в кристалл полупроводника. При диффузионном методе обеспечивается лучшая воспроизводимость параметров диодов. Мощные диоды часто выполняются с охлаждающими радиаторами. В точечных диодах рис. Переход создается за счет пропускания коротких и мощных импульсов прямого тока через диод. При этом острие контактной пружины сплавляется с кристаллом, и вблизи места сплавления за счет диффузии расплавленного металла острия в кристалл получается область полупроводника p-типа. Точечные диоды вследствие малой площади p-n-перехода выпускаются на малые токи. Теоретические вольт-амперные характеристики n-p-перехода и полупроводникового диода рис. В области прямых токов это объясняется тем, что часть внешнего напряжения, приложенного к выводам диода, падает на объемном омическом сопротивлении базы r б , которое определяется ее геометрическими размерами и удельным сопротивлением исходного материала. Его величина может лежать в пределах от единиц до нескольких десятков ом. Падение напряжения на сопротивлении r б становится существенным при токах, превышающих единицы миллиампер. Кроме того, часть напряжения падает на сопротивлении выводов. В результате, напряжение непосредственно на n-р-переходе будет меньше напряжения, приложенного к внешним выводам диода. Реальная характеристика идет ниже теоретической и становится почти линейной. Реальная ВАХ в области прямых напряжений описывается выражением:. Необходимо заметить, что сопротивление базы r б зависит от величины прямого тока диода, поэтому вольт-амперная характеристика и в области больших токов является нелинейной функцией. При увеличении обратного напряжения ток диода не остается постоянным и равным току I 0. Одной из причин увеличения тока является термическая генерация носителей заряда в переходе, не учтенная при выводе выражения для теоретической ВАХ. Составляющая обратного тока через переход, зависящая от количества генерируемых в переходе носителей, называется током термогенерации I тг. С ростом обратного напряжения переход расширяется, количество генерируемых в нем носителей растет и ток I тг также увеличивается. Другой причиной увеличения обратного тока является конечная величина проводимости поверхности кристалла, из которого изготовлен диод. Этот ток называется током утечки I у. В современных диодах он всегда меньше термотока. Таким образом, обратный ток в диоде, обозначаемый I обр , определяется как сумма токов:. Каждый тип диодов характеризуется параметрами — величинами, определяющими основные свойства приборов, а также имеет отличные от других вольт-амперные характеристики. Различают параметры, которыми характеризуется любой полупроводниковый диод, и специальные, присущие только отдельным диодам. Предельный режим работы диодов характеризуют максимально допустимые параметры — параметры, которые обеспечивают заданную надежность и значения которых не должны превышаться при любых условиях эксплуатации:. Допустимая рассеиваемая мощность Р mах определяется тепловым сопротивлением диода R т , допустимой температурой перехода Т п mах и температурой окружающей среды Т о в соответствии с соотношением:. Максимально допустимый прямой ток можно определить по заданной, максимально допустимой мощности:. Обратное максимально допустимое напряжение U обр. Оно ограничивается пробивным напряжением:. Дифференциальное сопротивление r диф равно отношению приращения напряжения на диоде к вызвавшему его малому приращению тока через диод:. При более низких температурах ухудшаются электрические и механические свойства полупроводниковых кристаллов и элементов конструкций диодов. При более высоких температурах происходит вырождение полупроводника: Г или 1 — германий; К или 2 — кремний; А или 3 — соединения галлия;. Для полупроводниковых диодов с малыми размерами корпуса используется цветная маркировка в виде меток, наносимых на корпус прибора. Общие характеристики диодов Опубликовано Запись опубликована в рубрике Физика. Добавьте в закладки постоянную ссылку.
Полупроводниковым диодом называется электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом, имеющим два вывода. Полупроводниковый диод — полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами электродами. В отличие от других типов диодов, принцип действия полупроводникового диода основывается на явлении p-n -перехода. Электрод диода, подключённый к положительному полюсу источника тока, когда диод открыт то есть имеет маленькое сопротивление , называют анодом , подключённый к отрицательному полюсу — катодом. Ток в цепи анода лампы зависит от температуры накала нити, т. Если положительное напряжение на аноде мало, то он притягивает небольшое количество электронов и ток в анодной цепи имеет малое значение. С повышением напряжения на аноде ток в цепи увеличивается. Буквами p и n обозначены слои полупроводника с проводимостями соответственно p-типа и n-типа. В контактирующих слоях полупроводника область p-n-перехода на рис. В итоге в приграничных областях слоя p и слоя n возникает так называемый обедненный слой, в котором мала концентрация подвижных носителей заряда электронов и дырок. Обедненный слой имеет большое удельное сопротивление. Ионы примесей обедненного слоя не компенсированы дырками или электронами. В совокупности ионы образуют некомпенсированные объемные заряды, создающие электрическое поле с напряженностью Е. Это поле препятствует переходу дырок из слоя p в слой n и переходу электронов из слоя n в слой p. Оно создает так называемый дрейфовый поток подвижных носителей заряда, перемещающий дырки из слоя n в слой p и электроны из слоя p в слой n. Таким образом, в зависимости от полярности проходящего через диод тока, проводимость диода существенно изменяется, приводя к изменению величину проходящего тока. Диодом называют электронный прибор с резко выраженной односторонней проводимость электрического тока: Это основное свойство диода будет, в частности, использоваться для преобразования переменного тока электроосветительной сети в ток постоянный, необходимый для питания устройств электронной автоматики. Схематическое устройство и условное графическое обозначение полупроводникового диода показаны на рисунке. Границу между ними называют p-n переходом. Область p-типа исходного полупроводника такого прибора является анодом положительным электродом , а область n-типа — катодом отрицательным электродом диода. Если к диоду VD через лампу накаливания HL подключить батарею GB так, чтобы вывод положительного полюса батареи был соединен с анодом, а вывод отрицательного полюса с катодом диода рис а , тогда в образовавшейся электрической цепи появится ток, о чем будет сигнализировать загоревшаяся лампа HL. Максимальное значение этого тока зависит от сопротивления p-n перехода диода и поднного на него постоянного напряжения. Такое состояние диода называют открытым, ток, текущий через него,— прямым током Iпр, а поданное на него напряжение, благодаря которому диод оказался в открытом состоянии,— прямым напряжением Uпр. Если полюсы батареи GB поменять местами, как показано на рис. Небольшой ток через p-n переход диода в обратном направлении все же пойдет, но по сравнению с прямым током будет столь незначительным, что нить накала лампы даже не среагирует. Такой ток называют обратым током Iобр, а напряжение, создающее его,— обратным напряжением Uобр. Предельный режим работы диодов характеризуют максимально допустимые параметры — параметры, которые обеспечивают заданную надежность и значения которых не должны превышаться при любых условиях эксплуатации:. Допустимая рассеиваемая мощность Р mах определяется тепловым сопротивлением диода R т , допустимой температурой перехода Т п mах и температурой окружающей среды Т о в соответствии с соотношением:. Максимально допустимый прямой ток можно определить по заданной, максимально допустимой мощности:. Обратное максимально допустимое напряжение U обр. Дифференциальное сопротивление r диф равно отношению приращения напряжения на диоде к вызвавшему его малому приращению тока через диод:. При более низких температурах ухудшаются электрические и механические свойства полупроводниковых кристаллов и элементов конструкций диодов. При более высоких температурах происходит вырождение полупроводника: Вольт-амперная характеристика — это зависимость тока i, протекающего через диод, от напряжения u, приложенного к диоду. Вольт-амперной характеристикой называют и график этой зависимости рис. Как видно на графике, ток в лампе при увеличении напряжения на аноде возрастает при некотором положительном напряжении на аноде ток в его цепи достигает наибольшей величины. Дальнейшее повышение напряжения на аноде не вызывает роста тока. Эта наибольшая величина тока в лампе называется током насыщения. В прямом смещении ток диода инжекционный, большой по величине и представляет собой диффузионную компоненту тока основных носителей. При обратном смещении ток диода маленький по величине и представляет собой дрейфовую компоненту тока неосновных носителей. В состоянии равновесия суммарный ток, обусловленный диффузионными и дрейфовыми токами электронов и дырок, равен нулю. При обратном напряжении диода свыше определенного критического значения наблюдается резкий рост обратного тока рис. Это явление называют пробоем диода. Пробой диода возникает либо в результате воздействия сильного электрического поля в р-n -переходе рис. Такой пробой называется электрическим. Он может быть туннельным — кривая 2 или лавинным — кривая 1. Либо пробой возникает в результате разогрева p-n- перехода при протекании тока большого значения и при недостаточном теплоотводе, необеспечивающем устойчивость теплового режима перехода рис. Такой пробой называется тепловым пробоем. Электрический пробой обратим, т. Тепловой пробой является необратимым. Нормальная работа диода в качестве элемента односторонней проводимостью возможна лишь в режимах, когда обратное напряжение не превышает пробивного значения U о6р mах. Значение допустимого обратного напряжения устанавливается с учетом исключения возможности электрического пробоя и составляет 0,5 - 0,8 U проб. Принято говорить об общей емкости диода С д , измеренной между выводами диода при заданном напряжении смещения и частоте. Общая емкость диода равна сумме барьерной емкости С 6 , диффузионной емкости С диф и емкости корпуса прибора С к рис. Барьерная зарядная емкость обусловлена нескомпенсированным объемным зарядом ионов примесей, сосредоточенными по обе стороны от границы р-n -перехода. Модельным аналогом барьерной емкости может служить емкость плоского конденсатора, обкладками которого являются р- и n -области, а диэлектриком служит р-n -переход, практически не имеющий подвижных зарядов. Значение барьерной емкости колеблется от десятков до сотен пикофарад; изменение этой емкости при изменении напряжения может достигать десятикратной величины. Изменение величины объемного заряда неравновесных электронов и дырок, вызванное изменением прямого тока, можно рассматривать как следствие наличия так называемой диффузионной емкости, которая включена параллельно барьерной емкости. Значения диффузионной емкости могут иметь порядок от сотен до тысяч пикофарад. Поэтому при прямом напряжении емкость р-n -перехода определяется преимущественно диффузионной емкостью, а при обратном напряжении - барьерной емкостью. Диоды разных типов отличаются своими параметрами и характеристиками. К основным параметрам диода относятся: Кроме того, диоды различаются по крутизне их характеристики. Чем быстрее нарастает анодный ток диода при увеличении анодного напряжения, тем больше крутизна характеристики диода. Крутизну обозначают S она показывает, на сколько миллиампер увеличивается сила анодного тока диода при повышении анодного напряжения на 1 в:. К параметрам, которыми характеризуется диод, относится также величина его внутреннего сопротивления переменному току. Внутреннее сопротивление диода не постоянно, а зависит от величины и полярности анодного напряжения, приложенного к диоду. Например, когда к аноду приложено отрицательное напряжение, его внутреннее сопротивление практически бесконечно велико и ток через диод не проходит. В нижней части характеристики и в верхней части внутреннее сопротивление лампы увеличивается. Внутреннее сопротивление лампы обозначается Я;. Весьма важным параметром, характеризующим каждую лампу, является величина допустимой мощности рассеяния на аноде. Электроны под влиянием напряжения, приложенного к аноду, развивают большую скорость и поэтому со значительной силой ударяются в него. При этом анод, нагреваясь, может раскалиться и даже расплавиться. Чем больше анодное напряжение, тем больше скорость электронов. Чем больше ток, проходящий через диод, тем большее число электронов одновременно ударяет в анод. Поэтому количество тепла, выделяемого на аноде, зависит от анодного напряжения и анодного тока. Произведение этих двух величин равно мощности рассеяния на аноде:. Выделение тепла на аноде — бесполезная, но неизбежная потеря мощности. При очень сильном нагревании анода лампа выходит из строя. Ввиду этого мощность рассеяния не должна превышать некоторую допустимую для данного типа лампы величину. Техническими условиями задаются обычно максимальные или минимальные значения параметров для диодов каждого типа. Так, например, задается максимально возможное значение обратного тока, прямого падения напряжения и емкости диода. Диапазон частот задается минимальным значением граничной частоты fгр. Это значит, что параметры всех диодов не превышает а в случае частоты — не ниже заданного техническими условиями значения. А — сверхвысокочастотный ; Б — с объёмным эффектом Ганна; В — варикапы; Г — генераторы шума; Д — выпрямительные, универсальные, импульсные; И — туннельные и обращенные; К — стабилизаторы тока; Л — излучающие; Н — динисторы; С — стабилитроны стабисторы; У — тиристоры; Ц — выпрямительные столбы и блоки;. Классификация и система обозначений. Классификация современных полупроводниковых диодов ПД по их назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, конструктивно-технологическим признакам, исходному полупроводниковому материалу находит отражение в системе условных обозначений диодов в соответствии с ГОСТ Первый элемент цифра или буква обозначает исходный полупроводниковый материал, второй буква — подкласс приборов, третий цифра — основные функциональные возможности прибора, четвертый — число, обозначающее порядковый номер разработки, пятый элемент — буква, условно определяющая классификацию разбраковку по параметрам приборов, изготовленных по единой технологии. Г, или 1 — германий или его соединения; К, или 2 — кремний или его соединения; А, или 3 — соединения галлия; И, или 4 — соединения индия. Д — диоды выпрямительные и импульсные; Ц — выпрямительные столбы и блоки; В — варикапы; И — туннельные диоды; А — сверхвысокочастотные диоды; С — стабилитроны; Г — генераторы шума; Л — излучающие оптоэлектронные приборы; О — оптопары. Стабилитроны — это кремниевые плоскостные диоды, предназначенные для стабилизации уровня постоянного напряжения в схеме при изменении в некоторых пределах тока через диод. Это полупроводниковый диод, сконструированный для работы в режиме электрического пробоя. Как отмечалось в разд. Такой участок характеристики участок аб, см. Если обратный ток через стабилитрон не превышает некоторого значения I ст. В качестве исходного материала при изготовлении стабилитронов используют кремний, поскольку обратные токи кремниевых р- n -переходов невелики, а следовательно, нет условий для саморазогрева полупроводника и теплового пробоя р - n -перехода. Дифференциальное сопротивление г ст — отношение приращения напряжения стабилизации к вызывающему его приращению тока стабилизации: К параметрам стабилитронов также относят максимально допустимый прямой ток I max , максимально допустимый импульсный ток I пр. Уровень напряжения стабилизации определяется величиной пробивного напряжения U обр. Для получения низковольтных стабилитронов используется сильнолегированный кремний. У низковольтных стабилитронов с ростом температуры напряжение стабилизации уменьшается, а у высоковольтных увеличивается. Увеличение входного напряжения u вх приводит к увеличению тока через стабилитрон и сопротивление R. Избыток входного напряжения выделяется на R, а напряжение u вых остается практически неизменным. В стабилитронах может иметь место и туннельный, и лавинный, и смешанный пробой в зависимости от удельного сопротивления базы. Это полупроводниковый диод, напряжение на котором при прямом включении около 0,7 В мало зависит от тока прямая ветвь на соответствующем участке почти вертикальная. Стабистор предназначен для стабилизации малых напряжений. Варикапом называется специально сконструированный полупроводниковый диод, применяемый в качестве конденсатора переменной емкости. Значение емкости варикапа определяется емкостью его р - n -перехода и изменяется при изменении приложенного к переходу диоду напряжения. Как было сказано выше см. В варикапах используется барьерная емкость выражение 1. Следовательно, в рабочем режиме к. Поскольку толщина p - n -перехода зависит от величины приложенного внешнего напряжения U , то, изменяя последнее, можно регулировать значение ёмкости. Это используется, в частности, для настройки на нужный канал в телевизорах и радиоприёмниках. I обр — постоянный ток, протекающий через варикап в обратном направлении при заданном обратном напряжении. Варикапы находят широкое применение для электронной подстройки резонансной частоты колебательных контуров. Изменяя напряжение на варикапе, подключенном к колебательному контуру, можно обеспечить дистанционное и безынерционнное управление резонансной частотой контура. Так, например, для получения необходимых значений промежуточных частот в гетеродине телевизионного приемника должно предусматриваться плавное изменение частоты. В телевизорах старых типов эта настройка ручной регулировкой емкости конденсатора, входящего в колебательный контур гетеродина, а в современных телевизорах это делается с помощью варикапа, включаемого в колебательный контур гетеродина. При изменении подводимого к варикапу напряжения изменяется его емкость, а, следовательно, и частота гетеродина. Изменение напряжения на варикапе может осуществляться или вручную потенциометром или с помощью системы автоматической подстройки частоты гетеродина. Туннельный диод — это полупроводниковый диод, в котором используется явление туннельного пробоя при включении в прямом направлении. Характерной особенностью туннельного диода является наличие на прямой ветви вольтамперной характеристики участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Для примера на рис. Общая емкость диода в точке минимума характеристики составляет 0,8…1,9 пФ. Туннельные диоды могут работать на очень высоких частотах — более 1 ГГц. Наличие участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением на вольтамперной характеристике обеспечивает возможность использования туннельных диодов в качестве усилительного элемента и в качестве основного элемента генераторов. В настоящее время туннельные диоды используются именно в этом качестве в области сверхвысоких частот. Выпрямительные диоды предназначены для выпрямления переменного тока низкой частоты Гц. В настоящее время широко применяются кремниевые выпрямительные диоды с р - n -переходом плоскостного типа, имеющие во много раз меньшие обратные токи и большие обратные напряжения по сравнению с германиевыми. Основным элементом выпрямительного диода является полупроводниковая пластинка, в которой методом сплавления или диффузии сформован р - n -переход. Кремниевый р - n -переход образуется при сплавлении исходного кристалла кремния n-типа с бором или алюминием. Для защиты от внешних воздействий, а также для обеспечения хорошего теплоотвода полупроводниковая пластинка с р - n -переходом и двумя внешними выводами от слоев p и n заключается в корпус. Выпрямительные диоды подразделяются на диоды малой I пр. Для повышения допустимого обратного напряжения выпускаются высоковольтные столбы, в которых несколько диодов включены последовательно. Кроме того, производством серийно выпускаются выпрямительные блоки, которые содержат как последовательно, так и параллельно для повышения прямого тока соединенные диоды. Выпрямительные диоды используют для выпрямления переменных токов частотой 50 Гц — кГц. В них используется главное свойство p-n -перехода — односторонняя проводимость. Главная особенность выпрямительных диодов большие площади p-n -перехода, поскольку они рассчитаны на выпрямление больших по величине токов. Основные параметры выпрямительных диодов даются применительно к их работе в однополупериодном выпрямителе с активной нагрузкой без конденсатора, сглаживающего пульсации. Среднее прямое напряжение U пр. Средний обратный ток I обр. Максимально допустимое обратное напряжение U обр. Максимально допустимый выпрямленный ток I вп. Превышение максимально допустимых величин ведет к резкому сокращению срока службы или пробою диода. Максимальная частота f тах — наибольшая частота подводимого напряжения, при которой выпрямитель на данном диоде работает достаточно эффективно, а нагрев диода не превышает допустимой величины. В выпрямительном устройстве энергия переменного тока преобразуется в энергию постоянного тока за счет односторонней проводимости диодов. Работа выпрямителя происходит следующим образом. Если генератор вырабатывает синусоидальное напряжение,. Таким образом, через диод и R Н протекает пульсирующий выпрямленный ток. Он создает на резисторе R Н пульсирующее выпрямленное напряжение U вых. Полезной частью выпрямленного напряжения является его постоянная составляющая или среднее значение U ср за полупериод:. В диоде Шоттки используется не p-n-переход, а выпрямляющий контакт металл-полупроводник. Условное графическое обозначение диода Шоттки представлено на рис. В обычных условиях прямой ток, образованный электронами зоны проводимости, переходящими из полупроводника в металл, имеет очень малую величину. Это является следствием недостатка электронов, энергия которых позволила бы им преодолеть данный барьер. Такой разогрев может быть осуществлен с помощью электрического поля. Если подключить источник внешнего напряжения плюсом к металлу, а минусом к полупроводнику n-типа, то потенциальный барьер понизится и через переход начнет протекать прямой ток. При противоположном подключении потенциальный барьер увеличивается и ток оказывается весьма малым. У диода Шоттки может быть малый обратный ток и малое прямое напряжение при малых прямых токах — около 0,5 В, что меньше, чем у кремниевых приборов. Максимально допустимый прямой ток может составлять десятки и сотни ампер, а максимально допустимое напряжение — сотни вольт. Это полупроводниковый диод, физические явления в котором подобны физическим явлениям в туннельном диоде, поэтому зачастую обращенный диод рассматривают как вариант туннельного диода. При этом участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением на вольт-амперной характеристике обращенного диода отсутствует или очень слабо выражен. Отсюда и название — обращенный диод. Рассмотрим для примера вольт-амперные характеристики германиевого обращенного диода 1ИА рис. Как видно из графика рис. Участок отрицательного дифференциального сопротивления размещен на участке положительного напряжения между 0,1 и 0,3 В. При этом амплитуда тока на участке с отрицательным дифференциальным сопротивлением не превышает 0,05 мА. Построить схему синхронного одноступенческого RS-тригера на элементах И-НЕ. Используя одноступенчатые синронные RS-триггеры, начертить схему двухступенчатого RS-триггера. Пояснить различие в работе. Каждая из систем классификации характеризует триггеры по разным показателям и поэтому дополняет одна другую. К примеру, триггеры RS-типа могут быть в синхронном и асинхронном исполнении. Асинхронный триггер изменяет своё состояние непосредственно в момент появления соответствующего информационного сигнала ов , с некоторой задержкой равной сумме задержек на элементах составляющих данный триггер. Синхронные триггеры реагируют на информационные сигналы только при наличии соответствующего сигнала на так называемом входе синхронизации С от англ. Такие информационные сигналы называют синхронными. Синхронные триггеры в свою очередь подразделяют на триггеры со статическим и с динамическим управлением по входу синхронизации С. Триггеры со статическим управлением воспринимают информационные сигналы при подаче на вход С логической единицы прямой вход или логического нуля инверсный вход. Триггеры с динамическим управлением воспринимают информационные сигналы при изменении перепаде сигнала на входе С от 0 к 1 прямой динамический С-вход или от 1 к 0 инверсный динамический С-вход. Одноступенчатые триггеры latch , защёлки состоят из одной ступени представляющей собой элемент памяти и схему управления, бывают, как правило, со статическим управлением. Одноступенчатые триггеры с динамическим управлением применяются в первой ступени двухступенчатых триггеров с динамическим управлением. Одноступенчатый триггер на УГО обозначают одной буквой - Т. Двухступенчатые триггеры flip-flop , шлёпающие делятся на триггеры со статическим управлением и триггеры с динамическим управлением. При одном уровне сигнала на входе С информация, в соответствии с логикой работы триггера, записывается в первую ступень вторая ступень заблокирована для записи. При другом уровне этого сигнала происходит копирование состояния первой ступени во вторую первая ступень заблокирована для записи , выходной сигнал появляется в этот момент времени с задержкой равной задержке срабатывания ступени. Двухступенчатый триггер на УГО обозначают двумя буквами - ТТ. Триггеры со сложной логикой бывают также одно- и двухступенчатые. В этих триггерах наряду с синхронными сигналами присутствуют и асинхронные. Такой триггер изображён на рис. Входы С обоих триггеров соединены между собой через инвертор DD1. Второй триггер функционировать не-может, т. Принципы разделения каналов в методах многостанционного доступа с частотным и временным разделением МДЧР и МДВР , их особенности и области применения. Понятия по построению кадров для БС и АС при МДВР. Технология FDMA Frequency Division Multiple Access осуществляет манипуляцию только одним параметром информационного сигнала — частотой. Каждому каналу выделяется своя достаточно узкая полоса Между этими полосами существуют ещё дополнительные частотные интервалы — защитные, уменьшающие взаимовлияние одних каналов на другие. Разнос между приёмом и передачей выполняется также по частоте -FDD Frequency Division Duplex. Технология TDMA Time Division Multiple Access манипулирует уже двумя параметрами информационного сигнала — частотой и временем. В данном случае каждому каналу назначается более широкая относительно FDMA полоса частот до кГц , которая в свою очередь разбивается на логические каналы разнесённые по времени. Разнос между приёмом и передачей может выполняться как по частоте — FDD Frequency Division Duplex , так и по времени TDD Time Division Duplex. Доступ с частотным разделением каналов МДЧР МДЧР является наиболее простым и распространенным методом, используемым как в аналоговых, так и цифровых ССС. При МДЧР каждая ЗС передает свои сигналы в отведенном ей участке полосы пропускания ретранслятора. Основной недостаток МДЧР - уменьшение пропускной способности по сравнению с односигнальным режимом, вызванное необходимостью снижения на Кроме того, необходимо обеспечить высокую стабильность частоты и мощности сигнала, излучаемого каждой ЗС. В системах с МДЧР передача может осуществляться как многоканальными сигналами, так и одноканальными с использованием принципа передачи "один канал на несущей" ОКН. Метод ОКН применяют в основном в сети станций с небольшим числом каналов. Основное преимущество метода состоит в возможности реализации принципа предоставления каналов по требованию. Метод МДЧР широко используется в ССС "Интерспутник", intelsat, национальных ССС многих стран. Данный метод сложно использовать для подключения большого числа компьютерных абонентских станций и сетей ЭВМ. Доступ с временным разделением МДВР Метод МДВР нашел применение в связи с реализацией цифровых методов передачи. При этом методе каждой ЗС для излучения сигналов выделяется определенный, периодически повторяемый временной интервал. Интервалы излучения всех станций взаимно синхронизованы, в силу чего перекрытие их не происходит. В каждый момент времени через ретранслятор проходит сигнал только одной станции и отсутствует нелинейное взаимодействие сигналов разных ЗС в усилителе ретранслятора. Метод МДВР получает развитие для передачи данных большого числа абонентских станций, подключенных к сети цифровой телефонной связи и с помощью аппаратуры уплотнения каналов осуществляется организация передачи через главные ЗС. Применяется для подключения большого числа автономных компьютерных абонентских станций и сетей ЭВМ с непосредственной связью со спутниковой станцией требуются значительные затраты при ограниченных возможностях по числу ЗС. Кадр МДВР состоит из четырех субкадров окон. Мультикадр содержит 18 кадров, гиперкадр мультикадров. В каждом частотном канале организованы четыре физических канала при частотном разносе между каналами 25 кГц или два канала при частотном разносе 12,5 кГц. В окне передают пакет, содержащий бит. Существует шесть типовых пакетов: NUB -стандартный пакет для направления вверх рис. Стандартные пакеты предназначены для передачи информации каналов трафика и управления. Одиночные пакеты — для тех же целей. Только они используются в режимах временного разделения, например, при временном разделении каналов между зонами в развитой системе. LB - полупакет сигнала управления мощностью. Занимает только один левый полупакет. СВ - полу-пакет канала управления мощностью. Занимает один полупакет, но может передаваться в любом из них левом и правом. Р - бит управления мощностью; 01 - стандартная обучающая последовательность; 02 - расширенная обучающая последовательность; Ф - биты регулировки фазы; F - биты коррекции частоты; S -синхропоследовательность. Поля для передачи информации канала трафика и канала управления обозначены ИНФ и И2, причем ИНФ означает, что это поле могут занимать биты любого из этих каналов, а И2 - только канала управления. Одной чертой на рис. Обучающие последовательности служат для настройки эквалайзера, поддержания кадровой синхронизации пакетов и передачи информации о структуре пакета. Предусмотрены три стандартные обучающие последовательности по 22 бита и одна расширенная - 30 бит. Две из них указывают, что в стандартном пакете передаются один или два логических канала. Автокорреляционные функции сигналов обучающей последовательности имеют один пик шириной один тактовый интервал и малый уровень боковых составляющих. Это позволяет надежно определить начало последовательности на приеме для поддержания кадровой синхронизации. По виду взаимокорелляционной функции можно уверенно различить последовательности. Защитный временной интервал введен в одиночные пакеты для снижения межканальных помех. Во время этого интервала несущая не излучается. Биты регулировки фазы служат для восстановления начальной фазы несущей. Поле из 80 бит предоставлено для коррекции частоты. На этом поле формируются три радиоимпульса с известными частотами. Только сон приблежает студента к концу лекции. А чужой храп его отдаляет. Основные топливные баки E. Для перорального применения I. Национально-государственное устройство Российской Федерации: Основные виды и характеристики коммуникаций II. Основные задачи ДЮП II. Основные теоретические положения II. Для иодометрического титрования окислителей используется титрование заместителя: Жесткость воды - это свойство природной воды, зависящее от присутствия в ней солей ряда двухвалентных металлов II. Обратное титрование титрование по остатку используется при малой скорости прямой реакции, при отсутствии подходящего индикатора II. Окислительно-восстановительное титрование, или редоксиметрия, основано на определении веществ титрованием растворами окислителей или восстановителей. Но предоставляет возможность бесплатного использования. Есть нарушение авторского права? Схема структуры полупроводникового диода а и его графическое обозначение б Буквами p и n обозначены слои полупроводника с проводимостями соответственно p-типа и n-типа. Основные параметры и характеристики полупроводниковых диодов.
Расписание служб в серафимовском храме киров
Приказ о создании комиссии о несчастном случае
Hp laserjet pro mfp m132a характеристики
Ударение в слове ишиас
Карта кинель спутник