Полевые транзисторы
Что такое транзистор, виды транзисторов и их обозначение
Лекция 6. Транзисторы биполярные. Классификация, система обозначений, принцип действия, основные параметры, схемы включения и режимы работы
Graphical symbols in diagrams. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от Соответствует СТ СЭВ ИЗДАНИЕ апрель г. ИУС , , , , Поправкой ИУС Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности. Обозначения элементов полупроводниковых приборов приведены в табл. Р -эмиттер с N- областью. N -эмиттер с P -областью. Переход от Р -области к N -области и наоборот. Канал проводимости для полевых транзисторов: Р -канал на подложке N -типа, обогащенный тип. N -канал на подложке P -типа, обедненный тип. Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например: Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл. Стабилитрон диод лавинный выпрямительный. Модуль с несколькими например, тремя одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами. Обозначения тиристоров приведены в табл. Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении. Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении. Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением: Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении: Тиристор триодный симметричный двунаправленный - триак. Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении. Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника. Примеры построения обозначений транзисторов с P-N- переходами приведены в табл. Транзистор типа NPN , коллектор соединен с корпусом. Транзистор лавинный типа NPN. Транзистор однопереходный с N -базой. Транзистор однопереходный с P -базой. Транзистор двухбазовый типа NPN. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от -области. Транзистор многоэмиттерный типа NPN. При выполнении схем допускается: Примеры построения обозначений полевых транзисторов приведены в табл. Транзистор полевой с каналом типа N. Транзистор полевой с каналом типа P. Транзистор полевой с изолированным затвором без вывода от подложки: Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N- каналом, с внутренним соединением истока и подложки. Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р- каналом. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р- каналом с выводом от подложки. Транзистор полевой с затвором Шоттки. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки. Допускается изображать корпус транзисторов. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл. Примеры построения обозначений оптоэлектронных приборов приведены в табл. Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем: Прибор оптоэлектронный с фототранзистором: Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом. При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения по ГОСТ 2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например: Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов приведены в табл. Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника. Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл. Однофазная мостовая выпрямительная схема: К выводам подключается напряжение переменного тока; выводы - выпрямленное напряжение; вывод 3 имеет положительную полярность. Цифры 1, 2, 3 и 4 указаны для пояснения. Пример применения условного графического обозначения на схеме. Трехфазная мостовая выпрямительная схема. Если все диоды в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный способ изображения. При этом на схеме должны быть приведены пояснения о способе включения диодов. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации, приведены в табл. Транзистор типа PNIP с выводом от I- области. Многоэмиттерный транзистор типа NPN. Звездочкой отмечают вывод базы, знаком "больше" или "меньше" - вывод эмиттера. Размеры в модульной сетке основных условных графических обозначений даны в приложении 2. Транзистор полевой с изолированным затвором. Электронный текст документа подготовлен АО "Кодекс" и сверен по: Обозначения условные графические в схемах: Текст документа Статус Сканер копия. Обозначения элементов полупроводниковых приборов Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов Обозначения тиристоров Примеры построения обозначений транзисторов Примеры построения обозначений полевых транзисторов Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов Примеры построения обозначений оптоэлектронных приборов Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем Приложение 2 справочное. Размеры в модульной сетке основных условных графических обозначений. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые с Изменениями N Название документа: Приборы полупроводниковые с Изменениями N Номер документа: Стандартинформ, год Дата принятия: Приборы полупроводниковые с Изменениями N Данный документ представлен в формате djvu. Semiconductor devices МКС Соответствует СТ СЭВ 4. ИУС , , , , Поправкой ИУС 1. Обозначения элементов полупроводниковых приборов Таблица 1 Наименование Обозначение 1. Р -канал на подложке N -типа, обогащенный тип 8. N -канал на подложке P -типа, обедненный тип 9. Исток и сток Примечание. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку Измененная редакция, Изм. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов Таблица 4 Наименование Обозначение 1. Эффект туннельный а прямой б обращенный 2. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов Таблица 5 Наименование Обозначение 1. Диод Общее обозначение 2. Стабилитрон диод лавинный выпрямительный а односторонний б двухсторонний 5. Варикап диод емкостной 7. Модуль с несколькими например, тремя одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами 8а. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами 9. Обозначения тиристоров Таблица 6 Наименование Обозначение 1. Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении 2. Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении 3. Тиристор диодный симметричный 4. Тиристор триодный симметричный двунаправленный - триак 9. Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении Примечание. Примеры построения обозначений транзисторов Таблица 7 Наименование Обозначение 1. Транзистор а типа PNP б типа NPN с выводом от внутреннего экрана 2. Транзистор типа NPN , коллектор соединен с корпусом 3. Транзистор лавинный типа NPN 4. Транзистор однопереходный с N -базой 5. Транзистор однопереходный с P -базой 6. Транзистор двухбазовый типа NPN 7. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от -области 8. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от -области 9. Транзистор многоэмиттерный типа NPN Примечание. Примеры построения обозначений полевых транзисторов Таблица 8 Наименование Обозначение 1. Транзистор полевой с каналом типа N 2. Транзистор полевой с каналом типа P 3. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N- каналом, с внутренним соединением истока и подложки 5. Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р- каналом 6. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р- каналом с выводом от подложки 7. Транзистор полевой с затвором Шоттки 8. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки Примечание. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов Таблица 9 Наименование Обозначение 1. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов Таблица 11 Наименование Обозначение 1. Датчик Холла Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника 2. Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах Таблица 12 Наименование Обозначение 1. Пример применения условного графического обозначения на схеме 2. Трехфазная мостовая выпрямительная схема 3. Диодная матрица фрагмент Примечание. При этом на схеме должны быть приведены пояснения о способе включения диодов Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем Таблица 13 Наименование Обозначение Отпечатанное обозначение 1. Транзистор типа PNP 3. Транзистор типа NPN 4. Транзистор типа PNIP с выводом от I- области 5. Многоэмиттерный транзистор типа NPN Примечание к пп. Данный документ представлен в виде сканер копии, которую вы можете скачать в формате pdf или djvu. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов Таблица 11 Наименование. Важные документы ТТК, ППР, КТП Классификаторы Комментарии, статьи, консультации Картотека международных стандартов: Федеральное законодательство Региональное законодательство Образцы документов Все формы отчетности Законодательство в вопросах и ответах.
Обозначение радиодеталей на схеме. В данной статье приведен внешний вид и схематическое обозначение радиодеталей. Каждый наверно начинающие радиолюбитель видел и внешне радиодетали и возможно схемы,но что чем является на схеме приходится долго думать или искать,и только где то он может прочитает и увидит новые для себя слова такие как резистор, транзистор, диод и прочее. А как же они обозначаются. Разберем в данной статье. Чаще всего на платах и схемах можно увидеть резистор,так как их по количеству на платах больше всего. Резисторы бывают как постоянные,так и переменные можно регулировать сопротивление с помощью ручки. Одна из картинок постоянного резистора ниже и обозначение постоянного и переменного на схеме. А где переменный резистор как выглядет. Это еще картиночка ниже. Извиняюсь за такое написание статьи. Много информации написано, о функциях ихних, но так как тема о обозначениях. Транзисторы бывают биполярными,и полярными, пнп и нпн переходов. Все это учитывается при пайке на плату, и в схемах. Обозначение транзистора нпн перехода npn. Э это эммитер , К это коллектор , а Б это база. Транзисторы pnp переходов будет отличатся тем что стрелочка будет не от базы а к базе. Для более подробного еще одна картинка. Есть так же кроме биполярных и полевые транзисторы, обозначение на схеме полевых транзисторов похожи, но отличаются. Так как нет базы эмиттера и коллектора, а есть С - сток, И - исток, З - затвор. И напоследок о транзисторах как же они выглядат на самом деле. Общем если у детали три ножки, то 80 процентов того что это транзистор. Если у вас есть транзистор и незнаете какого он перехода и где коллектор, база, и вся прочая информация,то посмотрите в сравочнике транзисторов. Конденсаторы бывают полярные и неполярные, в полярных на схеме приресовывают плюс, так как он для постоянного тока, а неполярные соответствено для переменного. Они имеют определенную емкость в мКф микрофарадах и расчитаны на определенное напряжение в вольтах. Все это можно прочитать на корпусе конденсатора. Микросхемы , внешний вид обозначение на схеме. Уфф уважаемые читатели, этих существует просто огромное количество в мире, начинаю от усилителей и заканчивая телевизорами. Ну пару слов скажу. Смотреть их так же как и транзисторы в справочниках. У них от 8 и выше выводов ножек. С какой ножки отсчитывать смотрится тоже в справочнике. А на схеме самой указывают первую и последнюю ножку в обозначении. Диод , обозначение на схеме. Сказав в кратце о этой радиодетали, скажу что она пропускает ток в одну сторону и непропускает в другую. Применяются самое распространеное для выпрямление тока , делают из переменного - постоянный. Насчет обозначений остальных деталей которых нет в этой статье я буду еще возращатся. Главная Схемы Обучение Основы электроники для новичка Обозначение радиодеталей на схеме. Powered By T3 Framework.
Какие взаимозависимости раскрывает золотое правило
Ратлины страйк про каталог для зимы
Как сделать игру твистер своими руками
Сыворотка для лица шеи
Сонник серебряная цепочка с крестиком