SSTC из хлама (Катушка Тесла)
Трансформатор Тесла своими руками, простейшая схема
Трансформатор Тесла с драйвером IR2110 и транзистором IRF 510 на частоту 1127 кГц
Быть может, после прочтения этой статьи вам не придётся ставить такие же по размерам радиаторы на транзисторы. Обычно это выглядит так: Но для построения более сложных схем, чем для простого кручения моторчика с ШИМ в одну сторону через Lx, обычно требуется знание о полных мостах или H-мостах , о полевых транзисторах или MOSFET , ну и о драйверах для них. Если ничто не ограничивает, то можно использовать для полного моста p-канальные и n-канальные транзисторы, но если двигатель достаточно мощный, то p-канальные транзисторы придётся сначала обвешивать большим количеством радиаторов, потом добавлять кулеры, ну а если совсем их жалко выкидывать, то можно попробовать и другие виды охлаждения, либо просто использовать в схеме лишь n-канальные транзисторы. Поэтому я искал что-нибудь, что мне поможет с составлением правильной схемы, и я нашёл статью в блоге одного молодого человека, которого зовут Syed Tahmid Mahbub. Этой статьёй я и решил поделится. Во многих ситуациях мы должны использовать полевые транзисторы как ключи верхнего уровня. Также во многих ситуациях мы должны использовать полевые транзисторы как ключи как и верхнего, так и нижнего уровней. Например, в мостовых схемах. В неполных мостовых схемах у нас есть 1 MOSFET верхнего уровня и 1 MOSFET нижнего уровня. В полных мостовых схемах мы имеем 2 MOSFETа верхнего уровня и 2 MOSFETа нижнего уровня. В таких ситуациях нам понадобится использовать драйвера как высокого, так и низкого уровней вместе. Наиболее распространённым способом управления полевыми транзисторами в таких случаях является использование драйвера ключей нижнего и верхнего уровней для MOSFET. Несомненно, самым популярным микросхемой-драйвером является IR Вы можете загрузить документацию для IR с сайта IR. Вот ссылка для загрузки: Рисунок 1 — Функциональная блок-схема IR Рисунок 2 — Распиновка IR Рисунок 3 — Описание пинов IR Также стоит упомянуть, что IR выпускается в двух корпусах — в виде контактного PDIP для выводного монтажа и контактного SOIC для поверхностного монтажа. VCC — это питание нижнего уровня, должно быть между 10В и 20В. Фактическое напряжение, которое вы выберете для использования, зависит от уровня напряжения входных сигналов. Рисунок 4 — Зависимость логической 1 от питания. Это означает, что IR может быть использован почти для всех схем, так как большинство схем, как правило, имеют питание примерно 5В. Когда используется SG или TL или другой ШИМ-контроллер, то, вероятно, придётся их запитывать напряжением большим, чем 10В, значит на выходах будет больше, чем 8В, при логической единице. Таким образом, IR может быть использован практически везде. Теперь давайте поговорим о VSS и COM. VSS это земля для логики. Это может выглядеть так, что они являются независимыми, и можно подумать что, пожалуй, было бы возможно изолировать выходы драйвера и сигнальную логику драйвера. Тем не менее, это было бы неправильно. Несмотря на то что внутренне они не связаны, IR является неизолированным драйвером, и это означает, что VSS и COM должны быть оба подключены к земле. HIN и LIN это логические входы. Высокий сигнал на HIN означает, что мы хотим управлять верхним ключом, то есть на HO осуществляется вывод высокого уровня. Низкий сигнал на HIN означает, что мы хотим отключить MOSFET верхнего уровня, то есть на HO осуществляется вывод низкого уровня. Выход в HO, высокий или низкий, считается не по отношению к земле, а по отношению к VS. VS это плавающий возврат питания. При высоком уровне, уровень на HO равен уровню на VB, по отношению к VS. При низком уровне, уровень на HO равнен VS, по отношению к VS, фактически нулю. Высокий сигнал LIN означает, что мы хотим управлять нижним ключом, то есть на LO осуществляется вывод высокого уровня. Низкий сигнал LIN означает, что мы хотим отключить MOSFET нижнего уровня, то есть на LO осуществляется вывод низкого уровня. Выход в LO считается относительно земли. Когда сигнал высокий, уровень в LO такой же как и в VCC, относительно VSS, фактически земля. Когда сигнал низкий, уровень в LO такой же как и в VSS, относительно VSS, фактически нуль. SD используется в качестве контроля останова. Когда уровень низкий, IR включен — функция останова отключена. Когда этот вывод является высоким, выходы выключены, отключая управление IR Теперь давайте взглянем на частые конфигурации с IR для управления MOSFETами как верхних и нижних ключей — на половинчатые мостовые схемы. Рисунок 5 — Базовая схема на IR для управления половинчатым мостом. D1, C1 и C2 совместно с IR формируют усилительную цепь. Достаточно большая ёмкость должна быть выбрана у C1 для того чтобы её хватило для обеспечения необходимого заряда для Q1, чтобы Q1 был включён всё это время. C1 также не должен иметь слишком большую ёмкость, так как процесс заряда будет проходить долго и уровень напряжения не будет увеличиваться в достаточной степени чтобы сохранить MOSFET включённым. Чем большее время требуется во включённом состоянии, тем большая требуется ёмкость. Таким образом меньшая частота требует большую ёмкость C1. Больший коэффициент заполнения требует большую ёмкость C1. Конечно есть формулы для расчёта ёмкости, но для этого нужно знать множество параметров, а некоторые из них мы может не знать, например ток утечки конденсатора. Поэтому я просто оценил примерную ёмкость. Для низких частот, таких как 50Гц, я использую ёмкость от 47мкФ до 68мкФ. Для высоких частот, таких как кГц, я использую ёмкость от 4. Так как мы используем электролитический конденсатор, то керамический конденсатор должен быть использован параллельно с этим конденсатором. Керамический конденсатор не обязателен, если усилительный конденсатор — танталовый. D2 и D3 разряжают затвор MOSFETов быстро, минуя затворные резисторы и уменьшая время отключения. R1 и R2 это токоограничивающие затворные резисторы. Рисунок 6 — Схема с IR для высоковольтного половинчатого моста. Рисунок 7 — Схема с IR для высоковольтного полного моста с независимым управлением ключами. На рисунке 7 мы видим IR, использованный для управления полным мостом. В ней нет ничего сложного и, я думаю, уже сейчас вы это понимаете. Также тут можно применить достаточно популярное упрощение: HIN1 мы соединяем с LIN2, а HIN2 мы соединяем с LIN1, тем самым мы получаем управление всеми 4 ключами используя всего 2 входных сигнала, вместо 4, это показано на рисунке 8. Рисунок 8 — Схема с IR для высоковольтного полного моста с управлением ключами двумя входами. Рисунок 9 — Схема с IR как высоковольтного драйвера верхнего уровня. На рисунке 9 мы видим IR использованный как драйвер верхнего уровня. Схема достаточно проста и имеет такую же функциональность как было описано выше. Есть вещь которую нужно учесть — так как мы больше не имеем ключа нижнего уровня, то должна быть нагрузка подключённая с OUT на землю. Иначе усилительный конденсатор не сможет зарядится. Рисунок 10 — Схема с IR как драйвера нижнего уровня. Рисунок 11 — Схема с IR как двойного драйвера нижнего уровня. Если у вас проблемы с IR и всё постоянно выходит из строя, горит или взрывается, то я уверен, что это из-за того, что вы не используете резисторы на затвор-исток, при условии, конечно, что вы всё спроектировали тщательно. Если вам интересно, вы можете прочитать о моем опыте с ними здесь я также объясняю причину, по которой резисторы предотвращают повреждения: Для дальнейшего чтения я рекомендую это: Я видел как на многих форумах, люди бьются с проектированием схем на IR У меня тоже было много трудностей прежде чем я cмог уверенно и последовательно строить успешные схемы драйвера на IR Я попытался объяснить применение и использование IR довольно тщательно, попутно всё объясняя и используя большое количество примеров, и я надеюсь, что это поможет вам в ваших начинаниях с IR Ваш e-mail не будет опубликован. SavePearlHarbor Ещё одна копия хабора Поиск Главное меню Перейти к основному содержимому. Главная Контакты и о нас. Небольшое обращение от переводчика: Во-первых, в данном переводе могут быть серьёзные проблемы с переводом терминов, я не занимался электротехникой и схемотехникой достаточно, но всё же что-то знаю; также я пытался перевести всё максимально понятно, поэтому не использовал такие понятия, как бутсрепный, МОП-транзистор и т. Во-вторых, если орфографически сейчас уже сложно сделать ошибку хвала текстовым процессорам с указанием ошибок , то ошибку в пунктуации сделать довольно-таки просто. И вот по этим двум пунктам прошу пинать меня в комментариях как можно сильнее. Добавить комментарий Отменить ответ Ваш e-mail не будет опубликован. Сайт работает на WordPress.
Блог Обратная связь Канал на YouTube. Оглавление Последнее Поиск Правила. Данная тема будет посвящена проекту СЛАВЯНКА проект создан для разработок и внедрений надежных и доступных устройств энергообеспечения. Гости не могут отвечать на сообщения. Пожалуй начну Получил я процессор STM32 от Дмитрия и Рашида за что им огромное спасибо. Этот контроллер предназначен для создания инвертора чистый синус 50гЦ. Я же решился перерисовать и переделать схему как сказать для себя. Убрав IR и за место него поставить оптодрайвера HCPL схемы привожу. А вот вам финальный видеообзор. Доброго всем времени суток. Сегодня наконец дорисовал схему которую планирую сделать себе. Выкладываю для всеобщего обзора. Уточните - ключи таки останутся полевиками, или все - таки IGBT, ну и драйвер с двухполярным питанием больше подходит для модулей IGBT. О ЧТО ТО Я НЕ ЗНАЛ ЧТО ТАКАЯ ТЕМА ЕСТЬ. И так, применяя транзисторы которые стоят после ИР и после с общим коллектором нужно две пары,так как каждая пара инвертирует сигнал. А применяя транзисторы с общим эмитером достаточно одной пары. А вообще я не понимаю нахрена ставить после оптопары ИР и еще кучю транзисторов сумарная стоимость которых превысит стоимост самой платы ЕГ, Сама справится с ИЖБТ единственный нюанс делать развяску питание в минус. Подскажите пожалуйста типовую схему для БЖТ. Добро пожаловать, Гость Логин: Запомнить меня Забыли пароль? Kuzroman Не в сети Осваиваюсь на форуме Сообщений: Убрав IR и за место него поставить оптодрайвера HCPL схемы привожу Это я сделал в целях развязки низковольтной части от высоковольтной. Выкладываю для всеобщего обзора смотрим коментируем хотелось бы чтобы ее проверили на предмет ошибок если что поправьте меня. А вообще я не понимаю нахрена ставить после оптопары ИР и еще кучю транзисторов сумарная стоимость которых превысит стоимост самой платы ЕГ, Сама справится с ИЖБТ единственный нюанс делать развяску питание в минус Не понимаю тебя где ты увидел ир ? Бессмысленно тода такой вариант делать с кучами микрух и транзисторов. Тода лучше оптику применить с 2 биполярками. Разницы между модулями и кучами ключами иджбт не вижу. Во всех электробукварях учат, что выход ОУ напрямую конденсатором коротить в землю нельзя, вых. Обычно ставят последовательно с выходом резюк Ом и пФ на землю. Вообще сколько часов и у скольки человек эта конструкция отработала? Сыроватая ещё по-моему, даже на уровне схемы. С чего ты взял что это косяк? Тут всего лишь сигнал 1 и 0 больше не чего нет и каскад там не перегружается таким образом ни как. Потому что кроме напряжения там не чего нет. Реаутор Аксиос Не в сети Новый участник Сообщений: Та там все тоже самое что и егешка.
Электрические принципиальные схемы электроники
Алыча прамень описание сорта фото
Как создать схемув word 2010
Расписание электричек иркутск залари
Расписание автобуса красноармейск украина москва