Полевой транзистор. Определение. Обозначение. Типы, виды, категории, классификация. Свойства. Исток, сток, затвор, канал. MOSFET, FET, МОП, КМОП
Полевой транзистор
Полевые транзисторы
Транзистор от английских слов transfer — переносить и re sistor — сопротивление — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний. Наиболее распространены так называемые биполярные транзисторы. Электропроводность эмиттера и коллектора всегда одинаковая p или n , базы — противоположная n или p. Иными словами, биполярный транзистор содержит два р-n-перехода: Буквенный код транзисторов — латинские буквы VT. На схемах эти полупроводниковые приборы обозначают, как показано на рис. Об электропроводности базы судят по символу эмиттера: Знать электропроводность эмиттера базы и коллектора необходимо для того, чтобы правильно подключить транзистор к источнику питания. В справочниках эту информацию приводят в виде структурной формулы. Транзистор, база которого имеет электропроводимость типа n, обозначают формулой p-n-p, а транзистор с базой, имеющей электропроводность типа p-n-p. В первом случае на базу и коллектор следует подавать отрицательное по отношению к эмиттеру напряжение, во втором — положительное. Для наглядности условное графическое обозначение дискретного транзистора обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Иногда металлический корпус соединяют с одним из выводов транзистора. На схемах это показывается точкой в месте пересечения соответствующего вывода с символом корпуса. Если же корпус снабжен отдельным выводом, линию-вывод допускается присоединять к кружку без точки VT3 на рис. В целях повышения информативности схем рядом с позиционным обозначением транзистора допускается указывать его тип. Линии электрической связи, идущие от эмиттера и коллектора проводят в одном из двух направлений: Излом вывода базы допускается лишь на некотором расстоянии от символа корпуса VT4. Транзистор может иметь несколько эмиттерных областей эмиттеров. В этом случае символы эмиттеров обычно изображают с одной стороны символа базы, а окружность обозначения корпуса заменяют овалом рис. Стандарт допускает изображать транзисторы и без символа корпуса, например, при изображении бескорпусных транзисторов или когда на схеме необходимо показать транзисторы, входящие в состав сборки транзисторов или интегральной схемы. Поскольку буквенный код VT предусмотрен для обозначения транзисторов, выполненных в виде самостоятельного прибора, транзисторы сборок обозначают одним из следующих способов: VT1-VT4 КНТ1 , либо используют код аналоговых микросхем DA и указывают принадлежность транзисторов в сборке в позиционном обозначении рис. У выводов таких транзисторов, как правило, приводят условную нумерацию, присвоенную выводам корпуса, в котором выполнена матрица. Без символа корпуса изображают на схемах и транзисторы аналоговых и цифровых микросхем для примера на рис. Условные графические обозначения некоторых разновидностей биполярных транзисторов получают введением в основной символ специальных знаков. Так, чтобы изобразить лавинный транзистор, между символами эмиттера и коллектора помещают знак эффекта лавинного пробоя см. При повороте обозначения транзистора на схеме положение этого знака должно оставаться неизменным. Иначе построено обозначение однопереходного транзистора: Символ эмиттера в обозначении этого транзистора проводят к середине символа базы рис. Об электропроводности последней судят по символу эмиттера направлению стрелки. На символ однопереходного транзистора похоже обозначение большой группы транзисторов с p-n-переходом, получивших название полевых. Основа такого транзистора — созданный в полупроводнике и снабженный двумя выводами исток и сток канал с электропроводностью n или p-типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод — затвор. Канал изображают так же, как и базу биполярного транзистора, но помещает в середине кружка-корпуса рис. Электропроводность канала указывают стрелкой на символе затвора на рис. В условном графическом обозначении полевых транзисторов с изолированным затвором его изображают черточкой, параллельной символу канала с выводом на продолжении линии истока электропроводность канала показывают стрелкой, помещенной между символами истока и стока. Если стрелка направлена к каналу, то это значит, что изображен транзистор с каналом n-типа, а если в противоположную сторону см. Аналогично поступают при наличии вывода от подложки VT4 , а также при изображении полевого транзистора с так называемым индуцированным каналом, символ которого - три коротких штриха см. Если подложка соединена с одним из электродов обычно с истоком , это показывают внутри обозначения без точки VT7, VT8. В полевом транзисторе может быть несколько затворов. Изображают их более короткими черточками, причем линию-вывод первого затвора обязательно помещают на продолжении линии истока VT9. Линии-выводы полевого транзистора допускается изгибать лишь на некотором расстоянии от символа корпуса см. В некоторых типах полевых транзисторов корпус может быть соединен с одним из электродов или иметь самостоятельный вывод например, транзисторы типа КП Из транзисторов, управляемых внешними факторами, широкое применение находят фототранзисторы. В качестве примера на рис. Наряду с другими полупроводниковыми приборами, действие которых основано на фотоэлектрическом эффекте, фототранзисторы могут входить в состав оптронов. Обозначение фототранзистора в этом случае вместе с обозначением излучателя обычно светодиода заключают в объединяющий их символ корпуса, а знак фотоэффекта — две наклонные стрелки заменяют стрелками, перпендикулярными символу базы. Для примера на рис. Аналогично строится обозначение оптрона с составным транзистором U2. Лампа 6Н8С 60 руб. Лампа 6П14П руб. Лампа 6П3С 80 руб. Условное обозначение транзисторов на схемах. Трансформаторы бытовой радиоэлектронной аппаратуры: Справочник по отечественным биполярным транзисторам Справочник по импортным биполярным транзисторам Справочник по импортным MOSFET транзисторам. Главная Карта сайта Контакты. Условное обозначение транзисторов Знать электропроводность эмиттера базы и коллектора необходимо для того, чтобы правильно подключить транзистор к источнику питания. Условное обозначение транзисторных сборок Без символа корпуса изображают на схемах и транзисторы аналоговых и цифровых микросхем для примера на рис. Условное обозначение лавинных транзисторов Иначе построено обозначение однопереходного транзистора: Условное обозначение полевых транзисторов В условном графическом обозначении полевых транзисторов с изолированным затвором его изображают черточкой, параллельной символу канала с выводом на продолжении линии истока электропроводность канала показывают стрелкой, помещенной между символами истока и стока. Условное обозначение фототранзисторов и оптронов Для примера на рис. Справочник по отечественным биполярным транзисторам. Справочник по импортным биполярным транзисторам. Справочник по импортным MOSFET транзисторам.
Как показывает опыт, новички, сталкивающиеся с проверкой элементной базы подручными средствами, без каких-либо проблем справляются с проверкой диодов и биполярных транзисторов, но затрудняются при необходимости проверить столь распространенные сейчас MOSFET-транзисторы разновидность полевых транзисторов. Я надеюсь, что данный материал поможет освоить этот нехитрый способ проверки полевых транзисторов. На данный момент понаделано очень много всяких полевых транзисторов. Сравнивая полевой транзистор с биполярным, можно сказать, что затвор соответствует базе, исток — эмиттеру, сток полевого транзистора — коллектору биполярного транзистора. Наиболее распространены n-канальные MOSFET — они используются в цепях питания материнских млат, видеокарт и т. У MOSFET имеется встроенный диод:. Транзисторы лучше рисовать с диодом — чтобы потом было проще в схеме ориентироваться. Этот диод является паразитным и от него не удается избавиться на этапе изготовления транзистора. Вообще при изготовлении MOSFET возникает паразитный биполярный транзистор, а диод — один из его переходов. Правда нужно признать, что по схемотехнике этот диод все равно частенько приходится ставить, поэтому производители транзисторов этот диод шунтируют диодом с лучшими показателями как по быстродействию, так и по падению напряжения. В низковольтные MOSFET обычно встраивают диоды Шоттки. А вообще в идеале этого диода не должно было бы быть. И вот, иногда наступает момент, когда необходимо полевой транзистор проверить, прозвонить или определить его цоколевку. На самом деле очень многие MOSFET способны открыться, пусть даже и не полностью, напряжением на затворе до 5В. В качестве примера возьмем N-канальный MOSFET IRFN для его проверки прозвонки. Известно, что у него такая цоколевка: Выводы считаются как показано на рисунке ниже. Мультиметр выставляем в режим проверки диодов, этот режим очень часто совмещен с прозвонкой. На любом уважающем себя мультиметре есть такая штуковина. Прозвонка диодов, да и вообще полупроводниковых переходов на мультиметре. Получаем на дисплее мультиметра значения … — это падение напряжения на внутреннем диоде. Получаем на дисплее мультиметра бесконечность. У мультиметров обычно обозначается как 1 в самом старшем разряде. У мультиметров подороже, с индикацией не а будет показано значение примерно 2, 2,8 вольта. Видим, что теперь щупы стоят так же, как и в п. Если продолжать удерживать щупы достаточно долго, то станет заметно, что падение напряжения D-S увеличивается, что означает, что канал постепенно закрывается. Как видим, канал опять закрылся и мультиметр показывает бесконечность. Поясним, что же происходит. С прозвонкой внутреннего диода все понятно. Непонятно почему канал остается либо закрытым, либо открытым? На самом деле все просто. Дело в том, что у мощных MOSFET емкость между затвором и истоком достаточно большая, например у взятого мной транзистора IRFN измеренная емкость S-G составляла пФ 3,7нФ. При этом сопротивление S-G составляет сотни ГОм гигаом и более. Не забыли — полевые транзисторы управляются электрическим полем, а не током в отличие от биболярных. Если хвататься за выводы транзистора руками, особенно жирными и влажными, емкость транзистора будет разряжаться значительно быстрее, так как сопротивление будет определяться не диэлектриком у затвора транзистора, а поверхностным сопротивлением. Не смытый флюс также сильно снижает сопротивление. Поэтому рекомендую помыть транзистор, перед проверкой, например, в спирто-бензиновой смеси. Спирто-бензиновая смесь при испарении может генерировать статическое электричество, которое, как известно, негативно действует на полевые транзисторы. Небольшие пояснения о мультиметрах 1. У цифровых мультиметров режим проверки диодов проводится измерением падения напряжения на щупах, при этом по щупам прибор пропускает стабильный ток 1мА. Именно поэтому в данном режиме прибор показывает не сопротивление, а падение напряжения. Для германиевых диодов оно равно 0,3…0,4В, для кремниевых 0,6…0,8В. Но что бы там не измерялось напряжение на щупах прибора редко превышает 3В — это ограничение накладывается схемотехникой мультиметров. Теперь можно потренироваться в определении цоколевки мощного транзистора. Перед нами транзистор IRF и его цоколевка мне неизвестна. Начну с поиска диода. Попробую все варианты подключения к мультиметру. После каждого измерения корочу ножки транзистора фольгой чтобы обеспечить разряд емкостей транзистора. Возможные варианты показаны в таблице:. Осталось определить, где находятся сток D и исток S и полярность n-канал или p-канал полевого транзистора. Если это n-канальный транзистор, то сток D — 3 вывод, исток S — 2 вывод. Канал не открылся — значит, наше предположение о том, что IRF n-канальный транзистор оказалось неверным. Если это p-канальный транзистор, то сток D — 2 вывод, исток S — 3. Канал открылся — значит, что IRF p-канальный транзистор, вывод 1 — затвор, вывод 2 — сток, вывод 3 — исток. На самом деле все не так сложно. Буквально пол часа тренировки — и вы сможете без каких-либо проблем проверять MOSFETы и определять их цоколевку! Наконец кто-то нормально рассказал о полевиках, я теперь знаю что это такое и как его едят! А то в литературе такой херни безполезной понапишут, что обычно тошнит уже от первого предложения, я пол года уже пытаюсь понять как с ними работать. Вот нигде я не встретил того, что скорость закрытия полевика может быть настолько низкой! Виновата во всём статика оказалась, по закрывала исправные транзисторы. Разрядил их прямо на плате и КЕНВУД ТС ожил. Спасибо за толковое разъяснение. Карта сайта О сайте. MOSFET — проверка и прозвонка Статьи Проверка и определение цоколевки MOSFET Как показывает опыт, новички, сталкивающиеся с проверкой элементной базы подручными средствами, без каких-либо проблем справляются с проверкой диодов и биполярных транзисторов, но затрудняются при необходимости проверить столь распространенные сейчас MOSFET-транзисторы разновидность полевых транзисторов. Очень кратко о полевых транзисторах На данный момент понаделано очень много всяких полевых транзисторов. MOSFET n-канальный слева и p-канальный справа. У подавляющего большинства полевых транзисторов нельзя на затвор G подавать напряжение больше 20В относительно истока S , а некоторые образцы могут убиться при напряжении выше пяти вольт! Это вам нужно - дизайн квартир: Дом мечты в Канаде. Отзывы специалистов по ремонту. Страницы сайта… Главная Электроника Операционный усилитель Параметры ОУ Программирование PIC — микроконтроллеры Статьи Карта сайта. Свежие записи PIC и значения АЦП на ЖКИ Удалить скрытые устройства из диспетчера устройств FTR PIC и ЖКИ на HD АЦП в PIC18F45xx — Аналого-Цифровое преобразование.
Vkmix как накрутить подписчиков
Рф лифтинг лица спб
Азалия японская бабушка описание
Пельмени заварное тесто рецепт пошаговый с фото
Инструкция по применению люголь