= = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = =
Загрузить здесь: >>>>>> Скачать ТУТ!
= = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = =
Применение MOSFET транзисторов NXP Semiconductors в электронике
Mosfet - что это такое? Применение и проверка транзисторов
МОП-структура
Как проверить полевой транзистор, MOSFET-транзистор.
Особенности применения драйверов MOSFET и IGBT
Primary Menu
МОП-структура
Кроме транзисторов и сборок Дарлингтона есть еще один хороший способ рулить мощной постоянной нагрузкой — полевые МОП транзисторы. Полевой транзистор работает подобно обычному транзистору — слабым сигналом на затворе управляем мощным потоком через канал. Но, в отличии от биполярных транзисторов, тут управление идет не током, а напряжением. МОП по буржуйски MOSFET расшифровывается как Метал-Оксид-Полупроводник из этого сокращения становится понятна структура этого транзистора. Если на пальцах, то в нем есть полупроводниковый канал который служит как бы одной обкладкой конденсатора и вторая обкладка — металлический электрод, расположенный через тонкий слой оксида кремния, который является диэлектриком. Когда на затвор подают напряжение, то этот конденсатор заряжается, а электрическое поле затвора подтягивает к каналу заряды, в результате чего в канале возникают подвижные заряды, способные образовать электрический ток и сопротивление сток — исток резко падает. Чем выше напряжение, тем больше зарядов и ниже сопротивление, в итоге, сопротивление может снизиться до мизерных значений — сотые доли ома, а если поднимать напряжение дальше, то произойдет пробой слоя оксида и транзистору хана. Достоинство такого транзистора, по сравнению с биполярным очевидно — на затвор надо подавать напряжение, но так как там диэлектрик, то ток будет нулевым, а значит требуемая мощность на управление этим транзистором будет мизерной , по факту он потребляет только в момент переключения, когда идет заряд и разряд конденсатора. Недостаток же вытекает из его емкостного свойства — наличие емкости на затворе требует большого зарядного тока при открытии. В теории, равного бесконечности на бесконечно малом промежутки времени. А если ток ограничить резистором, то конденсатор будет заряжаться медленно — от постоянной времени RC цепи никуда не денешься. МОП Транзисторы бывают P и N канальные. Принцип у них один и тот же, разница лишь в полярности носителей тока в канале. Соответственно в разном направлении управляющего напряжения и включения в цепь. Очень часто транзисторы делают в виде комплиментарных пар. То есть есть две модели с совершенно одиннаковыми характеристиками, но одна из них N, а другая P канальные. Маркировка у них, как правило, отличается на одну цифру. Нагрузка включается в цепь стока. Вообще, в теории, полевому транзистору совершенно без разницы что считать у него истоком, а что стоком — разницы между ними нет. Но на практике есть, дело в том, что для улучшения характеристик исток и сток делают разной величины и конструкции плюс ко всему, в мощных полевиках часто есть обратный диод его еще называют паразитным, так как он образуется сам собой в силу особенности техпроцесса производства. У меня самыми ходовыми МОП транзисторами являются IRF n канальный и IRF p канальный в свое время я намутил их с полтора десятка каждого вида. Обладая не сильно габаритным корпусом TO этот транзистор может лихо протащить через себя до 9А. Сопротивление в открытом состоянии у него всего 0. Впрочем, это довольно старый транзистор, сейчас уже есть вещи и покруче, например IRF , способный протащить те же 9А, но при этом он умещается в корпус SO8 — размером с тетрадную клеточку. Одной из проблем состыковки MOSFET транзистора и микроконтроллера или цифровой схемы является то, что для полноценного открытия до полного насыщения этому транзистору надо вкатить на затвор довольно больше напряжение. Обычно это около 10 вольт, а МК может выдать максимум 5. На более мелких транзисторах сорудить цепочку, подающую питалово с высоковольтной цепи на затвор, чтобы прокачать его высоким напряжением. Типичные примеры драйверов это, например, IR Надо только не забывать, что есть драйверы верхнего и нижнего плеча или совмещенные, полумостовые. Выбор драйвера зависит от схемы включения нагрузки и комутирующего транзистора. Если обратишь внимание, то увидишь что с драйвером и в верхнем и нижнем плече используются N канальные транзисторы. Просто у них лучше характеристики чем у P канальных. Но тут возникает другая проблема. Для того, чтобы открыть N канальный транзистор в верхнем плече надо ему на затвор подать напряжение выше напряжения стока, а это, по сути дела, выше напряжения питания. Для этого в драйвере верхнего плеча используется накачка напряжения. Чем собственно и отличается драйвер нижнего плеча от драйвера верхнего плеча. Применить транзистор с малым отпирающим напряжением. Например из серии IRLA или им подобные. У них открывающие напряжения привязаны к логическим уровням. У них правда есть один недостаток — их порой сложно достать. Если обычные мощные полевики уже не являются проблемой, то управляемые логическим уровнем бывают далеко не всегда. Но вообще, правильней все же ставить драйвер, ведь кроме основных функций формирования управляющих сигналов он в качестве дополнительной фенечки обеспечивает и токовую защиту, защиту от пробоя, перенапряжения, оптимизирует скорость открытия на максимум, в общем, жрет свой ток не напрасно. Выбор транзистора тоже не очень сложен, особенно если не заморачиваться на предельные режимы. В первую очередь тебя должно волновать значение тока стока — I Drain или I D выбираешь транзистор по максимальному току для твоей нагрузки, лучше с запасом процентов так на Следующий важный для тебя параметр это V GS — напряжение насыщения Исток-Затвор или, проще говоря, управляющее напряжение. Иногда его пишут, но чаще приходится выглядывать из графиков. Ищешь график выходной характеристики Зависимость I D от V DS при разных значениях V GS. И прикидыываешь какой у тебя будет режим. Вот, например, надо тебе запитать двигатель на 12 вольт, с током 8А. На драйвер пожмотился и имеешь только 5 вольтовый управляющий сигнал. Первое что пришло на ум после этой статьи — IRF По току подходит с запасом 9А против требуемых 8. Но глянем на выходную характеристику:. Видишь, на 5 вольтах на затворе и токе в 8А падение напряжения на транзисторе составит около 4. А теперь посчитаем потери мощности — твой движок жрет 5А. При 8 амперах и 0. Больно дофига, не кажется? Вот и мне тоже кажется что слишком. Посмотрим тогда на IRL При 8 амперах и 5 вольтах на Gate напряжение на транзисторе составит около 3 вольт. Что даст нам 0. Если собираешься загнать на этот ключ ШИМ, то надо поинтересоваться временем открытия и закрытия транзистора, выбрать наибольшее и относительно времени посчитать предельную частоту на которую он способен. Зовется эта величина Switch Delay или t on , t off , в общем, как то так. Также не лишней будет посмотреть на емкость затвора C iss исходя из нее, а также ограничительного резистора в затворной цепи, можно рассчитать постоянную времени заряда затворной RC цепи и прикинуть быстродействие. При обращении с этими транзисторами учитывай тот факт, что статического электричества они боятся не просто сильно, а ОЧЕНЬ СИЛЬНО. Пробить затвор статическим зарядом более чем реально. Так что как купил, сразу же в фольгу и не доставай пока не будешь запаивать. Предварительно заземлись за батарею и надень шапочку из фольги: А в процессе проектирования схемы запомни еще одно простое правило — ни в коем случае нельзя оставлять висеть затвор полевика просто так — иначе он нажрет помех из воздуха и сам откроется. Вот вроде бы все, в следующий раз накатаю про мостовые схемы для управления движков. Да, я сейчас в Кургане и буду тут дней десять. Если кто есть с Кургана можно забухать! А то скучновато тута…. Исток на массу, сток — катушка замка — плюс. Параллельно катушке замка — диод 1N Подается импульс — замок открывается, а вот когда импульс выключается, происходит постепенное падение напряжения на катушке. Замок медленно закрывается, что не есть хорошо. Как увеличить скорость выключения индуктивной нагрузки? Будет ли такое решение оптимальным или есть другие варианты? Тут только каким то образом помешать току течь, в частности через тот самый обратный диод. Туда можно воткнуть подобие стабилитрона, на напряжение ниже напряжения пробоя транзистора. И это должно помочь. Кстати, недавно купил пару MOSFET транзисторов IRF и IRF Но они были без упаковки и фактор статического электричества я не учитывал… Можно ли проверить, рабочие они или нет? Подключи по простейшей схеме да замеряй мультиметром сопротивление. N канальные более живучие, так что может быть с ними все ок будет. Хотя я когда натырил до дома донес только половину: А я вот буквально недавно прикупил с помощью корефана из Питера ирф энд ирл -ок в со8 корпусе: В принципе всё работает , главное соблюсти соотношение сопротивления , примерно Да, его надо ставить максимально близко к затвору. Просто я в самый последний момент добавил ограничительное сопротивление: Опять же, на этот диод целиком и полностью полагаться нельзя, так как через него мощность из индуктивности рассеивается на шину питания, и что она там натворит — ещё неизвестно. Так что, если есть индуктивность, то её надо отдельным диодом шунтировать. При наличии мощных коммутируемых нагрузок, тем более индуктивных, в электронных схемах, шины питания должны быть зашунтированы конденсаторами достаточной емкости, это аксиома…. Любой выброс в цепи питания — лишний. Особенно, если вспомнить, какую паразитную индуктивность имеют конденсаторы достаточной емкости. От одного поставленного диода никому хуже не станет. А еще есть интеллектуальные ключи от той же IR. Сам не использовал, но люди из соседней конторы говорят что неубиваемые ключи. Насчёт статики по-моему опасения слишком преувеличены. Современные Мосфеты её не боятся. В разумных пределах, конечно. И встроенный внутри диод достаточно мощный. Дублировать его может понадобится с целью уменьшения нагрева корпуса или если не удовлетворяют временные характеристики этого диода а они действительно стрёмные…. Эта беда имела место со старыми советскими типа КП, КП… и т. Современные полевики статики боятся не больше чем микроконтроллеры, отношение к полевикам предвзято. Человек радиолюбитель гдето-чёта-когдато услышал про полевики и статику, и теперь переживает за все мелкие детальки. Мега8 в TQFP в фолге храницца, а такая же в дипе валяицца где-нить в коробке с себе подобными, да ищщё и воткнута в пенопласт! Я мощныеполевики проверяю так: От лабораторного с AV-метром блока питания два крокодиля на сток и исток. Пальцем замыкаю то затвор-исток, то то затвор сток. Получается что-то типа сенсорного выключателя. К стате IRF в ТО, а не в ТО А при описании характеристик для выбора транзистора, забыты ёмкость затвора Ciss в пикофарадах и заряд Qg в нанокулонах , который надо вкачать в гейт, чтобы открыть транзистор. Эти параметры очень важны если хотите быстрого переключения транзистора. Например, ток затвора в импульсе достигает единиц Ампер, хотя в статике вообще ноль практически. В общем на это надо обращать внимание при выборе сочетания драйвер-транзистор-частота коммутации. Кстати, DI HALT, вопрос по теме. Та же ситуация — нужно открывать мощный MOSFET в схеме торможения двигателя для слива перенапряжения на кондере в звене постоянного тока. Схему делал по-быстрому, поэтому не подумал и сунул от 5 вольт от контроллера. Сейчас тут нарисовал как без драйвера сделать: Как думаешь, такая схема прокатит? Частота ШИМа, которым открывается МОСФЕТ — 5 кГц. Снизу с контроллера — 5В ШИМ идёт. Драйвер ставить не хотелось бы…. На вскидку не скажу, надо или считать или моделить. Есть некоторые сомнения насчет открывания его. И чет я не догоняю на кой там VT4 с запиткой от 5 вольт на затвор. Он же будет через себя гонять ток до 0. Или я чето не понял: Мне тоже так вначале показалось, что VT4 ни к чему: VT4 там открыт постоянно, и как я понял выполняет функцию разделителя. Справа на 15 вольт подтянут, а слева на 5В, так вот, слева 15В не будет из-за транзистора. Если его убрать и напрямую соединить — то на контроллере будет 15В. Это показало моделирование в Proteus. Сейчас работает привод у меня этот, транзистор при торможении холодный а резистор греется, так что даже при 5В нормально в активном режиме. А по этой схеме по идее должно быть 15В. Вот и думаю, такую оставлять или надо переделывать — более мощный привод может и не простить таких ошибок. Ващет это не разделитель, а токовый источник получается. Нет, решение не промышленное пока что. Ставить драйвер ради одного транзистора жаба душит: Специальные для дёрганья Мосфетов дороговаты, но можно и простой подходящий подыскать. Зато все проблемы решаются. Это ж вроде обычный эмиттерный повторитель, который может качнуть ток, не не напряжение. И на выходе будет меньше напряжение чем на входе примерно на 0. Он же в ключевом режиме будет. Вогнал максимум, транз открылся, через 10кОмный резюк будет ток около 1. При этом на затвор высадит около 11 вольт, что более чем достаточно. Ну, а в закрытом состоянии ток будет столь мизерный, что на резисторе выпадет не более вольта, что ниже порога открывания. Но в целом да, не слишком удачная схема, хотя и работает. На эмиттере получим А ведь хотели именно напругу поднять, а не ток усиливать! А, блин, дебилушка… Надо бы мне было сначала комментарии все прочитать, там все написано. Не знаю что там стоит. Единственная мать которая попадалась мне в руки в полное владение стоит в моем компе: Да на что угодно. Но они там как правило 30 вольтовые… Зато управляются логическим уровнем. Осталось найти старые упсы: Вообще хорошо ремонтникам — у них всякого хлама много, хоть завыпаивайся: У меня 2 таких дохлых валяются. Прозванивал их, по-крайней мере, и в схему втыкал — не открываются. Видимо статикой убил, хотя странно, что оба померли. ИМХО вместо полевиков лучше использовать интеллектуальные сильнотоковые ключи. Что то типа IPS — управляется логическими уровнями, ток до 12 ампер, корпус TO Интересная штука, в следующий раз попробую заказать в симметроне. Там даже немного дешевле выходит, по 75р. А чем IPS S отличается? Он малость подороже, в даташите бегло просмотрел — не нашел: Хорошая статья, однако позволю себе добавить пару замечаний: Насчет 9 А через соик-8 — аналогичная ситуация. Посмотрите в даташит на BSCN03LSG от Infineon, например. Лехко впаивается на футпринт от соик-8, и при этом ток 93А постоянки и до А в импульсе. Однако закупиться такими и ставить везде подряд не получится, так как чем больший допустимый ток, тем толще канал и, как следствие, выше емкость затвора. Надо всегда компромисс выбирать. Помимо Ton указывается еще Toff — тоже надо учитывать. И самое главное — диод в мосфет не встраивают: И именно из-за него нельзя менять местами сток и исток, иначе ток в нагрузку потечет напрямую через паразитный диод и тут уж хоть зауправляйся затвором…: Только относится к этим циферкам надо,.. Меня как-то очень удивляют данные о токах в десятки и иногда сотни!!! Ампер через хлипкие выводы корпуса TO или тем более соик-8 и т. Насколько я понимаю, в даташитах речь идёт о токах через непосредственно кристалл и не более того! В реале же отгорят либо ноги, либо соединения от ног к кристаллу внутри корпуса. Да знаешь, когда я работал электриком, то на перемычку в А предохранитель мы ставили тонюсенький медный волосок. И то порой выдерживал и не сгорал. Через ножку меньше 1мм2? Не знаю какой там был ток, но от одного предохранителя питается целая группа линии освещения, а это лампы ДРЛ по Вт каждая. Сколько их не помню, но дофига. Или станок с движком размером с меня. А волосок именно был тонкий. Представь себе обычный многожильный провод, например от телевизора, ну чуть потолще. Мы брали одну жилку этого провода — проволочка где то 0. Цепляли ее на зажимы вместо родной нормированной плавкой вставки которых вечно не было и засыпали это дело песком. И вот такой вот предохранитель прекрасно держал этот ток. Ну конечно никому в здравом уме не придет в голову пропускать 90 Ампер через него: Я через этот транзистор пропускал 25А для теста. А куда там на него радиатор то вешать? SO корпус не позволяет же устроить рассеяние. Хотя один хрен на полигон много не отведешь. Там небольшая печатная платка с их компонентами — усилок на 2,5кВт. Так вот сама печатная плата сделана из металлическоо сплава и покрыта изолятором с одной стороны где дорожки и компоненты. Для пересечения дорожек используют 0-омные резисторы , потому как вся разводка односторонняя. Такую плату в руках держишь как кусок листового железа. Так вот на подобной плате а не на текстолите с полигонами я думаю можно забабахать существенный ток через мелкий мосфет. В даташите же не сказано на какую плату паять: Дело ведь не в тонкости ног а в их сопротивлении. И коэффициенте рассеяния тепла. Ноги по сравнению с кристаллом имеют меньшее сопротивление и коротенькие они совсем, поэтому, даже при нехилой плотности тока, мощность на ножках выделяется мизерная и ничего с ними не будет. Почему делают толстые провода и где? ВЧ схемы чичас не берём. Там где ток большой, напряжение маленькое а провода длинные. Итого чтоб не терять большой процент мощности на кабельной системе. А какие потери будут на паяном скажем, soic8 на плате? Скорее всего на точках пайки. А кстати, в целом по устройству основные потери будут на клеммниках и проводах это я как авиамоделист электровертолетов говорю: Ну и кроме этого… драйвер мосфета это хорошо, но иногда проще дешевле и доступнее забацать драйвер входа силового мосфета на паре комплементарных биполярников totem-pole driver у буржуев называется. Простой коллекторный усилитель ставить неэффективно в ключевых схемах ибо при хорошем фронте получим затянутый спад через коллекторный резистор большой заряд с затвора будет уходить не слишком шустро, и все, завал и мосфет как печка. Напрямую включать затвор к микроконтроллеру даже через резистор очень не рекомендую — легко пожечь выход микрика наводкой, импульсы с нагрузки back-emf очень неплохо проникают на затвор через ёмкость канал-затвор и жгут во всех смыслах: А вот это точно! Я правда сам не сильно с ними дело имел, но знающие люди говорят, да и по даташитам видно. К сожалению в России более-менее доступны именно IRxx: Вообще странно, особенно учитывая тот факт ,что ИР ничо кроме всяких ключей толком и не выпускает. По идее это их ваще стезя, должны там рвать всех. Немного поретранслирую печатные источники: Кстати, обратил внимание, что у Р-канальных характеристики хуже чаще в мостовых схемах все N-канальные. Э-э, а кофе он не варит? Покажите мне место в какой-нибудь спецификации, где описаны эти фенечки. CS, ERR есть не во всех драйверах. Время открытия напрямую зависит от емкости, емкость привязана к заряду. Так что заряд это как обобщенный параметр. Да многие low Side драйверы имеют вход с токового шунта. Также во многих есть такая фича как UnderVoltage lockout. Конечно не во всех, но в очень многих. Диод может и технологическая издержка не знал , но в качестве защитного тоже вполне канает. Особенно при несильно брутальной нагрузке. Лично я после долгих пинаний цена-vs-токи-vs-доступность выбрал IR Hi-Low. Цена на комплектуху ваще логике не поддается. Тем более это полумост, а — только нижнее плечо. Нету у него только защиты от КЗ и перегрузки по току. А так и Dead Time выдерживает и за перенапряжением следит. Ровно в два раза: Я думаю, они таким образом регулируют запасы на складах: Покупаю я здесь http: В чём разница между IRSTR и IRS я даже по даташиту не нашёл кроме того, что TR — это shipped on Tape and Reel. TR — это значит он продается в ленте, намотанной на катушку. Например в IRS , IRS Причём в них контролируется ток обоих плеч отдельно. Само-сабой имеют защиту от пониженного и повышенного напряжения. Плюс имеют регулируемый Дэд-тайм. Q — заряд и он связан с емкостью через напряжение. Правда там нелинейная зависимость в мосфетах, поэтому емкость меняется по ходу заряда график со ступенькой в даташитах обычно есть. Поэтому более правильно приводить Q, но производители часто для упрощения приводят емкость. Про характеристики P-канальных — да, они технологически так устроены что параметры хуже чем у N, и дороже они выходят. Именно поэтому их иногда можно заменить на N — например в схемах разделения нагрузки между несколькими источниками питания. Правда вместо одного P приходится ставить 2 N т. Прошу прощения если вас не затруднит потом как нить напишите статейку про использование протокола RC5 потому как на асме мало нормальных примеров контроллер у меня At90S поэтому писать на Сях это изврат!!! Там где я писал про фотодатчики в первой или второй статье есть ссылка на журнал моего коллеги, который подробно эти протоколы разжевал. Повторять его не имеет смысла. Кстати, Ди, ты самую вкусную фишку мосфетов забыл написать: Собственно, мощные мосфеты так и устроены — куча мелких параллельных ячеек. А проблем с открыванием не будет? Если слабый откроется чуть раньше чем его сосед, ему же кирдык настанет, а потом и соседу. Или риск этого ничтожен? Похоже, что не будет, если взять два одинаковых транзистора. Как пример, у меня есть материнка под Р4, где в нижних плечах импульного источника, что питает проц, стоит по два транз. Омметр показывает, что их затворы просто соединены вместе и подключены к выходу драйвера. Посмотрел в инете фотки материнских: А фишка эта объясняется тем, что с ростом температуры сопротивление p-n переходов падает, а сопротивление полупроводника растет. Поэтому если запаралеллить биполярные транзисторы, то тот через который потечет чуть бОльший ток начнет нагреваться и, как следствие, пропускать еще больше тока чем соседи. В результате он сгорит и весь ток пойдет через оставшихся, выжигая все поочереди весь процесс займет доли секунды, естественно. А параллельные мосфеты автоматически выравнивают ток — тот который больше греется у него повышается сопротивление канала и снижается ток. Но с биполярными не всё так плохо: GIF написано что MOSFET открывается плюсом? Тогда получается, что на рисунке http: GIF MOSFET уже открыт, ну плюс ведь на затворе. Затем подключая ногу мк к плюсу, мы открываем транзистор VT1, так как он npn-типа и открывается плюсом , тем самым закрывая MOSFET, так, как к его затвору уже пришёл минус npn открытый. То есть в даной схеме подключения, выводя на ногу мк уровень логической 1 подключая ногу к плюсу мы закрываем MOSFET, а подключая ногу мк к минусу — MOSFET открывается. С программной точки зрения разницы нет. Если есть опасения, что будет включенопри пуске, то можно подтянуть базу транзистора к единице, чтобы сразу же открывался, а портом сажать на землю. А если не инверсное управление, то затвор MOSFETа убираем с коллектора и через резистор в Ом сажаем на эмитер? Не, так не выйдет. Между базой и эмитером PN переход, считай что диод. Придется поставить еще один транзистор, чтобы он синверсил. Просто сдесь у меня шаговик KP39HM на столе лежит и очень хочет что-бы я его запустил Я решил пойти ему на встречу и сегодня сходил взял четыре ирефа ых.. Хочу это всё дело от кампа запитать 12 вольт я там сыскать всё-таки смогу. А какое сопротивление обмотки шаговика? Подели свои 12 вольт на это сопротивление — увидишь ток. И еще, раз у тебя 4ре одинаковых мосфета n канальные вроде , то лучше купить два полумостовых драйвера. Выйграешь кучу плюшек — не надо будет парится с открытием верхнего ключа там нужен P канальный , не надо будет парить мозг насчет deadtime и прочих гадостей. Ну и управление логическим уровнем это круто! Кризис в стране… в магазинах и на базаре почти нихера нет. Я минут 15 простоял около продавца, пока тот наконец-то сыскал то, что меня впринципе устроит и в нужном для меня колличестве — 4 шт. Сигнальние 4 шт между собой: А какой всё-же драйвер посоветуете? А есть только У нас он стоит чуток дешевле Меньше не больше, драйвер будет работать и на Чтобы ИРФки полностью открывались, включай как выше на картинке с транзистором только не забудь, что там инверсия Потом когда-нить если захочешь выжать всё что может ШД, добавишь драйвер с ШИМ-контролем тока или чего-нить самодельное. А пока и так сойдёт. Кстати, — говоришь, дорого ИРФки обошлись.. IRF зря взял, они же высоковольтные, потому и дорогие. Достаточно вполне вольт Например, IRF, … А для большинства шаговиков очень удобны ULN, ULN 7 и 8 мощных ключей, и защитные диоды внутри уже есть. Я обычно их использую. Шаговик от 5-ти дюймового старого дисковода, препод подарил сегодня, кстати, дисковод нарыл. Эти моторчики в болгарских и советских дисководах вообще были запитаны от 12В через КЛА18!! Лучше оставь IRF на что-нить другое. Будет и проще и надёжнее. Где то с год назад проводил эксперимент. Взял IRF ку вроде ю между стоком и истоком подключил мультиметр на писк, минус кроны на исток плюсом тыкал в затвор, так вот в него тыкаешь и убираешь сразу же, а мультиметр пищит секунды две. Там же между затвором и каналом словно конденсатор. Ты его плюсом то зарядил, а разряжать кто будет? Пока заряд сам не стечет через потери транзюк будет открыт. Если бы после того как ты снял плюс с затвора ты этот затвор посадил сразу же на минус, то пищать перестало бы мгновенно. Ответьте пожалуйста чайнику, разве подтягивающий резюк в 10к не ограничивает ток заряда емкости затвора и зачем тогда нужен резюк в Ом? На первом этапе происходит заряд емкости Cзи и перезаряд Сзс до напряжения на затворе, равном пороговому. Транзистор при этом остается запертым. На втором этапе транзистор отпирается и переходит в активный усилительный режим. На этом этапе перезаряд замедляется за счет действия отрицательной обратной связи эффект Миллера. В течение 3-го этапа напряжение на затворе остается практически постоянным. По окончании перезаряда емкости напряжение на затворе увеличивается до величины Umax. Выключение происходит в обратном порядке. А чем больше время переключения тем соответственно больше потери так как у транзисторов основная мощность выделяется именно в момент переключения, когда он не полностью открыт и не полностью закрыт. Ну и быстродействие естественно падает. Поэтому для уменьшения потерь в ключевом режиме и стараются обеспечить как можно меньшее сопротивление в цепи затвора. Спасибо за ответ, но спрашивал я не совсем про то. Вопрос был по схемке где полевичек подключался к открытому коллектору. И еще вопрос, а нужен ли этот для низкочастотной схемы, вроде если емкость полевика коротнет на землю пару раз то он сильно то не перегреется? BS я без всяких резисторов в цепи затвора подключал — но там емкость всего 40 pF. Мощные так включать не пробовал, по ТУ положено ставить резистор. У мощных емкости на порядок выше. Или кхм… управлять полевиком мощным биполярным транзистором смотреть по крайне мере, что бы он в импульсе хотя бы ампер 5 держал. Да, но заряд происходит от VCC, которое может быть весьма большим, а разряд на землю, потенциал которой меньше заряженного затвора на 10…12 вольт всего. Сюда надо бы стабилитрон поставить параллельно КЭ транзистора, ибо излишней напругой на затвор можно убить полевик. А вообще эта схема всего лишь упрощённый пример для пояснения принципа, а не готовый кусок рабочей схемы. Если делать драйвер на дискретных элементах то имхо лучше двухтактный каскад для раскачки полевика, например на паре КТ и КТ P. Сейчас не поленился — поднял схему блока управления картоприемника. Там примерно такое же решение. Для управления электромагнитом стоит IRFN, а для раскачки используется 2NA и пара TIP и TIP Все это управляется от AT90S На раскачку напряжения не хватает. Смотрим даташит на полевик — там пороговое напряжение для транзистора IRF равно около 4,5 вольта. Используй для раскачки схему с общим эмиттером, что бы на затворе было около 10 вольт. Я не понял, чем тебе не понравилась схема из этой статьи.. Неужели трудно в прошиве Меги сделать инверсию выхода? Из нерабочего li-ion аккума вытащил полевик http: Поигрался, отложил в сторонку. Через минут смотрю — лазер горит! Юзал полевик в первый раз, хитростей не знаю…. И еще, есть небольшая вероятность, что лазер оставил включенным, а он, выделяя тепло, как-то выключил МК… вот еще инфа: Если затвор к земле не подтянут или подтянут через слишком большое сопротивление, то он может нажраться из эфира и открыться сам. А можно нагрузку к Истоку Source подцеплять?? Просто у него совмещенные Стоки Drain , а хочется обоими полевиками управлять. Не, это полумост походу. Два таких образуют H- мост, для движков это круто — можно реверс сделать или переменное напряжение родить. А чо за транзистор то? О-о, прикольно… Я его из контроллера точнее защиты дохлого Li-ion аккума достал. Схемку подключения к микроконтроллеру если можно нарисуйте. ЗЫ коммутировать нужно плюс 12вольт 5 ампер. DI HALT, ИМХО в комментарии к графику зависимости Id от Vds для IRL закралась неточность, а именно при 8 амперах и 5 вольтах на Gate напряжение на транзисторе составит около трех вольт, а не двух, как ты пишешь. А можно ли вместо VT1 биполярного транзистора воткнуть оптопару, например PC? Достаточно ли будет омного ограничительного резистора, как показано на Вашем рисунке, если MOSFET запитан от 12 Вольт? Или такую оптопару придется колхозить каскадом вместе с транзистором VT1? Планирую их прикручивать непосредственно затвором к ноге AVR без всяких ограничительных резисторов в режиме ШИМ. Ёмкость затвора pF, вроде совсем немного. Не то чтобы жалко было резистор поставить, просто сильно ограничен в площади платы, каждый квадратный миллиметр на счету. И, кстати, мне не совсем ясен смысл ограничительного резистора в цепи затвора на третьем рисунке который ом. Биполярник без него может сгореть при разряде затворной емкости на землю. Там ничего не ограничено. Ну и от звона помогает. Добрый вечер, DI HALT. В своем сообщении от 26 июля в Это же вообще дофига! У меня точно фототранзистор в оптопаре не сгорит? У тебя заряжен затвор до какого напряжения? Вот думаю он вполне эти мА протянет. Но уточни по даташиту. Если чо чуть увеличь сопротивление. Пиковый не указан в даташите. Что будет, если напряжение затвор-исток Vgs превысит максимум, заявленый в спецификации на пару вольт: Пыхнет и закроется; пыхнет, откроется и потянет за собой всю схему? Или это неопределённый процесс? Возможно затвор пробьет насквозь со всеми вытекающими последствиями. Впрочем, на пару вольт не должно быть ничего страшного. Подскажите чайнику Как открыть полностью полевик нагрузка у которого стоит в истоке. Схема при помощи дроселя http: Если можно схему пожалуйста. Можно попробовать создать удвоитель напряжения, но для него потребуется генератор. Проще всего с драйвером. Пока что спрошу по теме: Тогда в чем предназначение драйвера в этом случае? А там что то вроде умножителя на переключащихся кондерах чтоль. Погляди на Vb оно там до вольт накидывается, а диод, чтобы это в питание не ушло. Нагружается то все на мизерную емкость затвора и в статике не кушает. Там нет нужды городить мощный преобразователь. В ближайшее время попробую, спасибо. Пока нашел только max и lm с реальной накачкой, найти в продаже пока не могу: Какие-нибудь грабли могут быть? Так там ток мизерный, хотя на Гц вроде должно хватить…. Готовый драйвер имеет ряд ухищрений для того, чтобы максимально быстро открыть и закрыть полевик. Ну и защиты разные. А защиты типа dead time и все остальное — можно реализовать на AVR, который будет управлять этим хозяйством…. Открываться то он будет быстро. А вот на закрытие будет рассасываться через резистор, что медленно. У меня сгорел инвертор ноутбука. Оказалось, сгорела вторичная обмотка на повышающем трансформаторе. Я отпаял трансформатор, снял вторичную обмотку, намотал проводом 0. В результате лампа не зажглась. Какие сигналы должны идти на инвертор? Какой сигнал должен быть на первичной обмотке трансформатора? Какой сигнал должен быть на вторичной обмотке трансформатора? Если выбросить из платы специализированную микросхему вместе с обвязом, и сварганить генератор меандра на КЛА3, или ШИМ на AtMega8? Там же нужен будет транзистор в первичной обмотке. Какой транзистор поставить, и из чего исходить? А при открытии VT1 на затворе полевика появится 0, то есть он закроется…. Кто нить знает, существует ли в природе полевик, способный при 5 вольтах есессно не от логики на затворе открыться, и пропустить ток не менее 5А при напряжении Вольт? Это очень опасно и запрещено по ТБ. Для заземления персонал обязан использовать ТОЛЬКО предназначенный для этого контур заземления с гарантированным сопротивлением не более 4 Ом. Для того чтобы не стать причиной повреждения МОП-транзистора используйте антистатический инструмент, паспортизованный контур заземления, антистатические браслеты, и антистатический и диэлектрические принадлежности при возможности и удобстве например, антистатический коврик. День добрый DI HALT! У меня есь еще пару вопросов… если можно не на Форуме мой майл vasiliy mail. Сразу уточню — я новичек совсем, пытаюсь разбираться, так что прошу сильно не пинать. В общем у меня вопрос по IRF В даташите есть Gate to Source Voltage и Gate Threshold Voltage. Я правильно понимаю, что первое означает максимальное напряжение, которое можно подать для открытия и при этом он не умрет? Что будет, если подать больше 4 вольт? Это напряжение ниже которого транзистор находится еще в линейном режиме, а выше уже открыт полностью и шире открыться уже не может. Пытаемся выбрать драйвер верхнего плеча очень надо управление плюсами Два вопроса. На примере IRPBF http: Или только для двух транзисторов, между которыми подключается нагрузка? Двуплечий драйвер это полумост. Нагрузка включается не между ними, а между двумя полумостами. Решаю задачу по управлению двигателем постоянного тока, питается от вольт и 10 ампер. Реально ли подобрать транзистор для реализации ШИМа и соответственно управления? Да, посмотри в сторону IGBT транзисторов. Они более высоковольтные чем MOSFET и заточены под управление силовой нагрузкой. Есть вибромоторчик, прекрасно работяющий на этих 3. Специфика железки такова, что кроме двигателя там ничего потреблять не будет, и хочется сделать её как можно более долго живущей. Я пока нарыл полевик IRLML — но ьеперь маюсь, можно ли его через мелкий резистор ом на 20 подключать к контроллеру. Вроде как ток великоват будет. А если нельзя — что будет оптимальным в данном случае? Можно, резистор на затвор можно и ом на Насколько помню, ирлмл тащит около 3А через себя, а тут жалкие 70мА. Ток — я имел в виду на ноге контроллера. При этом чтобы мосфет не сидел пол-жизни в линейном режиме и не расходовал батарейку на обогрев атмосферы. Чтобы он не сидел в линейном режиме достаточно, чтобы на GATE хватало напряжения для его полноценного открытия. В статичном же режиме он равен нулю. Считай, что затвор его это конденсатор. Мы его заряжаем или разряжаем. Ограничительный резистор нужен, чтобы не убить вывод МК, который во время зарядки кондера может выдать ток под десятки ампер в импульсе. Это у меня какое-то помрачение рассудка было — не посчитал, сколько длится зарядка на ом. На чипе-дипе у некоторых полевых транзисторов, например 2N, в тех. Страшно подумать сколько же оно в закрытом состоянии! Что-то не сходится с выше написанным. Кто знает объясните почему и зачем такое большое сопротивление в открытом состоянии? Сам блин не догоняю. Я думал что в открытом состоянии сопротивление канала должно быть маленькое, а в закрытом большое. Подскажите, чем отличается Tc от Ta в даташитах IRF? Подозрение, что в первом случае данные идут для кристалла, во втором с использованием конкретного корпуса. Просто приглянулась линейка IRFH IRFH, IRFH для токов до 80А, но как-то стремно-маленькие корпуса в них. Так что, никто не знает? Знаю, что C-continuous, а А-absolute. И если с continuous вроде понятно, то в каких режимах absolute? Чет в даташите нигде не найду. Тыкните носом, если кто в курсе. Подскажите, как правильно подобрать драйвер верхнего плеча под мощный мосфет? Например, IRF — подойдет ли к нему IR? Последний выдает Ма, а где этот параметр в даташите на транзистор? Мощный отличается от слабого только тем, что мощный это слабых в одном корпусе. А значит у них суммируются емкости затворов. Если ток нагрузки большой, полевик может выйти из строя за время открытия. Надо либо уменьшить 10К резистор, что тянет за собой увеличение мощности управляющего биполярника, либо поставить комплиментарный биполярник вместо 10К резистора. Возьмем микроконтроллер, с него выдается ШИМ на одну из ножек. Ставлю N-канальный транзистор, исток на земле, сток на нагрузку. Все работает как надо — открывается, закрывается, ШИМит — красота! Но такая штука — получается, транзистор заменяет собой для нагрузки землю. А если в устройстве земля на всем металлическом корпусе, и изолировать ее от нагрузки нереально? Надо рулить плюсом нагрузки. Хорошо, заменим транзистор на P-канальный. Потому что ножка дает по отношению к истоку либо -7, либо в, а для закрытия надо чтобы было 0. Но аппаратный ШИМ так не работает: Так что же, впихивать сюда еще один транзистор только для того чтобы закрывать этот? Не хочется, зря что ли транзистор выбран logic level? Чувствую что должно быть простое и очевидное решение, но не могу сообразить какое…. По расчётам резистор на затворе для ШИМ 32КГц получается кОм если цеплять от МК. Ясно что не пойдёт Схема с драйвером на дискретке понятна. Резистор на затворе как рассчитывать? Нагрузка работает на 12V RGB лента. Транзистор я так понимаю сойдёт типа Г? А какими такими расчетами вы там насчитали 35кОм? Тут достаточно ом двести. Если конечно напряжения выхода МК хватит. У полевика минимальное напряжение открытия затвора 4,5В. Я хочу открывать через 12В, так как не хочу нагружать контроллер. Для его управления через биполярный транзистор на какую мощность брать биполярник? Бился целый день, так и не смог подружить IR и IRF Сначала тупо не было импульсов на выходе микросхемы, поставил по входу ключ из КТ, пошло, драйвер открылся. Посмотрел осциллом — форма импульсов на выходе больше на пилу похожа и скважность их не меняется, хотя по входу все пучком. Резистор в цепи затвора 9. Как вообще емкость посчитать этого конденсатора? Диод поставил 1N, других нету, хотя сомнения берут — веде пишут что нужен быстродействующий. Питал все это дело от 12В, хотя на казусе писали, что нужно не меньше 15, может в этом дело. Не знаю как и быть, что и делать. Друзья, ни как не могу отгадать загадку. Чё й то полевик сам открывается? В общем прежде чем первый раз делать импульсный источник питания и втыкать его в решил снчала поэкспериментировать с трансом Но … В нагрузку полевика включил первичную обмотку транса, а вторичную нагрузил резистором. Дык вот когда управляющее напряжение упадет до нуля транзистор закрывется, но открывается он почему то гораздо раньше прихода на затвор импульса. Може я чёто не знаю о полевиках? А если вместо транса ставлю просто резистор то всё нормально. Скороей ты просто не знаешь кой чего о трансах. Там же индуктивная нагрузка, когда ты ее вырубаешь она тебе выносит полевик. Всмысле он от большого напряжения между стоком и истоком открывается? А оно какоето обозначение в даташите имеет? Это че и есть то самое напряжение? При обрыве индуктивности там и до пары киловольт подскочить может. Тут надо через обратный диод развязывать эти выбросы. Забыл што на осцилографе можно в десять раз сигнал ослабить. Такнул туда и увидел В. Просто ставилась задача иследовать трансформатор. Вощем если я правильно понял то Vds это напряжение при привышении которого не обязательно транзистор сгорит а может взять и открыться? Это не открытие это пробой уже будет. Если бы напряжение было не импульсное, то он перешел бы в тепловой и транзистору хана. У меня задача такая: Хочу управлять нагрузкой в ампер. Схема на Р-канальном транзистре. Посоветуйте как лучше быть с монтажем и в целом при таких нагрузках какие подводные камни есть? Дорожка по 40 ампер это добрых 5см, лучше провод припаять напрямую к ногам транзистра SOTкорпус или это как то иначе решается? Просто я в силовой электронике новичек и всех отнкостей не знаю. Дорожку лучше поверх еще проводом пропаять и припоя не жалеть. Тут главное, чтобы все мощные цепи замыкались подальше от управляющих, а то наводки могут быть дикие. Это из этой оперы? И если да то где можно найти такою документаци. Вот тоже мучаюсь управляю коллекторным двигателем с помощью IRFP Но стоит мне к мотору приделать нагрузку или шток пассатижами притормозить или резко увеличить скважность скачком сразу пробивает один какой нито из десяти параллельно включенных полевиков, диодная защита есть… Не знаю на что думать их уже у меня только 6 осталось; Пусковой ток у двигана 20, а если посмотреть по даташиту то каждый может пропустить по 13 ампер а их у меня 6 — 78А что им еще надо… мк питал всяко и 5 и 6 и 12 и 15 вольт все та же картина… ему кстати ничего не делается… Может дело в запирающем транзисторе который при конце импульса сажает затвор для более резкого закрытия полевиков…. Пусковой, грубо, в пять раз больше. И на что же вы надеетесь? Странно, возможно чего то не понимаю… даже если 70А пусковой ток.. Или мне что двадцать в ряд соединять чтоли?? Это уж вообще будет они и на радиатор то не уберутся Все упирается в проблему, как найти бы что нибудь например от трамвая… но живу в деревне за барахлом в город а там ничерта нету, эти полевики самые мощные что есть. А в параллельном включении есть ряд нюансов. Например большая суммарная емкость затвора, возможно драйвер ее не смог раскачать и полевик тупо сдох от нагрева, так как не открывался достаточно быстро. Осциллографом бы посмотреть на фронты. Вот черт… осцилограф есть но он доисторический на нем не знаю что разгляжу Спасибо! Рекомендую еще попробовать на неиндуктивной нагрузке. Воткни в него бытовой обогреватель на 2квт или пару утюгов в параллель. Если будет также вышибать, ну точно перегрев. Надо делать так, чтобы транзистор закрывался и открывался быстрей. Если будет тянуть, то тут надо думать. Прикидывать какие там могут быть выбросы и как они идут. Отлично… Померял… Они блин все дохлые А драйвер вроде мощный Попробовал на IRF батарея такая из 12 штук, подрубил чайник… все вроде нормально открывается по моему осцилографу, но опять та же фигня чуть больше скважнность сделал и сгорел один какой-то… Ясно вроде похимичим осцилограф другой надо А чтобы быстрее что можно? Какой максимальный коэффициент заполнения может обеспечить IR? Ну и не только конкретно эта мс, а вообще мс подобного принципа действия. Можно ли на выход МК поставить IPS и к нему сразу IRF? А с ними еще проще: Тут тему поднял, посоветовали обвязку — с ней почти не греется. Напрямую от МК видимо при лог. То есть либо рассыпухой обвязку делать, либо драйвер, чтобы полностью затвор при лог. И вот тут-то я ничего не понимаююю…… Какой драйвер, как вотктнуть… щас мозг перегреется…: Уважаемый автор статьи, здравствуйте! Во первых спасибо за статью! В статье видно у драйвера IR Диод и кондёр для накачки повышенным напряжением, получается что в постоянно включённом режиме полевик держать неполучиться. Нужно постоянно дёргать вход драйвера чтобы происходила подкачаа. В протеусе моделировал для IR думаю для IR схемотехника такая же — без дёрганья входа, напряжение на затворе падает.. Вопрос, а есть ли драйвера в которых есть шим генератор который делает накачку, и нам как конечным пользователям не нужно об этом забоиться. Спасибо за потенциально возможные комментарии. Да, накачка там импульсная. А вот чтобы набивалось и держало… я такого не припомню. Но я не особо плотно интересовался темой. Оборудование плохо спроектированно, часто происходит переброс высокого напряжения на низковольные цепи, как результат — эти транзюки мрут там пачками. За последние года поменяли их более тысячи, или около того. Так вот таскаем их как попало, лапаем как попало, вобщем обращаемся с ними максимально наплевательски — и НИ ОДНОГО просто так сдохшего транзюка. Буквально сегодня статикой убил irf Транзистор как положено заперся, перепаял затвор на землю, транзистор открылся. Спасибо за сайт вообще и за эту статью в частности. Хочу собрать схему для управления нагрузкой от COM-порта, он же RS Напряжение там около 12 вольт, что должно хватить. В старой мамке нашел пару транзисторов с надписью NEC K 23M на корпусе. Поискал описание, нашлось вот такое: K ссылка на pdf-ку по клику на картинку. Корпус у него, видимо, TO http: В даташите написано, что выходов Drain у него два — на средней ножке, точнее, на ее обрубке и на верхней толстой штуке, которая на даташите обозначена как Fin. К мамке он припаян именно за эту толстую штуку. Не смог найти внятного объяснения, зачем у транзистора такая форма с обрубком ноги и дополнительным выходом сверху. Это не обрубок ноги, а часть подложки. Хз, может торчащий кусок металла увеличивает прочность. А может для тестов каких. И заземляться на батарею при этом? Ну посмотри как оно к материнкам припаяно. Паяется оно плашмя на площадку, этот же большой контакт служит теплоотводом. Без него транз может сдохнуть от перегрева. Правда во-первых я транзистор не выпаял из платы не смог , а выпилил ножевкой вместе с куском платы. И припаял, соответственно, не к толстому контакту, а к куску ноги. Для разработки ИППНа в качестве ключа выбрал транзистор IRFz и драйвер к ниму IR И с отсюда выплывает ряд вопросов: Подойдет ли этот драйвер к транзистору? А то, честно говоря, так особо и не понял по каким параметрам стоит подбирать драйвер 2. Какое сопротивление нужно впаивать как можно ближе к затвору: Rg или то, через которое мы соединяем затвор с землей? Нужно ли вообще подключать затвор к земле через резистор при использовании драйвера? Заранее спасибо всем откликнувшимся! Замечательный ресурс, и автор молодец! Все написано простым доступным языком и приведенная информация очень помогает восполнять пробелы в знаниях по радиоэлектронике. Спасибо автору за огромную проделанную работу во благо всех интересующихся. Вот еще интересный способ: Вроде все расчеты с 8А. Не понял откуда 5 взялось. Просто я как начинающий, в первую очередь подумал, что я не понимаю чего-то очевидного. Так может исправить, если это ошибка? А то по этой статье не одно поколение новичков выучилось и ещё выучится. Как сделать истоковый повторитель на мосфет. Разница до 5 вольт между затвором и истоком получается…. Все я мозги сломал, посоветуйте пожалуйста транз MOSFET и биполярник чтоб открыть его. И все-таки возвращаясь к схеме http: GIF Мне кажется, что данная схема должна управлять p-канальным полевиком вон и подтяжка к питанию , а в схеме изображен n-канальный. Получается, надо поменять тип полевика и, соответственно, нагрузку в исток поставить. Или я неправильно понял? У нас есть дешевые irfz24n 24руб до 17А. Можно поставить на ШИМ, с интеграцией конденсатором 10мкф и резистором ом. Транзистор будет работать не в ключевом, а в аналоговом режиме. На второй картинке красная линия проходит не через 12 В, а через 2 В. Я ещё только интересуюсь всей этой тематикой, но не могу понять, откуда там на первой картинке 4. Зато на второй 3 В никак не получается — там скорее ближе к Делаю схему для управления при помощи ШИМ мощным rgb-светодиодом 3 Вт, мА мк ATmega8A c питанием 5 В. Подойдёт ли предложенный в статье драйвер IR, если у меня полевик будет IRLML? А я правильно понимаю, что на затвор надо подавать не более 2. Вот выдержка из даташита http: Не совсем понимаю по графикам зависимости Vgs-Id-Vds. Местами они не сходятся. По графику Rds значения получаются меньше. В руководствах от производителей я нигде не увидел что оценку сопротивления D-S можно производить по графику вых хар-ки, Указанный в граффике Vds это же не Vds on , а напряжение приложенное к транзистору но никак не падение на нем. Или я чего то непонимаю? Кстати, а что за даташит с графиком Rdson -Id? Для упомянутых в статье IRF и IRL в даташите есть только зависимость Rdson от температуры, причём значение указано нормализованное, а не абсолютное. Глупый вопрос может, но. То есть микроконтролер питается от своего источника питания 5 вольт, а mosfet управляет нагрузкой вольт, нужно ли объединять в одной точке земли этих 2-х источников? А если так подключать полевой транзистор — http: Для чего используется вот такой способ управления MOSFET-ом? Он усиливает маломощный выход какого-нибудь контроллера и мотает этими двумя транзисторами затвор от всей души. На 12 вольт резко вверх и на землю резко вниз. Получается быстрое открытие и быстрое закрытие, с минимальными переходными процессами. День добрый, помогите разобраться с таким моментом… У меня транзистор IRFZ44N, мне нужно протащить через него 14,5 ампер при 5 вольтах. Можно ли на затвор подавать управляющее напряжение больше управляемого? Уважаемый DI HALT, помогите, пожалуйста советом. Не вдаваясь в подробности, мне надо сделать эмулятор-развязку форсунок автомобиля, обмотки клапанов форсунок планирую питать n-MOSFET APGD 3. Активное сопротивление обмоток 8 Ом параллельно две по 16 Ом. Вопрос в том, как защитить полевики от обратных скачков при размыкании не увеличив время закрытия форсунок. В сервисном мануале от машины утверждается, что скачки будут около 70 В. А стандартные обратные диоды сильно затягивают закрытие? Если да, тады ой — единственное, что приходит в голову, это супрессор параллельно ключу, плюс быстродействующий токовый размыкатель последовательно с обмоткой — а вот в нём и закавыка, в виде одного элемента фиг найдёшь на значительные токи и напряжения, а городить сложную схему также на мосфете — сказка про белого бычка получается. В качестве примера использовал схему ключей в количестве 8шт. Да транзистор тут просто сливает заряд в землю. Тут по большей части пофигу. Вообще ты что то перемудрил. Делал чтоль все из подручного хлама? N канальник можно pnp транзюком открывать с минимальной обвязкой. Где-то читал что безопасней для мк если n-мосфет включать через биполярник, в частности pnp. Но встретился с тем, что некоторые мосфеты не заперты полностью, светодиоды имеют небольшое свечение, следовательно идет их нагрев, при отсутствии сигнала на ноге мк. Там написано ,что его открыли и он должен оставаться открытым. Ничего не могу понять,помогите разъяснить. Вопрос — на 2ой и 3ей схемах есть Rнагр. Как считать резистор затвора? Единственное как-то подбирать по даташиту. Наверное, имелось в виду как у варикапа — полупроводниковая емкость емкость на переходе зависит от напряжения на обкладках. Пробую сделать повышающий преобразователь напряжения 12в — 36в мощностью Вт. Для управления симметричным выходным каскадом из двух IRF, нагруженным на повышающий трансформатор, пытаюсь приспособить драйвер IR Но непонятно, как запитать силовые транзисторы, ведь источник питания 12в один. Я не смог нагуглить по этим драйверам никакой информации, кроме Вашего упоминания в статье. Прошу совета, можно ли применить сюда IR они у меня уже есть , либо посоветуйте, какой лучше использовать. Дихалт, а у тебя на третьей картинке там, где управление на биполярнике мосфет открывается нулём? Он же подтянут затвором к плюсу. А открытый биполярник затвор к земле прижимает и запирает мосфет. Чтобы положительным сигналом управлять, затвор нужно к эмиттеру подключать, и резистор под него. Мне надо управлять мосфетом с помощью очень слабого сигнала 1,5 вольта Как быть? Нужен наверное Дарлингтон с огромным коэффициентом усиления. Или даже операционный усилитель. Мне посоветовали взять биполярник с большим Ку. Например наш КТ или его аналог ВС Но мне кажется, 1,5 вольта его не откроют. Подскажешь какие-нибудь биполярники очень чувствительные? Ну да, он нормально открытый получается. А если тянуть транзистором вверх, то есть затвор сажаем через резистор на землю, а вместо подтяга в плюс ставим транзистор, но уже pnp структуры и все равно его открывать надо будет нулем. Если тебе прям вот так принципиально открывание единицей, то ставь еще один транзистор который будет открывать другой тразнистор, а он уже мосфет. Но это уже какое то дрочево. Напряжение маленькое это не страшно. Он же током управляется, а 0. Резистор просто меньше ставишь в базу и все. Берешь свой транзистор, смотришь какой у него предельный ток и К. Делишь предельный ток на К, получаешь примерный ток который надо вкачать в базу, чтобы завести транз в насыщение. Ну накидываешь сверху процентов для надежности. Получаешь требуемый управляющий ток. А дальше вычитаешь их своего управляющего напряжения 0. И рассчитываешь из этого напряжения базовый резистор так, чтобы получить твой управляющий ток. Пример для твоих 1. У BC усиление по току , а ток коллектора мА. Падение БЭ перехода прикинем как 0. По закону Ома, без затей: Ну поставь ближайший из ряда на ом. Все, будет открываться как родной. А почему тебе не нравится управлять единицей? Из расчета на опторазвязку они поголовно входной сигнал инвертируют? Я хочу здоровенный служебный монитор починить. Треснули лампы подсветки — заменил их на светодиодную ленту. Ток приличный — полтора ампера, напряжение 12 вольт. Служебные 12 вольт нащупал на плате. Подключил ленту через irf — отпирается от 5…6 вольт. Нашел на плате сигнал управления включением-выключением подсветки, подпаял его к затвору. А сигнал очень слабый — 1,5 вольта. Мне без разницы как управлять. Я делаю управление так, чтобы было проще схемотехнически, а на уровне кода совершенно не важно что это будет. У тебя твоих 1. Тебе надо чтобы твои полтора вольта шли через базу и эмиттер сразу на землю, тогда хватит. Ага, уже сам вижу косяк. Затвор подтянут 1к к питанию и точно таким же 1к к земле. Дело даже не в мониторе. В мостовых схемах это смерти подобно. Сразу КЗ по боковым ключам в обход нагрузки и их смерть. А систему управления можно тупо забыть включить — получается конструкция, не прощающая ошибок. Кстати, Дихалт, а на комплементарках драйвер можно сделать? Нет ли каких-нибудь подводных камней? Сам представь потенциалы там и подумай потечет у тебя ток от твоих жалких 1. И куда он потечет. Верхний должен открываться нулем, а нижний единицей. Хотя все равно работать не будет, твоя единица столь мала, что для верхнего как ноль будет. Она должна быть не меньше питания. Или HiZ чтобы ток не тек туда. Что-то я не могу понять, как из графика на IRL мы получили напряжение почти 3В на транзисторе? Пытаюсь ШИМ-ом управлять коллекторным двигателем через драйвер LE. Пока пробовал слабенькие моторчики, все нормально. Но когда понял, что их мощности недостаточно для поставленной задачи и выбрал более мощный мотор, стал смотреть в сторону MOSFET-ов, так как этот драйвер больше ампера на канал выдать не может, а мне нужно до 3 сопротивление обмотки 4 Ом, питание 12 В. Пробовал параллелить каналы, тоже не тянет, сначала ток доходит почти до 2 А, но потом микруха уходит в защиту по перегреву, и ток падает. Можно ли использовать LE как драйвер для одного или сразу четырех MOSFET-ов? Ведь каждый её канал подтягивает выход, либо к Vs, либо к GND, в зависимости от состояния входа. Если да, нужны ли на выходах драйвера защитные диоды? MOSFET ведь не является индуктивной нагрузкой? Нужно ли ограничивать ток затвора резистором, чтобы защитить драйвер от перегрузок по току? Если да, то оптимальным ли будет выбор сопротивления ближайшего к 12 Ом для ограничения тока до 1 А при зарядке емкости Затвора до 12 В? Правильно ли я понимаю, что частота ШИМ у меня 15, кГц, если сигнал беру с OC1A, настроенного на ти битный FastPWM, а T1 тикает без предделителя при входной частоте — 16МГц? В датащите на IRLA указано, что задержка открытия Turn-On Delay Time составляет 25 нс, а задержка закрытия Turn-Off Delay Time , соответственно 70 нс. Следовательно, минимальный период полного открытия и закрытия то есть продолжительность минимальной иглы на графике тока — 95 нс. С одной стороны, это соответствует частоте более 10,5 МГц, что намного выше частоты ШИМ. С другой стороны, такой период в полтора раза больше минимального периода продолжительности того или иного уровня ти битного ШИМ-сигнала при частоте Гц. В то же время, постоянная RC-цепи затвора при сопротивлении 12 Ом и максимальной входной емкости IRLA по датащиту — pF, будет всего 9,06 нс. Можно ли из всего этого сделать вывод, что быстродействия данного транзистора более чем достаточно для управления таким двигателем на такой частоте ШИМ в паре с LE? Заранее благодарю за разъяснения, если я что-то не так понимаю! Про неё тоже думал. А что думаешь по поводу написанного выше? В общем, все получилось. LE прекрасно рулит силовым MOFET-ом. Сначала пробовал IRL, он при токе в 3 А почему-то греется аж до вони, но не умирает. По датащиту ток стока до 17 А. Поставил IRF — слегка нагревается после продолжительной работы. А L так и не нашел. Правда для мосфетов лучше все же драйверы. Можно, но небольшим, на ома. Не помню, в даташите надо смотреть. А вообще таймер дает тик в такт. И просто делишь частоту на максимальное значение по разрядности. Тут вроде бы Так то крутизна фронтов, к частоте шим отношения не имеет. По крайней мере до тех пор пока частота ШИМ не сравнится с длительностью фронта. А как защитить схему от самопроизвольного открывания полевика от статического разряда? У меня на винтовке соленоидный электроударник, так достаточно дотронуться металлическим кольцом или отверткой до стального корпуса, как следует сработка. В остальном схема работает нормально. Корпус на минусе сидит. Транзистор IRLS драйвер FAN Знал бы как, схему бы выложил, чтобы понятнее. А если мне надо управлять нагрузкой запитанной от другого бп — то куда цеплять землю? Собственно ситуация — основная логика питается от бп на 12В, нагрузка которой надо управлять от 24В с отдельного бп. Если я объединю земли блоков нормально все будет или как-то по другому это делается. Из схем приведенных не очень понятно одна это земля или несколько. Только менять транзистор на более мощный. Управляется он шимом, так что тут только скважность менять. Но есть еще вариант, надо поискать цепь обратной связи по току. И найти куда она идет в проц, поставить ее через делитель напряжения и уменьшить ток. Правда тогда смысла нет ставить более мощные диоды. Собираю фонарь с мощными светодиодами под напряжением 40В, линии 5В и 40В гальванически НЕ развязаны бустерная схема преобразователя. Коммутировать нагрузку будут logic-level IRLS, просто статика, без ШИМа, поэтому думаю мосфетами рулить непосредственно контроллером через резюк. Стоит ли развязать контроллер и транзистор через оптрон или просто через BC? Или оставить как изначально задумал, все равно гальваноразвязки нет? Так в том-то и прикол, боюсь, что может пробить и потянет за собой мегу и прочий обвес… При 5 вольтах на затворе транзистор откроется нараспашку, а сопротивление канала у него 0,Ом — это его плюс, а минус в том, что всего 55В он тянет. Вот думаю, не маловат ли запас…. У вас в тексте говорится, что надо нагрузку включать на drain. Но в первом же примере с драйвером верхнего плеча ir нагрузка подключена к source. Вы подписаны на ответ. Подписаться на все остальные комментарии в теме? Электроника для всех Search. Форум Сообщество Чат Магазин Ссылки Справочная Язык программирования С 1. Использование комментариев в тексте программы 1. Целый тип данных 1. Данные плавающего типа 1. Переменные перечислимого типа 1. Переменные с изменяемой структурой 1. Определение объектов и типов 1. Операнды и операции 1. Преобразования при вычислении выражений 1. Операции отрицания и дополнения 1. Операции разадресации и адреса 1. Операции увеличения и уменьшения 1. Оператор do while 1. Определение и вызов функций 1. Вызов функции с переменным числом параметров 1. Передача параметров функции main 1. Исходные файлы и объявление переменных 1. Время жизни и область видимости программных объектов 1. Инициализация глобальных и локальных переменных 1. Методы доступа к элементам массивов 1. Указатели на многомерные массивы 1. Операции с указателями 1. Динамическое размещение массивов О проекте. Начинающим 28 Май DI HALT Comments. На более мелких транзисторах сорудить цепочку, подающую питалово с высоковольтной цепи на затвор, чтобы прокачать его высоким напряжением применить специальную микросхему драйвер, которая сама сформирует нужный управляющий сигнал и выровняет уровни между контроллером и транзистором. Но глянем на выходную характеристику: Previous Post Травление печатных плат медным купоросом Next Post Измерительные цепи. Тема для меня актуальна, как никогда раньше. Спасибо автору — респект, пиши еще. Лучше перебздеть, чем недобздеть. По крайней мере я статикой много транзюков поубивал. Если промышленное решение, то чего колхозничать? Поставить драйвер и не мучатся, надежней будет. Как это сразу ни кто не обратил внимания?? DIHALT, поправь быстренько, не позорься: Привык транзы юзать как рубильники: Его надо не с ОК, а с ОЭ включать и затвор подключать к коллектору. Правильно ли я понял, что в текущем варианте схемы единица с МК будет закрывать полевой тр-р? А те мосфеты что на материнках в большом количестве стоят, на что могут сгодится? Дешев, и можно натырить из старых упсов. Но думаю за ними один фиг будущее:
Сделать отворот домашних условиях
Ласточка из бумаги схема
Стихиэтос каждым случится однажды
Подняться разобратьпо составу
Пилорид инструкция по применению