Ссылка на файл: >>>>>> http://file-portal.ru/Схема с общим затвором/
Схемы включения транзистора полевого
Полевые транзисторы
ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Полевой транзистор — это электропреобразовательный прибор, в котором ток, протекающий через канал, управляется электрическим полем, возникающим при приложении напряжения между затвором и истоком, и который предназначен для усиления мощности электромагнитных колебаний. К классу полевых относят транзисторы, принцип действия которых основан на использовании носителей заряда только одного знака электронов или дырок. Управление током в полевых транзисторах осуществляется изменением проводимости канала, через который протекает ток транзистора под воздействием электрического поля. Вследствие этого транзисторы называют полевыми. По способу создания канала различают полевые транзисторы с затвором в виде управляющего р-n- перехода и с изолированным затвором МДП - или МОП - транзисторы: В зависимости от проводимости канала полевые транзисторы делятся на: Канал р- типа обладает дырочной проводимостью, а n- типа — электронной. Полевой транзистор с управляющим р-n- переходом — это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала р-n-переходом, смещенным в обратном направлении. Каналом полевого транзистора называют область в полупроводнике, в которой ток основных носителей заряда регулируется изменением ее поперечного сечения. Электрод вывод , через который в канал входят основные носители заряда, называют истоком. Электрод, через который из канала уходят основные носители заряда, называют стоком. Электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала за счет управляющего напряжения, называют затвором. Как правило, выпускаются кремниевые полевые транзисторы. Кремний применяется потому, что ток затвора, то есть обратный ток р-n- перехода, получается во много раз меньше, чем у германия. Полярность внешних напряжений, подводимых к транзистору, показана на рис. Управляющее входное напряжение подается между затвором и истоком. Напряжение Uзи является обратным для обоих р-n- переходов. Ширина р-n- переходов, а, следовательно, эффективная площадь поперечного сечения канала, его сопротивление и ток в канале зависят от этого напряжения. С его ростом расширяются р-n- переходы, уменьшается площадь сечения токопроводящего канала, увеличивается его сопротивление, а, следовательно, уменьшается ток в канале. Следовательно, если между истоком и стоком включить источник напряжения Uси, то силой тока стока Iс, протекающего через канал, можно управлять путем изменения сопротивления сечения канала с помощью напряжения, подаваемого на затвор. На этом принципе и основана работа полевого транзистора с управляющим р-n- переходом. Напряжение Uзи, при котором канал полностью перекрывается, а ток стока Iс становится весьма малым десятые доли микроампер , называют напряжением отсечки Uзиотс. Рассмотрим вольт - амперные характеристики полевых транзисторов с р-n- переходом. Для этих транзисторов представляют интерес два вида вольт - амперных характеристик: Стоковые выходные характеристики полевого транзистора с р-n- переходом и каналом n- типа показаны на рис. Они отражают зависимость тока стока от напряжения Uси при фиксированном напряжении Uзи: Особенностью полевого транзистора является то, что на проводимость канала оказывает влияние как управляющее напряжение Uзи, так и напряжение Uси. Суммарное падение напряжения участка исток-сток равно Uси. Повышение напряжения Uси вызывает увеличение падения напряжения в канале и уменьшение его сечения, а следовательно, уменьшение проводимости канала. При некотором напряжении Uси происходит сужение канала, при котором границы обоих р-n- переходов смыкаются и сопротивление канала становится высоким. Такое напряжение Uси называют напряжением перекрытия или напряжением насыщения Uсинас. При подаче на затвор обратного напряжения Uзи происходит дополнительное сужение канала, и его перекрытие наступает при меньшем значении напряжения Uсинас. В рабочем режиме используются пологие линейные участки выходных характеристик. Стоко - затворная характеристика полевого транзистора показывает зависимость тока Iс от напряжения Uзи при фиксированном напряжении Uси: Входное сопротивление полевых транзисторов с р-n- переходом довольно велико достигает единиц и десятков мегаом , что выгодно отличает их от биполярных транзисторов. Полевой транзистор с изолированным затвором МДП - транзистор — это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика. МДП - транзисторы структура: В качестве диэлектрика используют окисел кремния SiO2. Наличие диэлектрика обеспечивает высокое входное сопротивление рассматриваемых транзисторов … Ом. Принцип действия МДП - транзисторов основан на эффекте изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля. Приповерхностный слой полупроводника является токопроводящим каналом этих транзисторов. МДП - транзисторы выполняют двух типов — со встроенным и с индуцированным каналом. Рассмотрим особенности МДП - транзисторов со встроенным каналом. Конструкция такого транзистора с каналом n-типа показана на рис. В исходной пластинке кремния р- типа с относительно высоким удельным сопротивлением, которую называют подложкой, с помощью диффузионной технологии созданы две сильнолегированные области с противоположным типом электропроводности — n. На эти области нанесены металлические электроды — исток и сток. Между истоком и стоком имеется тонкий приповерхностный канал с электропроводностью n- типа. Поверхность кристалла полупроводника между истоком и стоком покрыта тонким слоем порядка 0,1 мкм диэлектрика. На слой диэлектрика нанесен металлический электрод — затвор. Наличие слоя диэлектрика позволяет в таком полевом транзисторе подавать на затвор управляющее напряжение обеих полярностей. При подаче на затвор положительного напряжения, электрическим полем, которое при этом создается, дырки из канала будут выталкиваться в подложку, а электроны вытягиваться из подложки в канал. Канал обогащается основными носителями заряда — электронами, его проводимость увеличивается и ток стока возрастает. Этот режим называют режимом обогащения. При подаче на затвор напряжения, отрицательного относительно истока, в канале создается электрическое поле, под влиянием которого электроны выталкиваются из канала в подложку, а дырки втягиваются из подложки в канал. Канал обедняется основными носителями заряда, его проводимость уменьшается и ток стока уменьшается. Такой режим транзистора называют режимом обеднения. Канал проводимости тока здесь специально не создается, а образуется индуцируется благодаря притоку электронов из полупроводниковой пластины подложки в случае приложения к затвору напряжения положительной полярности относительно истока. При отсутствии этого напряжения канала нет, между истоком и стоком n-типа расположен только кристалл р- типа и на одном из р-n- переходов получается обратное напряжение. В этом состоянии сопротивление между истоком и стоком очень велико, то есть транзистор заперт. Но если подать на затвор положительное напряжение, то под влиянием поля затвора электроны будут перемещаться из областей истока и стока и из р- области подложки по направлению к затвору. Когда напряжение затвора превысит некоторое отпирающее, или пороговое, значение Uзи пор, то в приповерхностном слое концентрация электронов превысит концентрацию дырок, и в этом слое произойдет инверсия типа электропроводности, то есть индуцируется токопроводящий канал n-типа, соединяющий области истока и стока, и транзистор начинает проводить ток. Чем больше положительное напряжение затвора, тем больше проводимость канала и ток стока. Таким образом, транзистор с индуцированным каналом может работать только в режиме обогащения. Концентрация носителей заряда в канале увеличивается, проводимость канала возрастает, ток стока Iс увеличивается. Отличие стоковых характеристик заключается в том, что управление током транзистора осуществляется напряжением одной полярности, совпадающей с полярностью напряжения Uси. Что касается входного сопротивления то МДП - транзисторы имеют лучшие показатели, чем транзисторы с р-n- переходом. Полевые транзисторы применяются в усилительных каскадах с большим входным сопротивлением, ключевых и логических устройствах, при изготовлении интегральных схем и др. Полевой транзистор можно включать по одной из трех основных схем: На практике чаще всего применяется схема с ОИ, аналогичная схеме на биполярном транзисторе с ОЭ. Каскад с общим истоком дает очень большое усиление тока и мощности. Схема с ОЗ аналогична схеме с ОБ. Она не дает усиления тока, и поэтому усиление мощности в ней во много раз меньше, чем в схеме ОИ. Каскад ОЗ обладает низким входным сопротивлением, в связи с чем он имеет ограниченное практическое применение. В настоящее время широко применяются усилители, выполненные на полевых транзисторах. Режим работы полевого транзистора в режиме покоя обеспечивается постоянным током стока Iсп и соответствующим ему напряжением сток-исток Uсип. Этот режим обеспечивается напряжением смещения на затворе полевого транзистора Uзип. Резистор Rи, кроме обеспечения напряжения смещения затвора, используется также для температурной стабилизации режима работы усилителя по постоянному току, стабилизируя Iсп. Чтобы на резисторе Rи не выделялась переменная составляющая напряжения, его шунтируют конденсатором Си и таким образом обеспечивают неизменность коэффициента усиления каскада. Сопротивление конденсатора Си на наименьшей частоте сигнала должно быть намного большим сопротивления резистора Rи, которое определяют по выражению:. Конденсатор Ср называется разделительным. Он используется для развязки усилителя по постоянному току от источника входного сигнала. Резистор Rс выполняет функцию создания изменяющегося напряжения в выходной цепи за счет протекания в ней тока, управляемого напряжением между затвором и истоком. В усилителях на МДП - транзисторах с индуцированным каналом необходимое напряжение Uзип обеспечивается включением в цепь затвора делителя R1R2 рис. Поэтому ток делителя выбирают исходя из обеспечения требуемого входного сопротивления усилителя. В усилителе на полевом транзисторе, схема которого приведена на рис. Для ее построения на семействе статических выходных стоковых характеристик полевого транзистора достаточно определить две точки:. Графическим решением уравнения для выходной цепи рассматриваемого каскада являются точки пересечения линии нагрузки со стоковыми характеристиками. Значение тока стока Iс и напряжения Uси зависят также от напряжения затвора Uзи. Три параметра Iсп, Uсип и Uзип определяют исходный режим, или режим покоя усилителя. На выходных характеристиках этот режим отображается точкой По, лежащей на пересечении выходной нагрузочной характеристики с выходной статической характеристикой, снятой при заданном значении напряжения затвора. Резистор R3 предназначен для подачи напряжения Uзип с резистора Rи между затвором и истоком транзистора. Сопротивление R3 принимают равным 1…2 МОм. Все материалы в разделе "Коммуникации и связь". Устройство и принцип действия полевого транзистора. Полевые транзисторы с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Расчет электрических цепей с полевыми транзисторами. Запираемые тиристоры и полевые транзисторы. Псевдоморфные полевые транзисторы с высокой подвижностью 2 d электронов в канале phemt работа. Усилительные каскады переменного тока на биполярных транзисторах. Полупроводниковые диоды и транзисторы, области их применения. Неинерциальные полевые принципы формирования структуры материи. Некоторые методы определения характеристик деформируемо-сти и прочности грунтов.
Новые кассовые аппараты с 2017 года закон
Цитаты на экологическую тему
Недопустимое число аргументовили присвоение значения свойства
"Анализ и расчет статических параметров транзистора в схеме с общим затвором "
Скачать навигатор город
Сдавать экзамен пдд после лишения
Рафаэль дос аньос видео
Полевой транзистор
Где находится завод форд
Новости политики в мире 2017
ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Мистические истории красные сапожки
Масло ши для кожи рук
Общедомовые нужды указ президента
Схемы включения транзистора полевого
Каталог одежды интернет магазин 2015 россия