exemplo de lista de simbolos e abreviaturas na unha

example_list_of_symbols.tex

\chapter*{Lista de Abreviaturas}

%\clearpage \thispagestyle{empty} % optional to clear page numbers
\begin{tabular}{ll}
        2D          & Estrutura Bidimensional.\\
        \\
        3D          & Estrutura Tridimensional.\\
        \\
        B           & Região de corpo (\emph{Body}).\\
        \\
        D           & Região de dreno (\emph{Drain}).\\
        \\
        DG          & Transistor de porta dupla (\emph{Double Gate}).\\
        \\
        FDSOI       & SOI Totalmente depletado (\emph{Fully Depleted SOI}).\\
        \\
        FET         & Transistor de Efeito de Campo (\emph{Field-Effect Transistor}).\\
        \\
        G           & Região de porta (\emph{Gate}).\\
        \\
        GAA         & Transistor de porta circundante (\emph{Gate-all-around}).\\
        \\
        H           & Altura do canal do transistor.\\
        \\
        IGFET       &\emph{Insulated Gate Field Effect Transistor}\\
        \\
        L           & Comprimento do canal do transistor.\\
        \\
        MOSFET      & Transistor de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor\\
                    & (\emph{Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor}).\\
\end{tabular}

%\clearpage \thispagestyle{empty} % optional to clear page numbers
\begin{tabular}{ll}
        nMOSFET     & Transistor MOSFET do tipo n.\\
        \\
        PDSOI       & SOI Parcialmente depletado (\emph{Partially Depleted SOI}).\\
        \\
        S           & Região de fonte (\emph{Source}).\\
        \\
        SOI         & Tecnologia do tipo Silício sobre Isolante (\emph{Silicon-on-insulator Transistor}).\\
        \\
        W           & Largura do canal do transistor.\\
\end{tabular}

\chapter*{Lista de Símbolos}

%\clearpage \thispagestyle{empty} % optional to clear page numbers
\begin{tabular}{ll}
        $\alpha$        & Parâmetro resultante do acoplamento capacitivo do transistor MOS.\\
        \\
        $\epsilon_{Si}$ & Permissividade do silício [$3,45x10^{-13}$ F/cm].\\
        \\
        $\epsilon_{OX}$ & Permissividade do óxido [$1,06x10^{-12}$ F/cm].\\
        \\
        $\Phi_{F}$      & Potencial de Fermi [V].\\
        \\
        $\Phi_{S}$      & Potencial de superfície [V].\\
        \\
        $\Phi_{S1}$     & Potencial da primeira interface [V].\\
        \\
        $\Phi_{S2}$     & Potencial da segunda interface [V].\\
        \\
        $\Phi_{MS}$     & Diferença de potencial entre o metal e o silício [V].\\
        \\
        $\Phi_{MS1}$    & Diferença de potencial entre o metal e o silício na primeira interface [V].\\
        \\
        $\Phi_{MS2}$    & Diferença de potencial entre o metal e o silício na segunda interface [V].\\
        \\
        $\Phi_{OX1}$    & Queda de potencial no óxido na primeira interface do transistor [V].\\
        \\
        $\Phi_{OX2}$    & Queda de potencial no óxido na segunda interface do transistor [V].\\
        \\
        $\rho$          & Densidade de cargas por unidade de volume [C/$cm^{3}$].\\
        \\
        $C_{D}$         & Capacitância da região de depleção [F/$cm^2$].\\
        \\
        $C_{OX}$        & Capacitância do óxido de porta [F/$cm^2$].\\
        \end{tabular}

        %\clearpage \thispagestyle{empty} % optional to clear page numbers
        \begin{tabular}{ll}
        $C_{OX1}$       & Capacitância da primeira interface [F/$cm^2$].\\
        \\
        $C_{OX2}$       & Capacitância da primeira interface [F/$cm^2$].\\
        \\
        $C_{Si}$        & Capacitância da camada de silício [F/$cm^2$].\\
        \\
        $E(x)$          & Campo elétrico na superfície do silício [V/cm].\\
        \\
        $E_{s1}$        & Campo elétrico na primeira interface [V/cm].\\
        \\
        $E_{s2}$        & Campo elétrico na segunda interface [V/cm].\\
        \\
        $g_{m}$         & Transcondutância [$\Omega^{-1}$].\\
        \\
        $H$             & Altura do canal [nm].\\
        \\
        $I_{d}$         & Corrente de dreno [A].\\
        \\
        $k$             & Constante de Boltzman [$1,38 x 10^{-23}$ J/K].\\
        \\
        $L$             & Comprimento do canal [nm].\\
        \\
        $n$             & Fator de corpo.\\
        \\
        $N_a$           & Concentração de portadores no canal [$cm^{-3}$].\\
        \\
        $n_i$           & Concentração intrínseca de portadores [$cm^{-3}$].\\
        \\
        $q$             & Carga elementar do elétron [$1,6 x 10^{-19}$ C].\\
        \\
        $Q_{OX}$        & Quantidade de cargas no óxido [C/$cm^2$].\\
        \\
        $Q_{OX1}$       & Quantidade de cargas fixas na interface $Si/SiO_{2}$ [C/$cm^2$].\\
        \\
        $Q_{s2}$        & Quantidade de cargas para segunda interface em inversão [C/$cm^2$].\\
        \end{tabular}

        %\clearpage \thispagestyle{empty} % optional to clear page numbers
        \begin{tabular}{ll}
        $Q_{inv1}$      & Quantidade de cargas de inversão na primeira interface [C/$cm^2$].\\
        \\
        $Q_{inv2}$      & Quantidade de cargas de inversão na segunda interface [C/$cm^2$].\\
        \\
        $R$             & Raio de curvatura do canto superior do canal do transistor [nm] \\
        \\
        $S$             & Inclinação de Sublimiar [mV/déc].\\
        \\
        $T$             & Temperatura absoluta [K].\\
        \\
        $t_{Si}$        & Espessura da camada de silício [nm].\\
        \\
        $t_{BOX}$       & Espessura do óxido enterrado [nm].\\
        \\
        $t_{OX}$        & Espessura da camada de óxido [nm].\\
        \\
        $V_{D}$         & Tensão de dreno [V].\\
        \\
        $V_{G}$         & Tensão de porta [V].\\
        \\
        $V_{G1}$        & Tensão de porta [V].\\
        \\
        $V_{G2}$        & Tensão de substrato [V].\\
        \\
        $V_{TH}$        & Tensão de Limiar [V].\\
        \\
        $V_{FB}$        & Tensão de banda plana (\emph{flatband}) [V].\\
        \\
        $x_{dmax}$      & Espessura da camada depletada a partir do óxido de porta [$\mu$m].\\
        \\
        $W$             & Largura do canal [nm].\\
\end{tabular}