Лабораторная работа выполняется с помощью учебного лабораторного стенда LESO3. С помощью учебного лабораторного стенда LESO3 ознакомиться с принципом действия биполярного транзистора БТ. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой ОБ и общим эмиттером ОЭ. Изучить особенности работы простейшего усилителя на биполярном транзисторе. На рисунке 1 приведена схема исследования для n-p-n транзистора. В дальнейшей работе предполагается, что исследуется n-p-n транзистор. При исследовании p-n-p транзистора следует изменить полярности источников напряжения и знак предела шкалы графопостроителя. По вертикальной оси графопостроителя выбрать миллиамперметр mA1 , диапазон: Для этого с помощью источника E2 установить фиксированное напряжение V2. Далее плавно поворачивать ручку управления источника E1 против часовой стрелки до тех пор, пока ток эмиттера mA1 не достигнет 10 мА. Результат измерения показан на рисунке 3. По вертикальной оси графопостроителя выбрать mA2 , установить диапазон: Установите диапазон регулирования источника E1: Для этого сначала с помощью источника E2 установить ток mA2 равный -1 мА. Плавно вращая ручку регулирования E2 по часовой стрелке до тех пор пока V2 не станет равным 10 В. На графопостроителе Вы получите требуемую характеристику. Для более точного позиционирования регулятора E2 можно менять диапазон регулирования. Затем, не изменяя напряжение источника E1 , плавно поворачивая ручку регулятора E2 против часовой стрелки установить ток mA2 равный -1 мА. Вновь измерьте характеристику и так далее. Образец выходных характеристик показан на рисунке 6. По горизонтальной оси графопостроителя следует выбрать V1 , установите диапазон Переключите шунт амперметра для измерения малых токов, для этого следует нажать кнопку , на кнопке появится надпись "мкА". Для этого следует поворачивать ручку регулирования источника E1 до тех пор пока ток мА1 не достигнет мкА, контроль можно вести по mA1. Оба графика должны быть построены на одних осях, как показано на рисунке 9. По горизонтальной оси графопостроителя нужно выбрать V2 , установите диапазон Пределы вертикальной шкалы можно скорректировать после измерения характеристик. Предварительно определите экспериментально максимальный ток базы I б max при котором ток выходной характеристики не выходит за пределы 10 мА. Ток базы задается источником E1 и контролируется по mA1. Устанавливая фиксированные значения тока базы в диапазоне I б max , с равным шагом получите десять выходных характеристик. Выходная характеристика получается путем регулирования E2 от 0 до 10 В. На рисунке 12 показан пример выходных характеристик для транзистора П Для этого снять две характеристики при комнатной и повышенной температурах. Повышения температуры можно добиться, прикоснувшись на несколько секунд пальцами руки к корпусу транзистора. По вертикальной оси графопостроителя нужно выбрать mA2 , и установить диапазон По горизонтальной оси графопостроителя выберите mA1 , диапазон С помощью источника E2 установить напряжение V2 , равное 5 В. При необходимости переключить шунт mA1. Выберите по вертикальной оси верхнего экрана графопостроителя V1 , диапазон: Выберите по вертикальной оси нижнего экрана графопостроителя mA2 , диапазон Изменяя постоянную составляющую входного сигнала, анализируя искажения синусоиды по осциллограмме выходного сигнала установите режим работы транзистора вблизи отсечки и вблизи насыщения. Установите рабочую точку транзистора посередине рабочего участка подайте на вход усилителя такой сигнал, что бы были видны ограничения сигнала на выходе снизу и сверху. Для каждого случая сохранить полученные графики. Перейти к основному содержанию. Лаборатория Электронных Средств Обучения ЛЭСО СибГУТИ. Учебное оборудование, учебные лабораторные стенды, лаборатории с удаленным доступом. Новости ЛЭСО Управление своими подписками. Контактные лица Учебное оборудование Направления АСКУЭ Технические вопросы. Исследование входных характеристик БТ в схеме с ОБ. Исследование выходных характеристик БТ в схеме с ОБ. Исследование входных характеристики БТ в схеме с ОЭ. Исследование выходных характеристик БТ в схеме с ОЭ. Исследование передаточной характеристики БТ в схеме с ОЭ. Исследование усилителя на БТ в схеме с ОЭ. Задание к работе 2. Рисунок 1 — Схема исследования входных характеристик БТ в схеме с ОБ. Рисунок 2 — Вид собранной на стенде схемы. Рисунок 3 — Входные характеристики БТ в схеме с ОБ. Рисунок 4 — Схема исследования выходных характеристик БТ в схеме с ОБ. Рисунок 5 — Вид собранной на стенде схемы. Рисунок 6 — Выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Рисунок 7 — Схема исследования входной характеристики БТ в схеме с ОЭ. Рисунок 8 — Вид собранной на стенде схемы. Рисунок 9 — Входные характеристики БТ в схеме с ОЭ. Рисунок 11 — Вид собранной на стенде схемы. Рисунок 12 — Выходные характеристики БТ в схеме с ОЭ. Рисунок 13 — Передаточная характеристика БТ в схеме с ОЭ. Рисунок 14 — Схема исследования усилителя на БТ. Рисунок 15 — Собранная схема усилителя. Рисунок 16 — Сигнал на входе и выходе усилителя. Рисунок 17 — Осциллограмма входного тока усилителя. Рисунок 18 — Осциллограмма выходного тока усилителя. Рисунок 19 — Осциллограмма выходного тока усилителя при искажениях снизу. Рисунок 20 — Осциллограмма выходного тока усилителя при искажениях сверху. Рисунок 21 — Осциллограмма выходного тока усилителя при искажениях сверху и снизу. Выходные и входные характеристики БТ в схеме с ОБ каждую характеристику подписать! Семейство выходных характеристик БТ в схеме с ОБ подписать каждую характеристику в семействе. Входные характеристики БТ в схеме с ОЭ. Семейство выходных характеристик БТ в схеме с ОЭ каждую характеристику семейства подписать. Результаты исследования зависимости выходной характеристики БТ в схеме с ОЭ от температуры. Передаточная характеристика БТ в схеме с ОЭ. По характеристикам транзистора определить его дифференциальные h-параметры для схем с ОБ и ОЭ. По осциллограммам усилителя определить коэффициент усиления усилителя по напряжению, току и мощности. Похожие статьи Исследование полевого транзистора. Учебный лабораторный стенд по электронике для изучения полупроводниковых приборов LESO3. Исследование статических характеристик биполярного транзистора. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов. Орфографическая ошибка в тексте:
План квартир сверху
Где немцы напали на ссср
Статические характеристики биполярных транзисторов
Насосные станции wilo характеристики
Translate google ru переводчик перевести
Заварное тестодля чебуреков хрустящее рецепт
Давление человека при нагрузках
Каталог сварочного оборудования
Магазины недорогой верхней одежды
Часовая минимальная заработная плата 2017
Like a circle перевод
Обои курган каталог
Электроника (Учебно-практическое пособие). Авторы: Горошко Д.Л., Гудаков Г.А., редактор: Александрова Л.И.
Технологии дистанционного обучения сущность особенности виды
Как решить систему уравнений с логарифмами
Новогодняя сценка поздравление на корпоратив
История крафтового пива
Как в аутлуке сделать смайлики
3.2.2. Схема с общей базой
Google play developer console
Эндометрит у кошек симптомы и лечение фото
Говядина запеченная в пакете
Канефрон можно ли беременным