Схемы включения транзистора
Транзисторы
Биполярный транзистор
Дата последнего обновления файла 9. Транзисторы предназначены для усиления электронных сигналов. Фирмы, специализирующиеся на выпуске монолитных интегральных схем, обычно тщательно разрабатывают для своей продукции несколько типов транзисторных интегральных структур. Затем эти транзисторы применяются в самых различных, как цифровых, так и аналоговых интегральных схемах. Эти же транзисторные структуры могут выпускаться в виде дискретных транзисторов. В этом транзисторе все выводы расположены на одной поверхности полупроводникового кристалла кремния. Подложка, имеющая p-проводимость соединяется с наиболее отрицательным выводом микросхемы, поэтому при нормальном режиме работы микросхемы, изолирующие p-n переходы будут всегда заперты. На этой схеме влияние изолирующего p-n перехода отображено параллельным сопротивлением сопротивления R КП и C КП. Усилительные свойства транзистора моделируются генератором тока, ток которого определяется по формуле:. Сопротивление эмиттерного перехода r Э в данной эквивалентной схеме можно определить по формуле:. Усилитель представляет собой четырехполюсник, два вывода которого предназначены для подключения входного сигнала и два оставшихся вывода служат для снятия с них усиленного сигнала напряжения или тока. У транзистора же есть только три вывода, поэтому для реализации четырехполюсника приходится один из выводов подключать как ко входу, так и к выходу усилителя. В зависимости от того, какой вывод транзистора является общим как для входа, так и для выхода усилителя, схемы включения транзистора называются:. Следует отметить, что данные схемы включения применяются не только для биполярных транзисторах, но и для всех типов полевых транзисторов. В них эти схемы будут называться схемами с общим истоком, общим затвором и общим стоком соответственно. Во всех последующих схемах границы четырехполюсника усилителя будут показаны пунктирной линией. Для подключения источника сигнала и нагрузки в них предусмотрено по два вывода. Наиболее распространенной схемой включения транзистора является схема с общим эмиттером ОЭ. Это связано с наибольшим усилением этой схемы по мощности. Схема с общим эмиттером обладает усилением, как по напряжению, так и по току. На данной схеме цепи питания коллектора и базы транзистора не показаны. Мы рассмотрим их позднее при подробном изучении схемы усилительного каскада с общим эмиттером. Входное сопротивление схемы включения транзистора с общим эмиттером определяется входной характеристикой транзистора. Оно зависит от базового, а, следовательно, и коллекторного тока транзистора. Что касается амплитудно-частотной характеристики схемы с общим эмиттером, то в данном включении транзистора верхняя частота усиления будет минимальная по сравнению с остальными схемами включения транзистора. Схема с общей базой обычно применяется на высоких частотах. Коэффициент усиления по мощности данной схемы включения транзистора меньше по сравнению со схемой с общим эмиттером. Это связано с тем, что схема включения транзистора с общей базой не усиливает по току. В данной схеме производится усиление только по напряжению. На этой схеме цепи питания коллектора и базы тоже не показаны. В качестве входного сопротивления схемы включения транзистора с общей базой служит эмиттерное сопротивление транзистора, поэтому входное сопротивление схемы с общей базой мало. Схема с общим коллектором обычно применяется для получения высокого входного сопротивления. Коэффициент усиления по мощности данной схемы включения транзистора меньше по сравнению со схемой с общим эмиттером и соизмерим с коэффициентом усиления схемы с общей базой. Это связано с тем, что схема включения транзистора с общим коллектором не усиливает по напряжению. В данной схеме производится усиление только по току. В качестве входного сопротивления схемы включения транзистора с общим коллектором служит сумма сопротивления базы транзистора как в схеме с общим эмиттером и пересчитанного ко входу сопротивления резистора в цепи эмиттера, поэтому входное сопротивление схемы с общим коллектором очень велико. Её входное сопротивление самое большое из всех схем включения транзистора. Амплитудно-частотная характеристика схемы включения транзистора с общим коллектором достаточно широкополосна. Однако полоса пропускания усилителя может быть серьёзно ограничена из-за шунтирования высокого входного сопротивления схемы с общим коллектором паразитными емкостями, поэтому в основном схема с общим коллектором применяется в качестве буферного усилителя с высоким входным сопротивлением. Иногда она применяется для ослабления влияния нагрузки на характеристики высокочастотных генераторов и синтезаторов частоты. Вместе со статьей "Схемы включения транзистора" читают: Поиск по сайту сервисом ГУГЛ. Усилительные свойства транзистора моделируются генератором тока, ток которого определяется по формуле: Сопротивление эмиттерного перехода r Э в данной эквивалентной схеме можно определить по формуле: В зависимости от того, какой вывод транзистора является общим как для входа, так и для выхода усилителя, схемы включения транзистора называются: Схема с общим эмиттером Схема с общей базой Схема с общим коллектором Следует отметить, что данные схемы включения применяются не только для биполярных транзисторах, но и для всех типов полевых транзисторов. Схема с общим эмиттером Наиболее распространенной схемой включения транзистора является схема с общим эмиттером ОЭ. Функциональная схема включения транзистора с общим эмиттером На данной схеме цепи питания коллектора и базы транзистора не показаны. Функциональная схема включения транзистора с общей базой На этой схеме цепи питания коллектора и базы тоже не показаны. Поиск по сайту сервисом Яндекс.
Ирина аллегрова тексты песен
Как доехать до икеа химки от войковской
Магистраль карт личный кабинет тула
Игрына пк где нужно создавать персонажа
Старт самара каталог товаров официальный сайт
Где похоронена хюррем султан сулейман и михримах