Skip to content

Instantly share code, notes, and snippets.

Show Gist options
  • Save anonymous/dd3cb56ec778b8dff8fba81d5d7379ce to your computer and use it in GitHub Desktop.
Save anonymous/dd3cb56ec778b8dff8fba81d5d7379ce to your computer and use it in GitHub Desktop.
Обозначение выводов полевого транзистора

Обозначение выводов полевого транзистора


Обозначение выводов полевого транзистора



Полевой транзистор. Определение. Обозначение. Типы, виды, категории, классификация. Свойства. Исток, сток, затвор, канал. MOSFET, FET, МОП, КМОП
Полевой транзистор
Полевые транзисторы


























Транзистор от английских слов transfer — переносить и re sistor — сопротивление — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний. Наиболее распространены так называемые биполярные транзисторы. Электропроводность эмиттера и коллектора всегда одинаковая p или n , базы — противоположная n или p. Иными словами, биполярный транзистор содержит два р-n-перехода: Буквенный код транзисторов — латинские буквы VT. На схемах эти полупроводниковые приборы обозначают, как показано на рис. Об электропроводности базы судят по символу эмиттера: Знать электропроводность эмиттера базы и коллектора необходимо для того, чтобы правильно подключить транзистор к источнику питания. В справочниках эту информацию приводят в виде структурной формулы. Транзистор, база которого имеет электропроводимость типа n, обозначают формулой p-n-p, а транзистор с базой, имеющей электропроводность типа p-n-p. В первом случае на базу и коллектор следует подавать отрицательное по отношению к эмиттеру напряжение, во втором — положительное. Для наглядности условное графическое обозначение дискретного транзистора обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Иногда металлический корпус соединяют с одним из выводов транзистора. На схемах это показывается точкой в месте пересечения соответствующего вывода с символом корпуса. Если же корпус снабжен отдельным выводом, линию-вывод допускается присоединять к кружку без точки VT3 на рис. В целях повышения информативности схем рядом с позиционным обозначением транзистора допускается указывать его тип. Линии электрической связи, идущие от эмиттера и коллектора проводят в одном из двух направлений: Излом вывода базы допускается лишь на некотором расстоянии от символа корпуса VT4. Транзистор может иметь несколько эмиттерных областей эмиттеров. В этом случае символы эмиттеров обычно изображают с одной стороны символа базы, а окружность обозначения корпуса заменяют овалом рис. Стандарт допускает изображать транзисторы и без символа корпуса, например, при изображении бескорпусных транзисторов или когда на схеме необходимо показать транзисторы, входящие в состав сборки транзисторов или интегральной схемы. Поскольку буквенный код VT предусмотрен для обозначения транзисторов, выполненных в виде самостоятельного прибора, транзисторы сборок обозначают одним из следующих способов: VT1-VT4 КНТ1 , либо используют код аналоговых микросхем DA и указывают принадлежность транзисторов в сборке в позиционном обозначении рис. У выводов таких транзисторов, как правило, приводят условную нумерацию, присвоенную выводам корпуса, в котором выполнена матрица. Без символа корпуса изображают на схемах и транзисторы аналоговых и цифровых микросхем для примера на рис. Условные графические обозначения некоторых разновидностей биполярных транзисторов получают введением в основной символ специальных знаков. Так, чтобы изобразить лавинный транзистор, между символами эмиттера и коллектора помещают знак эффекта лавинного пробоя см. При повороте обозначения транзистора на схеме положение этого знака должно оставаться неизменным. Иначе построено обозначение однопереходного транзистора: Символ эмиттера в обозначении этого транзистора проводят к середине символа базы рис. Об электропроводности последней судят по символу эмиттера направлению стрелки. На символ однопереходного транзистора похоже обозначение большой группы транзисторов с p-n-переходом, получивших название полевых. Основа такого транзистора — созданный в полупроводнике и снабженный двумя выводами исток и сток канал с электропроводностью n или p-типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод — затвор. Канал изображают так же, как и базу биполярного транзистора, но помещает в середине кружка-корпуса рис. Электропроводность канала указывают стрелкой на символе затвора на рис. В условном графическом обозначении полевых транзисторов с изолированным затвором его изображают черточкой, параллельной символу канала с выводом на продолжении линии истока электропроводность канала показывают стрелкой, помещенной между символами истока и стока. Если стрелка направлена к каналу, то это значит, что изображен транзистор с каналом n-типа, а если в противоположную сторону см. Аналогично поступают при наличии вывода от подложки VT4 , а также при изображении полевого транзистора с так называемым индуцированным каналом, символ которого - три коротких штриха см. Если подложка соединена с одним из электродов обычно с истоком , это показывают внутри обозначения без точки VT7, VT8. В полевом транзисторе может быть несколько затворов. Изображают их более короткими черточками, причем линию-вывод первого затвора обязательно помещают на продолжении линии истока VT9. Линии-выводы полевого транзистора допускается изгибать лишь на некотором расстоянии от символа корпуса см. В некоторых типах полевых транзисторов корпус может быть соединен с одним из электродов или иметь самостоятельный вывод например, транзисторы типа КП Из транзисторов, управляемых внешними факторами, широкое применение находят фототранзисторы. В качестве примера на рис. Наряду с другими полупроводниковыми приборами, действие которых основано на фотоэлектрическом эффекте, фототранзисторы могут входить в состав оптронов. Обозначение фототранзистора в этом случае вместе с обозначением излучателя обычно светодиода заключают в объединяющий их символ корпуса, а знак фотоэффекта — две наклонные стрелки заменяют стрелками, перпендикулярными символу базы. Для примера на рис. Аналогично строится обозначение оптрона с составным транзистором U2. Лампа 6Н8С 60 руб. Лампа 6П14П руб. Лампа 6П3С 80 руб. Условное обозначение транзисторов на схемах. Трансформаторы бытовой радиоэлектронной аппаратуры: Справочник по отечественным биполярным транзисторам Справочник по импортным биполярным транзисторам Справочник по импортным MOSFET транзисторам. Главная Карта сайта Контакты. Условное обозначение транзисторов Знать электропроводность эмиттера базы и коллектора необходимо для того, чтобы правильно подключить транзистор к источнику питания. Условное обозначение транзисторных сборок Без символа корпуса изображают на схемах и транзисторы аналоговых и цифровых микросхем для примера на рис. Условное обозначение лавинных транзисторов Иначе построено обозначение однопереходного транзистора: Условное обозначение полевых транзисторов В условном графическом обозначении полевых транзисторов с изолированным затвором его изображают черточкой, параллельной символу канала с выводом на продолжении линии истока электропроводность канала показывают стрелкой, помещенной между символами истока и стока. Условное обозначение фототранзисторов и оптронов Для примера на рис. Справочник по отечественным биполярным транзисторам. Справочник по импортным биполярным транзисторам. Справочник по импортным MOSFET транзисторам.


8. Транзисторы


Как показывает опыт, новички, сталкивающиеся с проверкой элементной базы подручными средствами, без каких-либо проблем справляются с проверкой диодов и биполярных транзисторов, но затрудняются при необходимости проверить столь распространенные сейчас MOSFET-транзисторы разновидность полевых транзисторов. Я надеюсь, что данный материал поможет освоить этот нехитрый способ проверки полевых транзисторов. На данный момент понаделано очень много всяких полевых транзисторов. Сравнивая полевой транзистор с биполярным, можно сказать, что затвор соответствует базе, исток — эмиттеру, сток полевого транзистора — коллектору биполярного транзистора. Наиболее распространены n-канальные MOSFET — они используются в цепях питания материнских млат, видеокарт и т. У MOSFET имеется встроенный диод:. Транзисторы лучше рисовать с диодом — чтобы потом было проще в схеме ориентироваться. Этот диод является паразитным и от него не удается избавиться на этапе изготовления транзистора. Вообще при изготовлении MOSFET возникает паразитный биполярный транзистор, а диод — один из его переходов. Правда нужно признать, что по схемотехнике этот диод все равно частенько приходится ставить, поэтому производители транзисторов этот диод шунтируют диодом с лучшими показателями как по быстродействию, так и по падению напряжения. В низковольтные MOSFET обычно встраивают диоды Шоттки. А вообще в идеале этого диода не должно было бы быть. И вот, иногда наступает момент, когда необходимо полевой транзистор проверить, прозвонить или определить его цоколевку. На самом деле очень многие MOSFET способны открыться, пусть даже и не полностью, напряжением на затворе до 5В. В качестве примера возьмем N-канальный MOSFET IRFN для его проверки прозвонки. Известно, что у него такая цоколевка: Выводы считаются как показано на рисунке ниже. Мультиметр выставляем в режим проверки диодов, этот режим очень часто совмещен с прозвонкой. На любом уважающем себя мультиметре есть такая штуковина. Прозвонка диодов, да и вообще полупроводниковых переходов на мультиметре. Получаем на дисплее мультиметра значения … — это падение напряжения на внутреннем диоде. Получаем на дисплее мультиметра бесконечность. У мультиметров обычно обозначается как 1 в самом старшем разряде. У мультиметров подороже, с индикацией не а будет показано значение примерно 2, 2,8 вольта. Видим, что теперь щупы стоят так же, как и в п. Если продолжать удерживать щупы достаточно долго, то станет заметно, что падение напряжения D-S увеличивается, что означает, что канал постепенно закрывается. Как видим, канал опять закрылся и мультиметр показывает бесконечность. Поясним, что же происходит. С прозвонкой внутреннего диода все понятно. Непонятно почему канал остается либо закрытым, либо открытым? На самом деле все просто. Дело в том, что у мощных MOSFET емкость между затвором и истоком достаточно большая, например у взятого мной транзистора IRFN измеренная емкость S-G составляла пФ 3,7нФ. При этом сопротивление S-G составляет сотни ГОм гигаом и более. Не забыли — полевые транзисторы управляются электрическим полем, а не током в отличие от биболярных. Если хвататься за выводы транзистора руками, особенно жирными и влажными, емкость транзистора будет разряжаться значительно быстрее, так как сопротивление будет определяться не диэлектриком у затвора транзистора, а поверхностным сопротивлением. Не смытый флюс также сильно снижает сопротивление. Поэтому рекомендую помыть транзистор, перед проверкой, например, в спирто-бензиновой смеси. Спирто-бензиновая смесь при испарении может генерировать статическое электричество, которое, как известно, негативно действует на полевые транзисторы. Небольшие пояснения о мультиметрах 1. У цифровых мультиметров режим проверки диодов проводится измерением падения напряжения на щупах, при этом по щупам прибор пропускает стабильный ток 1мА. Именно поэтому в данном режиме прибор показывает не сопротивление, а падение напряжения. Для германиевых диодов оно равно 0,3…0,4В, для кремниевых 0,6…0,8В. Но что бы там не измерялось напряжение на щупах прибора редко превышает 3В — это ограничение накладывается схемотехникой мультиметров. Теперь можно потренироваться в определении цоколевки мощного транзистора. Перед нами транзистор IRF и его цоколевка мне неизвестна. Начну с поиска диода. Попробую все варианты подключения к мультиметру. После каждого измерения корочу ножки транзистора фольгой чтобы обеспечить разряд емкостей транзистора. Возможные варианты показаны в таблице:. Осталось определить, где находятся сток D и исток S и полярность n-канал или p-канал полевого транзистора. Если это n-канальный транзистор, то сток D — 3 вывод, исток S — 2 вывод. Канал не открылся — значит, наше предположение о том, что IRF n-канальный транзистор оказалось неверным. Если это p-канальный транзистор, то сток D — 2 вывод, исток S — 3. Канал открылся — значит, что IRF p-канальный транзистор, вывод 1 — затвор, вывод 2 — сток, вывод 3 — исток. На самом деле все не так сложно. Буквально пол часа тренировки — и вы сможете без каких-либо проблем проверять MOSFETы и определять их цоколевку! Наконец кто-то нормально рассказал о полевиках, я теперь знаю что это такое и как его едят! А то в литературе такой херни безполезной понапишут, что обычно тошнит уже от первого предложения, я пол года уже пытаюсь понять как с ними работать. Вот нигде я не встретил того, что скорость закрытия полевика может быть настолько низкой! Виновата во всём статика оказалась, по закрывала исправные транзисторы. Разрядил их прямо на плате и КЕНВУД ТС ожил. Спасибо за толковое разъяснение. Карта сайта О сайте. MOSFET — проверка и прозвонка Статьи Проверка и определение цоколевки MOSFET Как показывает опыт, новички, сталкивающиеся с проверкой элементной базы подручными средствами, без каких-либо проблем справляются с проверкой диодов и биполярных транзисторов, но затрудняются при необходимости проверить столь распространенные сейчас MOSFET-транзисторы разновидность полевых транзисторов. Очень кратко о полевых транзисторах На данный момент понаделано очень много всяких полевых транзисторов. MOSFET n-канальный слева и p-канальный справа. У подавляющего большинства полевых транзисторов нельзя на затвор G подавать напряжение больше 20В относительно истока S , а некоторые образцы могут убиться при напряжении выше пяти вольт! Это вам нужно - дизайн квартир: Дом мечты в Канаде. Отзывы специалистов по ремонту. Страницы сайта… Главная Электроника Операционный усилитель Параметры ОУ Программирование PIC — микроконтроллеры Статьи Карта сайта. Свежие записи PIC и значения АЦП на ЖКИ Удалить скрытые устройства из диспетчера устройств FTR PIC и ЖКИ на HD АЦП в PIC18F45xx — Аналого-Цифровое преобразование.


Vkmix как накрутить подписчиков
Рф лифтинг лица спб
Азалия японская бабушка описание
Пельмени заварное тесто рецепт пошаговый с фото
Инструкция по применению люголь
Sign up for free to join this conversation on GitHub. Already have an account? Sign in to comment