Встроенные модели для полевых транзисторов FET обозначены в PSpice именами, начинающимися: Перед использованием любого из этих приборов желательно получить наборы характеристик, позволяющие правильно определить напряжения и токи покоя. Демонстрационная версия PSpice содержит модели для двух типов n-канальных полевых транзисторов JFET в библиотеке EVAL. Получим необходимый набор выходных характеристик для транзистора J2N Входной файл для анализа схемы рис. DC позволяет получить пять характеристик при целочисленных значениях V GS от 0 до -4 В. Однако после выполнения анализа вы обнаружите только четыре характеристики рис. Очевидно, отсечка происходит при значении -3 В. Зная диапазон рабочих значений V GS и соответствующий ему диапазон токов ID, мы можем теперь разработать схему смещения для этого транзистора. При получении входных характеристик величина V GS используется во внешнем цикле команды. DC в качестве основной переменной, откладываемой по оси X. Значения V DD изменяются от от 2 до 10 В с шагом в 4 В, создавая три характеристики. Для последующего использования полезно маркировать характеристики. Входной файл для анализа. Библиотека рабочей версии содержит только n-канальные JFET. Если вам необходим p-канальный JFET, то вы может вставить команду. MODEL во входной файл или изменить библиотеку EVAL. LIB , чтобы включить одно или большее количество таких устройств. Ввод модели для J2N осуществляется следующим образом:. Когда используется р-канальный JFET, модель должна быть PJF а не NJF и должно использоваться положительное значение V t0. Схема с автоматическим смещением приведена на рис. Во встроенной модели для n-канального JFET значения, заданные по умолчанию для ряда параметров, изменены. Новые значения показаны в следующем входном файле:. Выходной файл приведен на рис. Чтобы посмотреть, совпадают ли результаты стандартного схемотехнического расчета и анализа на PSpice, необходимо найти значение I DSS. Выполните анализ, подобный показанному на рис. Сравните ваши результаты с рис. Воспользовавшись этим значением, найдем. Используем теперь значение I DSS , полученное в PSpice, чтобы найти V GSS. В следующем уравнении I DSS представляет собой ток стока при насыщении:. Можно преобразовать схему смещения, показанную на рис. Выходной файл показан на рис. Это близко к значению, получаемому из аппроксимирующего уравнения. Чтобы получить временные диаграммы синусоидального входного напряжения и напряжения на стоке, необходимо несколько изменить входной файл. Входное напряжение задается синусоидальной функцией. Проведите моделирование и по результатам в Probe убедитесь, что напряжение стока имеет максимальное значение 9, мВ и минимальное — 9, мВ. Это дает размах напряжения в 15,4 мВ и максимальное значение 7,7 мВ. Результаты близки к полученным ранее расчетным данным. Временные диаграммы показаны на рис. Обратите внимание, что курсор расположен так, чтобы показать максимальное значение V 3. При этом входное напряжение находится в соответствующем минимуме. В выходном файле рис. Выходной файл показывает постоянную составляющую напряжения на истоке в 9, В. Выходной файл результатов анализа схемы на рис. Для изучения случая, касающегося МОП-транзисторов, необходимо выбрать соответствующую модель такого устройства из библиотеки EVAL. Это модель IRF, которая отображает мощный МОП-транзистор n-типа. Чтобы познакомиться с его свойствами, рассмотрим семейства входных и выходных характеристик. Чтобы получить выходные характеристики, используем схему, показанную на рис. Входной файл для нее:. Как показано на рис. Выходные характеристики показаны на рис. Для n-канального устройства это напряжение является положительным. Для входных характеристик несколько значений V DD будут использоваться, как показано в следующем файле:. Полученный в результате график показан на рис. Усилитель мощности, использующий IRF, показан на рис. Так как используется режим с большими токами истока и стока, значения R d и R s составляют 2 и 0,5 Ом соответственно. При этом входной файл имеет вид:. Приведены постоянные и переменные составляющие. Для всех переменных составляющих приведены максимальные значения. Чтобы получить временные диаграммы входного и выходного напряжений, необходимо слегка изменить входной файл. Как и в предыдущем примере, будет использовано синусоидальное входное напряжение:. Наряду с анализом переходных процессов выполним и гармонический анализ. Проведем моделирование и используем Probe, чтобы получить графики v 3 , i Rd и v 1. Результаты должны совпадать с приведенными на рис. Используем режим курсора, чтобы найти максимальное значение выходного напряжения. Хотя значения каждого из максимумов слегка различаются из-за того, что график отражает переходной процесс, третий максимум равен 9, В постоянная составляющая напряжения равна 7, В. Для максимального значения переменной составляющей это дает значение 1, В, которое близко к переменной составляющей, показанной в предыдущем анализе, и подтверждает коэффициент усиления по напряжению, равный 3. Изменения в схемном файле показаны в выходном файле рис. Постоянная составляющая выходного напряжения равна 7, В, что лишь ненамного отличается от напряжения покоя для узла 3. Выходной файл с результатами анализа схемы на рис. PSpice включает встроенную модель для арсенид-галлиевого n -канального транзистора GaAsFET. Имя этого прибора начинается с В. Хотя библиотека демонстрационной версии не содержит никаких входных файлов для этих транзисторов, вы можете определять параметры модели или просто использовать значения по умолчанию, приведенные в приложении D. Пример типового входного файла, используемого для получения выходных характеристик, приведен ниже:. Выполните моделирование на PSpice, затем используйте Probe, чтобы получить графики ID BFET , приведенные на рис. Определите с помощью PSpice ток стока I D и напряжение на стоке V DS для схемы с JFET-транзистором, показанной на рис. Найдите значения точки покоя I D и V DS для схемы с JFET-транзистором, показанной на рис. Транзистор имеет те же характеристики, что и в предыдущей задаче. В схеме на рис. В схеме полевого транзистора JFET, приведенной на рис. С помощью анализа на PSpice найдите коэффициент усиления по напряжению v 0 v i для низких частот. Усилитель на базе транзистора JFET показан на рис. Используйте PSpice, чтобы найти коэффициент усиления по напряжению v 0 v s. Параметры усилителя на МОП-транзисторе, показанного на рис. Схема прерывателя показана на рис. На вход схемы включен источник синусоидального напряжения v i с частотой 1 кГц и амплитудой, меньшей чем V РO. Управляющее напряжение v g имеет прямоугольную форму при частоте 2 кГц. Альтернативная медицина Астрономия и Космос Биология Военная история Геология и география Государство и право Деловая литература Домашние животные Домоводство Здоровье История Компьютеры и Интернет Кулинария Культурология Литературоведение Медицина Научная литература - прочее Педагогика Политика Психология Религиоведение Сад и огород Самосовершенствование Сделай сам Спорт Технические науки Транспорт и авиация Учебники Физика Философия Хобби и ремесла Шпаргалки Эзотерика Юриспруденция Языкознание. Главная В избранное Наш E-MAIL Добавить материал Нашёл ошибку Вниз. Полевые транзисторы Встроенные модели для полевых транзисторов FET обозначены в PSpice именами, начинающимися: Выходные характеристики полевых транзисторов Демонстрационная версия PSpice содержит модели для двух типов n-канальных полевых транзисторов JFET в библиотеке EVAL. Output Characteristics for JFET J2N VGS 1 0 0V VDD 2 0 12V JFET 2 10 J2M DC VDD 0 12V 0. Схема для снятия характеристик полевых транзисторов JFET Вложенный цикл команды. Выходные характеристики транзисторов JFET Входные характеристики усилителя на полевых транзисторах При получении входных характеристик величина V GS используется во внешнем цикле команды. Входной файл для анализа Input Characteristics for JFET VGS 1 0 0V VDD 2 1 10V JFET 2 10 J2N END Характеристики с соответствующими метками показаны на рис. Входные характеристики транзисторов JFET Библиотека рабочей версии содержит только n-канальные JFET. Ввод модели для J2N осуществляется следующим образом: Токи смещения полевых транзисторов Схема с автоматическим смещением приведена на рис. Новые значения показаны в следующем входном файле: DC VDD 18V 18V 18V. Схема с автоматическим смещением транзистора JFET Выходной файл приведен на рис. В следующем уравнении I DSS представляет собой ток стока при насыщении: Усилители на полевых транзисторах Можно преобразовать схему смещения, показанную на рис. Усилитель на транзисторе JFET Выходной файл показан на рис. Входное напряжение задается синусоидальной функцией vi 1a 0 sin 0 1mV 5kHz Анализ переходных процессов выполняется с помощью команды. Временные диаграммы входного и выходного напряжений В выходном файле рис. DC VDD 16V 18V 18V. FOUR 5kHz V 3. Выходные характеристики Чтобы получить выходные характеристики, используем схему, показанную на рис. Входной файл для нее: Схема для снятия характеристик МОП-транзисторов Как показано на рис. Выходные характеристики МОП-транзистора Входные характеристики Для входных характеристик несколько значений V DD будут использоваться, как показано в следующем файле: Input Characteristic for MOSFET VGS 1 0 0V VDD 2 0 10V MOS 2 10 0 IRF END Полученный в результате график показан на рис. При этом входной файл имеет вид: DC VDD 12V 12V 12V. Усилитель мощности на МОП-транзисторе Выходной файл показан на рис. Временные диаграммы Чтобы получить временные диаграммы входного и выходного напряжений, необходимо слегка изменить входной файл. Как и в предыдущем примере, будет использовано синусоидальное входное напряжение: Входные и выходные сигналы для схемы на рис. FOUR 5kHz v 3. END NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE 1 0. Пример типового входного файла, используемого для получения выходных характеристик, приведен ниже: Output Curves for GaAsFET VOD 2 0 12V VGS 1 0 0V BFET 2 1 0 B1; узлы стока, затвора и истока. END Выполните моделирование на PSpice, затем используйте Probe, чтобы получить графики ID BFET , приведенные на рис. Выходные характеристики арсенид-галлиевого транзистора Задачи Обратите внимание: Главная В избранное Наш E-MAIL Добавить материал Нашёл ошибку Наверх.
ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Сколько калорийв 100 гр белка
Грустные аватарки для девушек в контакте
План водоснабжения частного дома