Биполярный транзистор
Составной транзистор
Биполярные транзисторы
В зависимости от чередования легированных областей различают транзисторы n-p-n -типа рис. Э — эмиттер, Б — база, К — коллектор. В этой схеме с корпусом соединен вывод базы транзистора. Поэтому эту схему называют схемой включения транзистора с общей базой ОБ. Для получения этого режима необходимо в схеме см. Для усиления и преобразования сигналов в основном используется активный режим работы. Работа биполярного транзистора в активном режиме основана на явлении диффузии, а также на эффекте дрейфа носителей заряда в электрическом поле. В этом режиме эмиттерный переход транзистора открыт. В одиночном p-n -переходе при диффузии дырок в п -область происходит полная рекомбинация инжектированных дырок с электронами п -области. В эмиттерном переходе транзистора происходит такой же процесс. Однако в транзисторе происходят более сложные процессы. Ширина базы W в транзисторе много меньше длины свободного пробега дырок L. Попадая в обратно смещенный коллекторный переход, дырки дрейфуют и ускоряются в имеющемся поле перехода. Пройдя коллекторный переход, дырки рекомбинируют с электронами, подтекающими к коллектору от источника питания Е К. Отметим, что этот дырочный ток во много раз превышает собственный обратный ток закрытого коллекторного перехода и практически полностью определяет ток коллектора i К транзистора. Усилительные свойства транзистора Рассмотрим усилительные свойства транзистора. Мощность, расходуемая на управление транзистором, равна:. Пусть сопротивление полезной нагрузки в коллекторной цепи транзистора рис. По нагрузочному резистору протекает коллекторный ток, примерно равный эмиттерному току транзистора: Выходная мощность, выделяющаяся на нагрузке, равна:. Следовательно, в схеме см. Заметим, что для обеспечения такого усиления требуется, чтобы на коллекторный переход было подано большое запирающее напряжение:. Его направление противоположно направлению диффузионного тока дырок. Результирующий ток коллектора резко уменьшается, и резко ухудшаются усилительные свойства транзистора;. Схема ОЭ наиболее часто встречается на практике;. В этих схемах управляющее напряжение подается на базовый вывод транзистора. Для схемы с общим эмиттером рис. Аналогичные графики можно получить для схемы с общей базой. Входные характеристики транзистора близки к характеристикам р- n -перехода. Их используют для определения коллекторного тока транзистора. Из анализа ВАХ транзистора следует, что транзистор, как и диод, относится к нелинейным элементам. Ток коллектора в активном режиме практически не зависит от нагрузки, подключаемой к коллектору транзистора. Основным элементом этой схемы является источник тока, управляемый входным напряжением:. Сопротивление r КЭ характеризует потери энергии в коллекторной цепи. Его значение для маломощных транзисторов равно десяткам и сотням килоом. Сопротивление эмиттерного перехода r БЭ равно сотням ом или единицам килоом. Это сопротивление характеризует потери энергии на управление транзистором. Электро техника в доступной форме Electro NO. Различают четыре режима работы биполярного транзистора: Из анализа активного режима рис. Мощность, расходуемая на управление транзистором, равна: Выходная мощность, выделяющаяся на нагрузке, равна: Заметим, что для обеспечения такого усиления требуется, чтобы на коллекторный переход было подано большое запирающее напряжение: Увеличенная энергия выходного сигнала обеспечивается источником питания в коллекторной цепи. Рассмотрим другие режимы работы транзистора: Кроме рассмотренной схемы включения транзистора с общей базой используются две другие схемы: Схема ОЭ наиболее часто встречается на практике; 2 при соединении с корпусом коллектора транзистора получим схему с общим коллектором ОК. Основным элементом этой схемы является источник тока, управляемый входным напряжением: Главная страница Электрические машины Электротехническая аппаратура Карта сайта Электрическая цепь и ее основные законы Электромагнетизм и электромагнитная индукция Электрические машины постоянного тока Химические источники тока Переменный ток Трансформаторы и Реакторы Электрические машины переменного тока Физические основы работы электрических аппаратов Электроизмерительные приборы и методы измерений Назначение и классификация электротехнических материалов Проводниковые материалы Магнитные материалы Электроизоляционные материалы Полупроводниковые приборы Часть 1 Часть 2 Дополнительные главы Список CPA сетей и партнерок, CPA рейтинг. Лучшая тизерная сеть Как обойти Adblock Обзор тизерных сетей. Список Лучшие тизерные сети. Добавить свое объявление Загрузка
К этим схемам относят так называемую пару Дарлингтона, пару Шиклаи, каскодную схему включения транзисторов, схему так называемого токового зеркала и др. В этой схеме ток эмиттера предыдущего транзистора является базовым током последующего транзистора. Коэффициент усиления по току пары Дарлингтона очень высок и приблизительно равен произведению коэффициентов усиления по току транзисторов составляющих такую пару. У мощных транзисторов включенных по схеме пары Дарлингтона, конструктивно выпускаемой в одном корпусе например, транзистор КТ гарантированный коэффициент усиления по току при нормальных условиях эксплуатации не менее [2]. У пар Дарлингтона, собранных на маломощных транзисторах этот коэффициент может достигать значения Высокий коэффициент усиления по току обеспечивает управление малым током, поданным на управляющий вход составного транзистора, выходными токами превышающими входной на несколько порядков. Примерами супербета транзисторов могут служить серии одиночных транзисторов КТ, КТ Однако и такие транзисторы иногда объединяют в схеме Дарлингтона. Поэтому в относительно сильноточных и высоковольтных схемах, где требуется снизить управляющий ток, используются пары Дарлингтона или пары Шиклаи. Составные транзисторы Дарлингтона используются в сильноточных схемах, например, в схемах линейных стабилизаторов напряжения , выходных каскадах усилителей мощности и во входных каскадах усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс и малые входные токи. Составной транзистор имеет три электрических вывода, которые эквивалентны выводам базы, эмиттера и коллектора обычного одиночного транзистора. Иногда в схеме для ускорения закрывания выходного транзистора и снижения влияния начального тока входного транзистора используется резистивная нагрузка эмиттера входного транзистора, как показано на рисунке. Пару Дарлингтона электрически в целом рассматривают как один транзистор, коэффициент усиления по току которого, при работе транзисторов в линейном режиме, приблизительно равен произведению коэффициентов усиления всех транзисторов, например, двух:. Паре Дарлингтона подобно соединение транзисторов по схеме Шиклаи Sziklai pair , названное так в честь его изобретателя Джорджа К. Шиклаи , также иногда называемое комплементарным транзистором Дарлингтона [5]. В отличие от схемы Дарлингтона, состоящей из двух транзисторов одного типа проводимости, схема Шиклаи содержит транзисторы разного типа проводимости p-n-p и n-p-n. Пара Шиклаи электрически эквивалентна n-p-n-транзистору c большим коэффициентом усиления. Между базой и эмиттером транзистора Q2 обычно включают резистор с небольшим сопротивлением. Такая схема применяется в мощных двухтактных выходных каскадах при использовании выходных транзисторов одной проводимости. Такой составной транзистор эквивалентен одиночному транзистору, включенному по схеме с общим эмиттером, но при этом он имеет гораздо лучшие частотные свойства, высокое выходное сопротивление и больший линейный диапазон, то есть меньше искажает передаваемый сигнал. Так как потенциал коллектора входного транзистора практически не изменяется, это существенно подавляет нежелательное влияние эффекта Миллера и расширяет рабочий диапазон по частоте. Высокие значения коэффициента усиления в составных транзисторах реализуются только в статическом режиме, поэтому составные транзисторы нашли широкое применение во входных каскадах операционных усилителей. Применение нагрузочного резистора R1 позволяет улучшить некоторые характеристики составного транзистора. Величина резистора выбирается с таким расчётом, чтобы ток коллектор-эмиттер транзистора VT1 в закрытом состоянии начальный ток коллектора создавал на резисторе падение напряжения, недостаточное для открытия транзистора VT2. Таким образом, ток утечки транзистора VT1 не усиливается транзистором VT2 , тем самым уменьшается общий ток коллектор-эмиттер составного транзистора в закрытом состоянии. Кроме того, применение резистора R1 способствует увеличению быстродействия составного транзистора за счёт форсирования закрытия транзистора, так как неосновные носители , накопленные в базе VT2 при его запирании из режима насыщения не только рассасываются, но и стекают через этот резистор. Обычно сопротивление R1 выбирают величиной сотни ом в мощном транзисторе Дарлингтона и несколько килоом в маломощном транзисторе Дарлингтона. Примером схемы Дарлингтона выполненной в одном корпусе со встроенным эмиттерным резистором служит мощный n-p-n транзистор Дарлингтона типа КТ, его типовой коэффициент усиления по току около при коллекторном токе 10 А. Материал из Википедии — свободной энциклопедии. При этом рабочий базовый ток одиночного транзистора можно снизить до десятков пА. Такие транзисторы применены в первом каскаде операционных усилителей со сверхмалыми входными токами, например, типов LM и LM Основы теории транзисторов и транзисторных схем. Резистор Переменный резистор Подстроечный резистор Варистор Фоторезистор Конденсатор Переменный конденсатор Подстроечный конденсатор Катушка индуктивности Кварцевый резонатор Предохранитель Самовосстанавливающийся предохранитель Трансформатор Мемристор Бареттер. Диод Светодиод Фотодиод Полупроводниковый лазер Диод Шоттки Стабилитрон Стабистор Варикап Вариконд Магнитодиод Диодный мост Лавинный диод Лавинно-пролётный диод Туннельный диод Диод Ганна Транзистор Биполярный транзистор Полевой транзистор КМОП-транзистор Однопереходный транзистор Фототранзистор Составной транзистор Баллистический транзистор Интегральная схема Цифровая интегральная схема Аналоговая интегральная схема Аналого-цифровая интегральная схема Гибридная интегральная схема Тиристор Симистор Динистор Фототиристор Оптрон Резисторная оптопара Датчик Холла. Электронная лампа Электровакуумный диод Триод Маячковая лампа Тетрод Лучевой тетрод Пентод Гексод Гептод Пентагрид Октод Нонод Механотрон Клистрон Магнетрон Амплитрон Платинотрон Электронно-лучевая трубка Лампа бегущей волны Лампа обратной волны Тиратрон Кенотрон Игнитрон. Электронно-лучевая трубка ЖК-дисплей Светодиод Газоразрядный индикатор Вакуумно-люминесцентный индикатор Блинкерное табло Семисегментный индикатор Матричный индикатор Кинескоп. Микрофон Громкоговоритель Тензорезистор Пьезокерамический излучатель. Терморезистор Термопара Элемент Пельтье. Базовые электронные узлы Транзисторы. Страницы, использующие волшебные ссылки ISBN Статьи, требующие внесения ясности Статьи, требующие уточнения источников. Навигация Персональные инструменты Вы не представились системе Обсуждение Вклад Создать учётную запись Войти. Пространства имён Статья Обсуждение. Просмотры Читать Править Править вики-текст История. Эта страница последний раз была отредактирована 23 марта в Текст доступен по лицензии Creative Commons Attribution-ShareAlike ; в отдельных случаях могут действовать дополнительные условия. Свяжитесь с нами Политика конфиденциальности Описание Википедии Отказ от ответственности Разработчики Соглашение о cookie Мобильная версия.
Механическая желтуха диф диагностика
Болит нога че делать
Samsung t22c350ex характеристики
Заклятие фильм скачать на планшет
Стелс триггер 125 характеристики