Ссылка на файл: >>>>>> http://file-portal.ru/График p n перехода/
p–n переход и его электрические свойства
Основные формулы p-n перехода.
1.2. Прямое и обратное включение p-n-перехода
Принцип действия полупроводниковых приборов объясняется свойствами так называемого электронно-дырочного перехода p-n - перехода - зоной раздела областей полупроводника с разным механизмами проводимости. Электронно-дырочный переход - это область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости от электронной n-области к дырочной p-области. Поскольку в р-области электронно-дырочного перехода концентрация дырок гораздо выше, чем в n-области, дырки из n -области стремятся диффундировать в электронную область. Электроны диффундируют в р-область. Для создания в исходном полупроводнике обычно 4-валентном германии или кремнии проводимости n- или p-типа в него добавляют атомы 5-валентной или 3-валентной примесей соответственно фосфор, мышьяк или алюминий, индий и др. Атомы 5-валентной примеси доноры легко отдают один электрон в зону проводимости, создавая избыток электронов в полупроводнике, не занятых в образовании ковалентных связей; проводник приобретает проводимость n-типа. Введение же 3-валентной примеси акцепторов приводит к тому, что последняя, отбирая по одному электрону от атомов полупроводника для создания недостающей ковалентной связи, сообщает ему проводимость p-типа, так как образующиеся при этом дырки вакантные энергетические уровни в валентной зоне ведут себя в электрическом или магнитном полях как носители положительных зарядов. Дырки в полупроводнике р-типа и электроны в полупроводнике n-типа называются основными носителями в отличие от неосновных электроны в полупроводнике р-типа и дырки в полупроводнике n-типа , которые генерируются из-за тепловых колебаний атомов кристаллической решетки. Произойдет рекомбинация электронов с дырками вблизи границы разнотипных полупроводников. Этот процесс подобен диффузии свободных электронов из полупроводника n-типа в полупроводник р-типа и диффузии дырок в противоположном направлении. Если к полупроводнику приложить электрическое напряжение, то в зависимости от полярности этого напряжения р-n-переход проявляет совершенно различные свойства. Итак, с определенной долей приближения можно считать, что электрический ток через р-n-переход протекает, если полярность напряжения источника питания прямая, и, напротив, тока нет, когда полярность обратная. Однако, кроме зависимости возникшего тока от внешней энергии, например, источника питания или фотонов света, которая используется в ряде полупроводниковых приборов, существует термогенерация. При этом концентрация собственных носителей заряда резко уменьшается, следовательно, и I ОБР тоже. Таким образом, если переход подвергнуть воздействию внешней энергии, то появляется пара свободных зарядов: Любой носитель заряда, рожденный в области объемного заряда p — n перехода, будет подхвачен электрическим полем E ВН и выброшен: Возникает электрический ток, который пропорционален ширине области объемного заряда. Это вызвано тем, что чем больше E ВН , тем шире область, где существует электрическое поле, в котором происходит рождение и разделение носителей зарядов. По этой же причине выше предельная рабочая температура полупроводника. При большей температуре количество носителей заряда возрастает, сопротивление кристалла уменьшается, и полупроводник термически разрушается. Она состоит из прямой 0-А и обратной 0-В-С ветвей; на вертикальной оси отложены значения прямого и обратного тока , а на оси абсцисс — значения прямого и обратного напряжения. При прямом включении рис. U — приложенное к переходу внешнее напряжение соответствующего знака;. Пробой бывает лавинный, тунельный, тепловой. И туннельный и лавинный пробой принято называть электрическим пробоем. УЧЕНЬЕ - СВЕТ, А НЕУЧЕНЬЕ - ЧУТЬ СВЕТ И НА РАБОТУ! Потенциальный барьер в p-n переходе. Свойства p-n перехода при прямом включении. Свойства p-n перехода при обратном включении. Вольт-амперная характеристика p-n перехода. Вольт-амперная характеристика р-n-перехода показывает, что уже при сравнительно небольших прямых напряжениях сопротивление перехода падает, а прямой ток резко увеличивается. Главная страница Контакт Электротехника и электроника Методы осуществления стандартных и сертиф. Колледж электроэнергетики и машиностроения , г. Был ли полезен для Вас наш сайт? Создать бесплатный сайт Webnode. Главная страница Карта сайта RSS Печать. Вебсайт работает на Webnode Запустите свой вебсайт бесплатно!
Характеристика фрезы по металлу
Где снимали каникулы строгого режима
Кальция глюконат внутривенно инструкцияпо применению
p-n-переход
Скачать clash of clans на андроид мод
Qiwi visa virtual виртуальная предоплаченная карта
Коэффициент вмененки 2017
Учебники
Модуль управления зажигания
Можно ли стирать после
P-n-переход
Новости mmorpg 2017
История россии петровские времена
Где в подольске заказать гербицидную обработку
Основные формулы p-n перехода.
Японская диета правила