Однофазный транзистор его параметры характеристики свойства - Выпрямительные устройства и их характеристики
В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем. Транзисторами также называются дискретные электронные приборы, которые, выполняя функцию одиночного транзистора, имеют в своем составе много элементов, конструктивно являясь интегральной схемой, например составной транзистор или многие транзисторы большой мощности [2]. В биполярном транзисторе используются полупроводники с обоими типами проводимости, он работает за счет взаимодействия двух, близко расположенных на кристалле, p-n переходов и управляется изменением тока через база-эмиттерный переход, при этом вывод эмиттера всегда является общим для управляющего и выходного токов. В полевом транзисторе используется полупроводник только одного типа проводимости, расположенный в виде тонкого канала на который воздействует электрическое поле изолированного от канала затвора [3] , управление осуществляется изменением напряжения между затвором и истоком. Полевой транзистор, в отличие от биполярного, управляется напряжением, а не током. К м годам транзисторы, благодаря своей миниатюрности, экономичности, устойчивости к механическим воздействиям и невысокой стоимости практически полностью вытеснили электронные лампы из малосигнальной электроники. Благодаря своей способности работать при низких напряжениях и значительных токах, транзисторы позволили уменьшить потребность в электромагнитных реле и механических переключателях в оборудовании, а благодаря способности к миниатюризации и интеграции позволили создать интегральные схемы , заложив основы микроэлектроники. С х в связи с появлением новых мощных транзисторов, стали активно вытесняться электронными устройствами трансформаторы, электромеханические и тиристорные ключи в силовой электротехнике, начал активно развиваться Частотно-регулируемый привод и инверторные преобразователи напряжения. В году немецкий физик Карл Фердинанд Браун впервые обнаружил явление односторонней проводимости контакта металл—полупроводник. В году инженер Гринлиф Виттер Пиккард изобретает точечный полупроводниковый диод-детектор. Особенностью этого периода развития было то, что физика полупроводников была ещё плохо изучена, все достижения являлись следствием экспериментов, учёные затруднялись объяснить, что происходит внутри кристалла, часто выдвигая ошибочные гипотезы. Потенциальных перспектив полупроводников никто не видел. Первый шаг в создании полевого транзистора сделал австро-венгерский физик Юлий Эдгар Лилиенфельд , который предложил метод управления током в образце путём подачи на него поперечного электрического поля, которое, воздействуя на носители заряда, будет управлять проводимостью. Однако несмотря на то, что полевые транзисторы основаны на простом электростатическом эффекте поля и по физике проще биполярных, создать работоспособный образец долго не удавалось. Разработчики не могли обойти неизвестные на тот момент явления в поверхностном слое полупроводника, которые не позволяли управлять электрическим полем внутри кристалла у транзисторов такого типа МДП-транзистор. Работоспособный полевой транзистор был создан уже после открытия биполярного транзистора. Это происходило при подаче на переход управляющего напряжения обратной полярности. Первый полевой МДП-транзистор, запатентованный ещё в е годы и сейчас составляющий основу компьютерной индустрии, впервые был изготовлен в году после работ американцев Канга и Аталлы, предложивших в качестве диэлектрика формировать на поверхности кремниевого кристалла тончайший слой двуокиси кремния, которая изолировала металлический затвор от проводящего канала, получив тем самым МОП-структуру [8]. Только в х годах XX века МОП-технология стала доминировать над биполярной [9]. В отличие от полевого, первый биполярный транзистор создавался экспериментально, а его принцип действия был открыт уже позднее. Иоффе провёл ряд экспериментов с полупроводниковым устройством, конструктивно повторяющим точечный транзистор на кристалле карборунда SiC , однако достаточного коэффициента усиления получить не удалось. Изучая явления электролюминесценции в полупроводниках, Лосев исследовал около 90 различных материалов, особенно выделяя кремний, и в году он вновь упоминает о работах над трёхэлектродными системами в своих записях, но начавшаяся война и гибель инженера в блокадном Ленинграде зимой года привели к тому, что некоторые его работы оказались утеряны и сейчас неизвестно, насколько далеко он продвинулся в создании транзистора. В начале х годов точечные трёхэлектродные усилители изготовили также радиолюбители Ларри Кайзер из Канады и Роберт Адамс из Новой Зеландии, однако их работы не были запатентованы и не подвергались научному анализу [4]. Успеха добилось опытно-конструкторское подразделение Bell Telephone Laboratories фирмы American Telephone and Telegraph , с году в нём, под руководством Джозефа Бекера, работала группа ученых специально нацеленная на создание твердотельных усилителей. До года изготовить полупроводниковый усилительный прибор не удалось предпринимались попытки создания прототипа полевого транзистора. После войны, в году, исследования возобновились под руководством физика-теоретика Уильяма Шокли , после ещё 2 лет неудач, 16 декабря года, исследователь Уолтер Браттейн , пытаясь преодолеть поверхностный эффект в германиевом кристалле и экспериментируя с двумя игольчатыми электродами, перепутал полярность приложенного напряжения и неожиданно получил устойчивое усиление сигнала. Последующее изучение открытия, совместно с теоретиком Джоном Бардиным показало, что никакого эффекта поля нет, в кристалле идут ещё не изученные процессы, это был не полевой, а неизвестный прежде, биполярный транзистор. Узнав об успехе, уже отошедший от дел Уильям Шокли, вновь подключается к исследованиям и за короткое время создает теорию биполярного транзистора, в которой уже наметил замену точечной технологии изготовления, более перспективной, плоскостной. И все же, мировой сенсации не состоялось, первоначально открытие не оценили по достоинству, ибо первые точечные транзисторы, в сравнении с электронными лампами, имели очень плохие характеристики, только в году Уильям Шокли en: William Shockley , Уолтер Браттейн en: Walter Houser Brattain и Джон Бардин en: Интересно, что Джон Бардин вскоре был удостоен Нобелевской премии во второй раз за создание теории сверхпроводимости. Параллельно с работами американских ученых, в Европе, биполярный транзистор был создан физиком-экспериментатором Гербертом Матаре en: Прибор использовался в радиолокационной технике, как два, близких по параметрам, выпрямительных точечных диода, выполненных на одном кристалле германия. Тогда же Матаре впервые обнаружил влияние тока одного диода на параметры другого и начал исследования в этом направлении. После войны Герберт Матаре, в Париже, встретился с Иоганном Велкером, где оба физика, работая в филиале американской корпорации Westinghouse Electric , продолжили эксперименты над дуодиодом в инициативном порядке. Серийно выпускаемые фирмой Westinghouse транзитроны, несмотря на то что по качеству они успешно конкурировали с транзисторами, также не смогли завоевать рынок и вскоре работы в этом направлении прекратились [4]. Несмотря на миниатюрность и экономичность, первые транзисторы отличались высоким уровнем шумов, маленькой мощностью, нестабильностью характеристик во времени и сильной зависимостью параметров от температуры. Точечный транзистор, не являясь монолитной конструкцией, был чувствителен к ударам и вибрациям. Фирма-создатель Bell Telephone Laboratories не оценила перспективы нового прибора, выгодных военных заказов не ожидалось и лицензия на изобретение вскоре начала продаваться всем желающим за 25 тыс. В году был создан плоскостной транзистор, конструктивно представляющий собой монолитный кристалл полупроводника, и примерно в это же время появились первые транзисторы на основе кремния. Характеристики транзисторов быстро улучшались и вскоре они стали активно конкурировать с электронными радиолампами. Позднее транзисторы заменили вакуумные лампы в большинстве электронных устройств, совершив революцию в создании интегральных схем и компьютеров. В начале го века транзистор стал одним из самых массовых изделий, производимых человечеством. В году на каждого жителя Земли было выпущено около 15 миллиардов транзисторов большинство из них - в составе интегральных схем [11]. С появлением интегральных микросхем началась борьба за уменьшение размера элементарного транзистора. В году самые маленькие транзисторы содержали считанные атомы вещества [12]. Транзисторы стали основной частью компьютеров и других цифровых устройств. В некоторых конструкциях процессоров их количество достигало более миллиарда штук. Транзистор с плавающим затвором может быть использован как ячейка памяти для хранения информации в двоичном коде. Один тразистор имеет заряд и условно он является единицей. Другой транзистор не имеет заряда и является нулём. Эта кофигурация снимается специальным устройством и отображается на экран. Рельеф заряженных и разряженных транзисторов тождественно отображает хранимую в транзисторах информацию на экране [ источник не указан дня ]. Ниже приведена формальная классификация токовых транзисторов, где рабочее тело представляет собой поток носителей тока, а состояния, между которыми переключается прибор, определяются по величине сигнала: Современная технология может оперировать не только электрическим зарядом, но и магнитными моментами, спином отдельного электрона, фононами и световыми квантами, квантовыми состояниями в общем случае. Помимо основного полупроводникового материала , применяемого обычно в виде монокристалла, транзистор содержит в своей конструкции легирующие добавки к основному материалу, металлические выводы, изолирующие элементы, части корпуса пластиковые или керамические. Однако основными являются транзисторы на основе кремния , германия , арсенида галлия. Другие материалы для транзисторов до недавнего времени не использовались. В настоящее время имеются транзисторы на основе, например, прозрачных полупроводников для использования в матрицах дисплеев. Также имеются отдельные сообщения о транзисторах на основе углеродных нанотрубок [13] , о графеновых полевых транзисторах. Принцип действия и способы применения транзисторов существенно зависят от их типа и внутренней структуры. По рассеиваемой в виде тепла мощности различают:. Существенное улучшение параметров транзисторов BISS достигнуто за счёт изменения конструкции зоны эмиттера. Такая конструкция транзистора позволяет сократить количество навесных компонентов и минимизирует необходимую площадь монтажа. RET транзисторы применяются для непосредственного подключения к выходам микросхем без использования гасящих резисторов. Применение гетероперехода позволяет создавать высокоскоростные и высокочастотные полевые транзисторы, такие как HEMT. Но транзисторы всех разновидностей имеют только три вывода. Для включения трёхвыводного прибора необходимо один из выводов объединить, и поскольку таких комбинаций может быть только три, то существуют три базовых схемы включения транзистора:. Полевые транзисторы, как с p-n переходом канальные , так и МОП МДП имеют следующие схемы включения:. Выбор нагрузки транзистора и тока коллектора стока при этом оставляется за разработчиком конечной схемы, в составе которой применяются модуль или микросхема. Такой подход значительно расширяет рамки применимости модуля или микросхемы за счет небольшого усложнения конечной схемы. Статья с подробным описанием принципа в англоязычном разделе. Надо заметить, что это положение не всегда верно: Транзисторы применяются в качестве активных усилительных элементов в усилительных и переключательных каскадах. Реле и тиристоры имеют больший коэффициент усиления мощности, чем транзисторы, но работают только в ключевом переключательном режиме. Вся современная цифровая техника построена, в основном, на полевых МОП металл-оксид-полупроводник -транзисторах МОПТ , как более экономичных, по сравнению с БТ, элементах. Иногда их называют МДП металл-диэлектрик-полупроводник -транзисторы. Размеры современных МОПТ составляют от 90 до 8 нм [ источник не указан дней ]. На протяжении 60 лет происходит уменьшение размеров миниатюризация МОПТ и увеличение их количества на одном чипе степень интеграции , в ближайшие годы ожидается дальнейшее увеличение степени интеграции транзисторов на чипе см. Уменьшение размеров МОПТ приводит также к повышению быстродействия процессоров, снижению энергопотребления и тепловыделения. В настоящее время микропроцессоры Intel собираются на трёхмерных транзисторах 3d транзисторы именуемых Tri-Gate. Эта революционная технология позволила существенно улучшить существующие характеристики процессоров. Суть технологии в том, что теперь сквозь затвор транзистора проходит особый High-K диэлектрик, который снижает токи утечки. По принципу работы наиболее родственен электронной лампе полевой транзистор. Основные преимущества, которые позволили транзисторам заменить своих предшественников вакуумные лампы в большинстве электронных устройств:. Материал из Википедии — свободной энциклопедии. У этого термина существуют и другие значения, см. Э — эмиттер, К — коллектор, Б — база; З — затвор, И — исток, С — сток. Краткие основы и история развития. На ветвях углеродного дерева вырос небывалый транзистор. Для улучшения этой статьи желательно: Проставив сноски , внести более точные указания на источники. Резистор Переменный резистор Подстроечный резистор Варистор Фоторезистор Конденсатор Переменный конденсатор Подстроечный конденсатор Катушка индуктивности Кварцевый резонатор Предохранитель Самовосстанавливающийся предохранитель Трансформатор Мемристор Бареттер. Диод Светодиод Фотодиод Полупроводниковый лазер Диод Шоттки Стабилитрон Стабистор Варикап Вариконд Магнитодиод Диодный мост Лавинный диод Лавинно-пролётный диод Туннельный диод Диод Ганна Транзистор Биполярный транзистор Полевой транзистор КМОП-транзистор Однопереходный транзистор Фототранзистор Составной транзистор Баллистический транзистор Интегральная схема Цифровая интегральная схема Аналоговая интегральная схема Аналого-цифровая интегральная схема Гибридная интегральная схема Тиристор Симистор Динистор Фототиристор Оптрон Резисторная оптопара Датчик Холла. Электронная лампа Электровакуумный диод Триод Маячковая лампа Тетрод Лучевой тетрод Пентод Гексод Гептод Пентагрид Октод Нонод Механотрон Клистрон Магнетрон Амплитрон Платинотрон Электронно-лучевая трубка Лампа бегущей волны Лампа обратной волны Тиратрон Кенотрон Игнитрон. Электронно-лучевая трубка ЖК-дисплей Светодиод Газоразрядный индикатор Вакуумно-люминесцентный индикатор Блинкерное табло Семисегментный индикатор Матричный индикатор Кинескоп. Микрофон Громкоговоритель Тензорезистор Пьезокерамический излучатель. Терморезистор Термопара Элемент Пельтье. Страницы, использующие волшебные ссылки ISBN Википедия: Нет источников с марта Википедия: Статьи без источников тип: Статьи с утверждениями без источников более 14 дней Википедия: Нет источников с июня Википедия: Нет источников с апреля Статьи со ссылками на Викисловарь Википедия: Навигация Персональные инструменты Вы не представились системе Обсуждение Вклад Создать учётную запись Войти. Пространства имён Статья Обсуждение. Просмотры Читать Править Править вики-текст История. В других проектах Викисклад. Эта страница последний раз была отредактирована 29 июня в Текст доступен по лицензии Creative Commons Attribution-ShareAlike ; в отдельных случаях могут действовать дополнительные условия. Свяжитесь с нами Политика конфиденциальности Описание Википедии Отказ от ответственности Разработчики Соглашение о cookie Мобильная версия. С затвором в виде p-n-перехода.
Послеоперационная коррекция зрения
Ленинградский бийск каталог
Транзистор
Крем для рук марселье отзывы
Когда нужно начинать пить противозачаточные
Бара на базе мтз 82 технические характеристики
Характеристика лада нива 4х4
Разрыв мениска причины
Сколько масла заливается в вилку иж планета
Временные характеристики реле
История болезни крупозная пневмония
Широта и долгота на карте
Московский государственный университет печати
Как настроить шестиструнную гитару в домашних условиях
Народный способ избавиться от кашля
Тюнинг авто каталог
Свойства денежного товара
Методы планирования схема
Высоковольтный полевой транзистор irfp450. МОП, MOSFET. Свойства, параметры, применение, данные, datasheet. irfp 450
Нижний новгород на карте россии
Колледжи в самаре где
Подробная карта нижневартовского района
Мелиана курск каталог одежды интернет магазин