На начало апреля г. Модули оперативной памяти DDR3 емкостью 4 Гбайт в стандартной компоновке восемь микросхем DRAM по Мбайт в каждой в среднем в пределах текущей сессии торговались по 1, долл. Точно такие же модули по восемь Мбайт кристаллов , но уже стандарта DDR4, оптовые покупатели могли приобрести по средней цене 1, долл. Разница между аналогичными объемами памяти актуального и прежнего поколений, как видим, очень мала. И это вовсе не какой-то внезапный провал котировок: На этом фоне выглядит явно избыточной предупредительность Intel, которая предусмотрела в контроллерах ОЗУ настольных процессоров Skylake возможность работать с обоими актуальными на сегодня типами оперативной памяти. Впрочем, во времена активной подготовки Skylake к серийному запуску никто и предположить не мог, что новейшая разновидность DDR SDRAM столь стремительно покинет премиальный ценовой сегмент. Такое поведение DRAM-котировок выглядит не слишком типичным. Ведь все новинки рынка компьютерных компонентов хотя бы в первый год после своего запуска собирают сливки с наиболее нетерпеливых энтузиастов. Традиционно, лишь 10—15 месяцев спустя их розничная цена начинает становиться более или менее приемлемой для широких масс потребителей. Включая корпоративных, особенно чутких к каждому центу разницы между любыми двумя позициями в прейскуранте системного интегратора либо крупного дилера. С точки зрения покупателя ситуация на рынке оперативной памяти сложилась такая, что лучше не придумаешь. Цены снижаются уже который сезон подряд, причем во всех сегментах, от вставных модулей DIMM и SO-DIMM для больших и миниатюрных компьютеров, серверов, рабочих станций и ноутбуков до распаиваемых непосредственно на системной плате микросхем DRAM для смартфонов и планшетов. Однако представителей самой индустрии высоких технологий такое положение дел не радует, — как и слишком низкие цены на нефть не способствуют процветанию нефтедобывающих стран. При этом на современном рынке энергозависимой полупроводниковой памяти остаются ровным счетом лишь три крупных участника со своими собственными производственными линиями — Samsung, SK Hynix и Micron. Острейшая конкурентная борьба между ними мешает ценам на DRAM закрепиться на сколько-нибудь приемлемом для индустрии уровне. А ведь именно сейчас настало время для очередной серии крупных инвестиций в производственные мощности. Причем на недолгом временном интервале: От характерного масштаба 20 нм полупроводниковые технологии переходят теперь к 10 нм точнее, к верхней страте диапазона 10—19 нм , и модули оперативной памяти просто не могут оставаться в стороне от общего тренда. Снижение характерного размера единичного элемента полупроводниковой логики транзистора ведет к уменьшению потребного для его работы тока. Электронное устройство в целом становится менее энергоемким — но только в том случае, если все его компоненты предъявляют схожие требования к питающему напряжению. Именно поэтому гораздо предпочтительнее конструировать тот же самый смартфон на базе микроэлектронных компонентов одного и того же класса технологических норм, чтобы в наибольшей степени снизить энерговыделение готового гаджета, обеспечить ему наиболее длительное время автономной работы и т. Дальнейшая миниатюризация технологического процесса автоматически порождает дополнительную нагрузку на рынок DRAM. Физические размеры заготовок-пластин, из которых затем нарезаются отдельные микросхемы памяти, остаются неизменными а то и увеличиваются с уменьшением норм техпроцесса, так что число полупроводниковых элементов на заготовке с каждой итерацией неуклонно растет. Сначала выход годных микросхем с каждой пластины сравнительно невелик, однако технология со временем отрабатывается, и доля эта растет. Тем самым переход к новому технологическому процессу позволяет с каждой заготовки нарезать еще больше микросхем памяти той же самой информационной емкости , чем раньше. Результатом, если сознательно не ограничивать выпуск DRAM что в условиях жесткой конкуренции маловероятно , становится еще более стремительное снижение цен на оперативную память. Такое положение дел можно рассматривать как оборотную сторону безусловного преимущества нынешней архитектуры компьютерной памяти — эволюционного характера этой архитектуры. Если отвлечься от характерного габарита единичного транзистора, выраженного в нанометрах, и тонкостей физической организации этого самого транзистора, схематический план модуля памяти DDR2 не будет принципиально отличаться от DDR3, а того — от DDR4. Подобная эволюционность развития привлекательна тем, что производственные линии под новый тип памяти принципиально переделывать не нужно, — в отличие от линий, ориентированных на более миниатюрный техпроцесс. Доля НИОКР в себестоимости новейших версий компьютерного ОЗУ также не слишком высока. Однако последовательное экстенсивное наращивание быстродействия памяти в отсутствие принципиальной переработки ее архитектуры с очевидностью заводит индустрию в экономический тупик. По крайней мере, именно такой вывод можно сделать из наиболее эмоциональных и откровенных высказываний инсайдеров этой индустрии, регулярно публикуемых ресурсом DRAMeXchange. Отнюдь не помогают делу и продолжающееся падение глобального рынка традиционных ПК, и затормозившийся рост спроса на планшеты, и ожидаемое уже едва ли не в ближайшие месяцы насыщение смартфонного сегмента. Все высокотехнологичные устройства, которым нужен хотя бы какой-то объем оперативной памяти, в условиях не самой здоровой глобальной экономики пользуются значительно меньшим спросом, чем могли бы. Одна надежда на стремительный рост Интернета вещей, — да и то умные пылесосы с холодильниками наверняка будут обходиться в обозримом будущем ничтожными объемами далеко не самой дорогой памяти вроде LPDDR2. Но, по крайней мере, чем больше в мире будут покупать самых разнообразных умных устройств, тем увереннее будут чувствовать себя в финансовом плане изготовители микросхем DRAM. Впрочем, извлекут ли для себя изо всей этой ситуации какую-либо практическую пользу энтузиасты компьютерной самосборки — вопрос открытый. Потому что приятно, конечно, приобретать Гбайт оперативную память DDR4 для своего ПК по цене, которую год назад пришлось бы выложить за Гбайт DDR3. Однако реальных повседневных задач, которые исчерпывали бы на самом мощном игровом ПК не рабочей стации и не сервере хотя бы 8 Гбайт ОЗУ — единицы. Как выбрать модули памяти DDR4? Двигатель, который глохнет На долгую оперативную память Умножение зависимости Миллисекунды счет любят Как мы тестировали Четвертый знаковый рубеж Редакция советует Еще от PCMag DDR4 SDRAM: Звезда планшетных компьютеров ярко воссияла в начале х, однако уже сейчас очевидно, что полноценной альтернативой Максимальный показатель по итогам запуска Intel NAS Performance Toolkit 1. Посетителей ждут экспертные доклады и презентации свежих решений от компаний-производителей, дистрибьюторов и С 3-го по 8-е июля года Национальный технический университет "Киевский политехнический В настоящий момент государственные инструменты работают на развитие тех сегментов, вложения в В процессе эволюции архитектуры одни решения рынок принимал, другие отвергал. В результате многим компаниям удалось стать авторами стандартов де-факто, и от. PCMag Russian Edition Гид покупателя. Как выбрать модули памяти DDR4 ? Эта величина не изменилась по сравнению с предшествующей сессией. Сезон отсутствия сезона С точки зрения покупателя ситуация на рынке оперативной памяти сложилась такая, что лучше не придумаешь. Двигатель, который глохнет На долгую оперативную память Умножение зависимости Миллисекунды счет любят Как мы тестировали Четвертый знаковый рубеж Редакция советует. Статьи Максим Белоус, Олег Денисов Планшетные компьютеры: NETGEAR ReadyNAS X RNX00 Максимальный показатель по итогам запуска Intel NAS Performance Toolkit 1. Заправка картриджей, мнение ИТ-практика: В Москве прошла выставка микроэлектроники SEMIEXPO Russia В настоящий момент государственные инструменты работают на развитие тех сегментов, вложения в About About PCMagazine RU Privacy Policy Terms of Use Cookies Advertise Connect Ziff Davis ExtremeTech IGN AskMen Международные партнеры PCMag USA Великобритания Австралия Бенелюкс Франция Греция Индия Latin America Средний Восток Португалия Россия Social Facebook Twitter Google Plus Linkedin Ad. Patriot Viper DDR PEPVGC6K 2x8GB Kit 1. ADATA DDR AD4UW4GB 1. ADATA DDR KIT OF 4 AX4UW4GQRZ 1.
Geforce gtx 1080 характеристики
Самые дешевые тарифы сотовой связи
Правила содержания средств пожаротушения