Skip to content

Instantly share code, notes, and snippets.

Show Gist options
  • Save anonymous/6c4b10cc9e1e1f7b03947eedb030e90a to your computer and use it in GitHub Desktop.
Save anonymous/6c4b10cc9e1e1f7b03947eedb030e90a to your computer and use it in GitHub Desktop.
Транзисторы с общим коллектором эмиттером и базой

Транзисторы с общим коллектором эмиттером и базой



Ссылка на файл: >>>>>> http://file-portal.ru/Транзисторы с общим коллектором эмиттером и базой/


Схема с общим эмиттером (каскад с общим эмиттером)
Устройство и принцип действия
Биполярный транзистор
























Схема включения транзистора с общим эмиттером ОЭ изображена на рис. Входным электродом является база точнее, входной сигнал U в x приложен к переходу эмиттер — база, т. Выходным электродом является коллектор, т. В большинстве случаев непосредственное соединение эмиттера с землей применяют редко, но здесь рассматривается именно схема с заземленным эмиттером, так как наличие дополнительных элементов R Э и C Э не изменяет основной принцип работы схемы с ОЭ, но сильно усложняет объяснение. Емкости C p 1 и С p 2 будем считать в диапазоне частот сигнала короткими замыканиями, а для постоянных питающих напряжений они, естественно, представляют собой разрывы. Впоследствии вклад С p 1 и С p 2 в характеристики схемы и их назначение будут оговорены. Для объяснения работы схемы используем известное из физики полупроводников явление: К базе транзистора приложено постоянное положительное напряжение, определяемое значением напряжения источника питания Е и соотношением сопротивлений R Б 1 и R Б2 R Б 1 и R Б2 называют базовым делителем , поэтому f Б всегда превышает f Э и переход эмиттер — база открыт. Ток через p — n -переход эмиттер — база называют током эмиттера I Э. Таким образом, в схеме с общим эмиттером при подаче переменного сигнала на базу транзистора обеспечивается формирование на коллекторе такого же переменного сигнала, отличающегося от входного амплитудой и знаком. Коэффициент передачи схемы по напряжению. Отметим, что использование такого параметра, как крутизна, удобно лишь для объяснения процессов в схеме. В справочниках величина S не приводится, зато обычно имеются входные и выходные вольт-амперные характеристики зависимости I Б от U БЭ и I К от U КЭ соответственно. Во-первых, следует обсудить функциональное назначение емкостей C p 1 и С p 2. Эти емкости представляют собой элементарные фильтры высоких частот, обеспечивающие развязку последовательно соединенных схем по постоянному сигналу. Допустим, что усилитель построен по двухкаскадной схеме, т. В этом случае, очевидно, надо без потерь передать переменный сигнал с коллектора транзистора первой схемы на базу транзистора второй схемы. Проще всего это можно было бы сделать, соединив электроды двух транзисторов накоротко. Но ведь как напряжение на базе, так и напряжение на коллекторе содержат не только переменные, но и постоянные составляющие, причем разные:. Элементом, который пропускает переменный ток, но не пропускает постоянный, является емкость. Обычно это не так: Назначение резистора — обеспечивать термостабилизацию параметров схемы. Дело в том, что при повышении температуры в полупроводниках возрастает подвижность носителей зарядов и их концентрация, в результате чего возрастает ток эмиттера, а значит и ток коллектора. Чтобы вернуть токи в исходное до нагрева состояние, надо частично закрыть переход эмиттер-база, а для этого увеличить f Э при неизменном f Б. Если эмиттер заземлен, то изменить f Э невозможно, а если имеется сопротивление R Э — задача решается очень легко: К сожалению, наличие R Э вызовет минимизацию изменений тока I Э не только на инфранизких частотах температурного дрейфа, но и на частотах сигнала, усиление схемы резко снизится. Поэтому необходимо зашунтировать R Э на частотах сигнала, применив для этой цели блокировочный конденсатор. На частотах температурного дрейфа С Э представляет собой большое сопротивление и не влияет на механизм термостабилизации; с возрастанием f превращается в короткое замыкание. Коэффициент передачи по току K I равен отношению выходного тока ко входному. Входное сопротивление R в x схемы определяется параллельным соединением сопротивлений R Б1 , R Б2 и эквивалентного сопротивления р — n -перехода эмиттер — база: Обычно значения R Б1 и R Б2 , необходимые для работы схемы, а также r БЭ составляют килоомы — десятки килоом, поэтому и входное сопротивление равно килоомам. АЧХ имеет на средних частотах равномерный участок, параллельный оси частот. На низких частотах, где емкости C p 1 и С p 2 еще не являются короткими замыканиями и часть сигнала падает на них, АЧХ имеет спад. Дополнительной причиной спада АЧХ на низких частотах является наличие R Э ,. На низких частотах из-за вклада C p 1 и С p 2 он больше, на высоких частотах из-за наличия С пар — меньше. АЧХ и ФЧХ схемы не всегда удовлетворяют потребителя, и часто осуществляется их коррекция исправление с помощью внесения дополнительных элементов. Низкочастотная коррекция НЧК осуществляется разделением коллекторного сопротивления рис. Средняя точка делителя через емкость C ф соединяется с землей. Высокочастотная коррекция осуществляется двумя различными способами. Во-первых, последовательно с R K ставят индуктивность L рис. В этом случае при любом значении индуктивности коэффициент усиления схемы возрастает с ростом частоты, так как. Резонансный контур должен быть параллельным, что в действительности имеет место и может быть объяснено с помощью эквивалентной схемы каскада по переменному току рис. Недостатком ИВЧК является наличие в схеме низкотехнологичного элемента — катушки индуктивности. Второй способ высокочастотной коррекции — эмиттерная ЭВЧК не предусматривает введение в схему дополнительных элементов, а лишь существенное уменьшение значения емкости C Э. Независимо от своего значения эта емкость не шунтирует R Э на инфранизких частотах температурного дрейфа, поэтому механизм термостабилизации не нарушается. Но маленькая C Э при малых значениях ее уже не принято называть блокировочной не шунтирует R Э и на низких и средних частотах сигнала, при этом K U снижается. Только на высоких частотах C Э закорачивает эмиттерное сопротивление и коэффициент усиления начинает возрастать — как раз тогда, когда в силу других причин он снижается. ЭВЧК из-за отсутствия индуктивности находит все более широкое применение, хотя обладает существенным недостатком — уменьшением K U усилителя на низких и средних частотах. Поделиться Поиск по сайту. Предыдущая 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 Следующая. Интересно знать Усиление отдельно стоящих фундаментов Светочувствительный аппарат глаза Класс Земноводные, или Амфибии Упражнения на перекладине Советы для родителей Память и ее тренировка Как защитить себя ВКонтакте? Категории Архитектура Биология География Искусство История Информатика Маркетинг Математика Медицина Менеджмент Охрана труда Политика Правоотношение Разное Социология Строительство Физика Философия Финансы Химия Экология Экономика. Орг - год. Материал предоставляется для ознакомительных и учебных целей.


Как настроить вай фай роутер зиксель кинетик
Схема вязания детского чепчика лимонного цвета
График работы машиниста поезда дальнего следования
Биполярные фототранзисторы
Как делать тестодля пиццы без дрожжей
Где найти вампиров в skyrim
Как сделать бирюзовый цвет в minecraft
Схема с общим эмиттером
Схема вычета ндс
Где скачать фильмы про геев
Биполярные транзисторы: схемы включения. Схема включения биполярного транзистора с общим эмиттером
Клей для стеклохолста kleo
Сколько стоит виски джеймсон
Как изменить текст в адобе ридер
Схема с общим эмиттером (каскад с общим эмиттером)
Растительное масло в ложке сколько грамм
Sign up for free to join this conversation on GitHub. Already have an account? Sign in to comment